Отдел Физики Поверхности
28 Si14
Department of Surface Physics
Института Автоматики и Процессов Управления
ДВО РАН,
г. Владивосток
Общая информация.
Научно-Технологический Центр полупроводниковой микроэлектроники Института Автоматики и Процессов Управления был создан в 1974 году.
Руководителем НТЦ является Саранин Александр Александрович д.ф.-м.н., профессор, зав. НТЦ;
Научно-технологический центр полупроводниковой микроэлектроники, физико-технический факультет, ДВГУ
Россия, Владивосток 690041, ул. Радио, 5.
Телефон: (4232) 310439, факс: (4232) 310452, E-mail: saranin@iacp.dvo.ru
-
Сотрудники группы имеют большой опыт в проведении экспериментов
по росту различных материалов на кремнии методами твердофазной
и молекулярно- лучевой эпитаксий в условиях сверхвысокого вакуума.
Формирование поверхностных фаз благородных, полублагородных и
переходных металлов на кремнии является объектом исследований
группы на протяжении более 20 лет. В процессе исследований
группой был всесторонне изучен процесс эпитаксии тонких пленок
кремния на кремнии, включая вопросы кинетики, кристаллического
совершенства и получения высоколегированных слоев кремния с
резким концентрационным профилем примесей.
Обнаружен ряд новых поверхностных фаз (в том числе и трехкомпонентных), исследованы их электронная структура и электрические свойства, проведены расчеты электронной структуры различных объемных и двумерных материалов. Впервые проведено комплексное исследование процессов адсорбции и соадсорбции различных элементов на атомарно-чистой поверхности кремния с различными ориентациями Si(100), (111) и (110), выявлены общие закономерности формирования двух- и трехкомпонентных поверхностных фаз (ПФ) на кремнии. Исследованы электрические транспортные свойства захороненных ПФ различных металлов и определены условия их устойчивости к заращиванию слоями аморфного и эпитаксиального кремния.
В 1994 году в издательстве John Wiley опубликована монография обзорного характера "Surface phases on silicon". Разработана и изготовлена сверхвысоковакуумная аппаратура для проведения экспериментов по формированию поверхностных фаз и тонких эпитаксиальных пленок силицидов и нитридов.
В 1996-1997 годах впервые получены данные о фазовых переходах в системе In/Si под воздействием иглы СТМ и результаты о индуцированном фасетировании поверхностными фазами алюминия поверхности Si(113).
Созданы методы расчета и реализованы вычислительные алгоритмы учета вклада динамической поляризуемости остовов атомов, составляющих поверхностную фазу, для теоретических расчетов спектров характеристических потерь энергии электронами на монокристаллической подложке методики температурных холловских, термоэлектрических, спектральных оптических и фотоэлектрических измерений на пленочных объектах, разработаны программы для расчета и моделирования оптических свойств тонких пленок на поглощающих подложках в широком диапазоне длин волн. Исследованы электрофизические, оптические и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных слоев дисилицида хрома на кремнии.
С использованием метода функционала электронной плотности изучена электронная структура следующих объектов:
- нанометровые частицы металла на кремнии,
- нанометровые системы "оксид кремния - кремний" и "металл-оксид кремния - кремний",
- кремниевые и металл-кремниевые квантовые проволоки,
С помощью кластерного моделирования (из первых принципов и полуэмпирического) изучена геометрия и энергетика различных систем на основе кремния.