Отдел Физики Поверхности
28 Si14
Department of Surface Physics
Института Автоматики и Процессов Управления
ДВО РАН,
г. Владивосток
207 *,C, 01/18/99
Lifshits V.G., Gavriljuk Y.L.
Electron energy states of carbon in Auger energy loss and
X-ray spactroscopies
Solid State Commun., 1980, V.36, N, P.155-158
210 *,Au,111, 01/18/99
Lifshits V.G., Akilov V.B., Gavriljuk Y.L.
Interaction of thin gold films with silicon
Solid State Commun., 1981, V.40, N, P.429-432
15 *,Si,111,100, 11/20/92
Гаврилюк Ю.Л., Кагановсий Ю.С., Лифшиц В.Г.
Диффузионный пеpенос массы на повеpхностях (111) и (100)
монокpисталлов кpемния
Кpисталлогpафия, 1981, V.26, N3, P.561-570
209 *,Fe,Co, 01/18/99
Лифшиц В.Г., Чеботкевич Л.А., Ветер В.В., Акилов В.Б.
Намагниченность поликристаллических железо-кобальтовых пленок,
подвергнутых рентгеновскому облучению
Металлофизика, 1981, V.3, N6, P.127-129
208 *,Fe,Co, 01/18/99
Лифшиц В.Г., Чеботкевич Л.А., Воробьев Ю.Д., Ерехинский Н.И.,
Ветер В.В., Акилов В.Б.
Изменение магнитных характеристик железо-кобальтовых пленок,
легированных хромом при облучении электронами
ФММ, 1981, V.52, N4, P.-
135 *,Sb, 12/15/98
Старос Ф.Г., Заводинский В.Г., Коробцов В.В., Воронов А.В.,
Андреев М.Г., Зотов А.В.
Влияние электронного облучения на структуру пленок сурьмы
Физ.Хим.Обраб.Матер., 1981, V., N5, P.147-148
Korobtsov V.V., Zavodinsky V.G., Zotov A.V.
Epitaxial regrowth of amorphous Si deposited on Si(111)
Phys.Stat.Sol.(a), 1982, V.72, N, P.391-398
30 *,C,O,double, 12/28/94
Лифшиц В.Г., Саранин А.А.
Электронно-стимулированная адсорбция молекул СО на поверхности
Si(111)$7\times7$
Украинский физический журнал, 1982, V.27, N8, P.1213-1216
138 *,Si, 12/15/98
Korobtsov V.V., Zavodinsky V.G., Zotov A.V.
LEED analysis of solid phase epitaxy of Si
Surf.Sci., 1983, V.130, N, P.L325-L328
162 *,Li, 12/23/98
Лифшиц В.Г., Назаров В.Ю., Акилов В.Б.
Смещение электронных уровней в литии при ионизации как
самостоятельная причина вторичной эмиссии
Ж.Прикл.Спектроск., 1983, V.39, N3, P.491-493
139 *,Si,100, 12/17/98
Заводинский В.Г., Зотов А.В., Коробцов В.В.
Твердофазная эпитаксия аморфных пленок Si, напыленных на
Si(100)
Поверхность, 1983, V., N10, P.129-133
16 Au,111, 11/20/92
Гаврилюк Ю.Л., Лифшиц В.Г.
Влияние поверхностных фаз на диффузию золота на кремнии
Поверхность, 1983, V., N4, P.82-89
137 *,Cr,111, 12/15/98
Лифшиц В.Г., Заводинский В.Г., Плюснин Н.И.
Формирование поверхностных фаз хрома и эпитаксия CrSi$_2$ на
Si(111)
Поверхность, 1983, V., N3, P.82-89
211 Fe?, 01/18/99
Лифшиц В.Г., Чеботкевич Л.А., Нагинов В.А., Воробьев Ю.Д.,
Ветер В.В.
Магнитные характеристики пленок, облученных электронами
ФТТ, 1983, V.24, N9, P.2636-2640
17 Au,111, 11/20/92
Gavriljuk Y.L., Lifshits V.G.
Influence of surface phases on diffusion of gold on silicon
Phys.Chem.Mech.Surf., 1984, V.2, N, P.1091-
140 *,Si, 12/17/98
Kaverina I.G., Korobtsov V.V., Zavodinsky V.G., Zotov A.V.
Solid phase epitaxial growth anisotropy of vacuum-deposited
amorphous silicon
Phys.Stat.Sol.(a), 1984, V.82, N, P.345-353
32 *,N, 03/23/98
Lifshits V.G., Saranin A.A.
Electron irradiation effect on the surface composition of Ar$^+$
ion bombarded Si-nitride and Si-oxinitride
Solid State Commun., 1984, V.50, N10, P.925-928
141 *,Si, 12/17/98
Kaverina I.G., Korobtsov V.V., Lifshits V.G., Zavodinsky V.G.,
Zotov A.V.
The influence of the structure of amorphous silicon deposited in
ultrahigh vacuum on the solid phase epitaxial growth rate
Thin Solid Films, 1984, V.117, N, P.101-106
33 *,N, 03/23/98
Лифшиц В.Г., Котляр В.Г., Саранин А.А.
Формирование пленок нитрида кремния при имплантации ионов азота
в Si(111) по данным ЭОС и спектроскопии ХПЭ
Поверхность, 1984, V., N12, P.76-84
4 *,111,Cr, 11/20/92
Лифшиц В.Г., Плюснин Н.И.
Электронное взаимодействие и силиицидообразование в системе
Cr-(111)Si на начальной стадии роста
Поверхность, 1984, V., N9, P.78-85
150 *,?, 12/17/98
Плюснин Н.И., Лобачев С.А., Галкин Н.Г.
Стабилизированные источники напряжения для анализатора ДМЭ
Приборы и техника эксперимента, 1984, V., N5, P.57-61
7 *,In,111, 11/20/92
Lifshits V.G., Akilov V.B., Churusov B.K., Gavriljuk Y.L.,
Zavodinsky V.G.
The formation of In-Si surface phase
Solid State Commun., 1985, V.55, N8, P.717-720
212 *,Rev, 01/18/99
Лифшиц В.Г.
Электронная спектроскопия и атомные процессы на поверхности
кремния
М.: Наука, 1985, V., N, P.200-
213 *,Cr,100, 01/18/99
Лифшиц В.Г., Воронов А.В., Заводинский В.Г.
Формирование тонких пленок силицида хрома на нагретой подложке
кремния (100)
Физ.Хим.Обраб.Матер., 1985, V., N3, P.111-115
163 *,?, 12/23/98
Nazarov V.U.
Analytical inversion of dielectric matrix of electron gas with
one-dimensional inhomogeneity
Solid State Commun., 1986, V.60, N2, P.115-117
36 *,O, 03/24/98
Lifshits V.G., Kaverina I.G., Korobtsov V.V., Saranin A.A.,
Zotov A.V.
Thermal annealing behavior of Si/SiO$_2$ structures
Thin Solid Films, 1986, V.135, N, P.99-105
34 O,100, 12/28/94
Саранин А.А., Лифшиц В.Г.
Изучение тонких окислов кремния методом электронной
оже-спектроскопии и спектроскопии характеристических потерь
энергии электронов
Поверхность, 1986, V., N2, P.48-56
5 *,111,In, 11/20/92
Акилов В.Б., Заводинский В.Г., Лифшиц В.Г., Чурусов Б.К.
Тонкие пленки In на поверхности Si(111)
Поверхность, 1986, V., N6, P.54-60
35 *,O, 03/23/98
Зотов А.В., Каверина И.Г., Коробцов В.В., Лифшиц В.Г.,
Саранин А.А.
Взаимодействие слоев Si с SiO$_2$ при высокотемпературном
отжиге
Поверхность, 1986, V., N4, P.60-65
19 *,Cr,100, 06/28/93
Заводинский В.Г., Воронов А.В., Лифшиц В.Г.
Формирование тонких пленок CrSi$_2$ при напылении хрома на
нагретую подложку Si(100)
Поверхность, 1986, V., N7, P.63-69
144 *,Si, 12/17/98
Korobtsov V.V., Lifshits V.G., Shengurov V.G., Zotov A.V.
Solid phase epitaxy of doped silicon films in molecular beam
epitaxy system
Phys.Stat.Sol.(a), 1987, V.103, N, P.467-473
11 *,N,O,100,double, 12/28/94
Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Храмцова Е.А.
Исследование адсорбции закиси азота и кислорода на поверхности
Si(100)--$2\times1$ методами ЭОС и СХПЭЭ
Поверхность, 1987, V., N8, P.33-38
3 *,Cr,111, 11/20/92
Галкин Н.Г., Лифшиц В.Г., Плюснин Н.И.
Упорядоченные поверхностные фазы в системе Si(111)-Cr
Поверхность, 1987, V., N12, P.50-58
20 *,Cr,100,Si,double, 06/28/93
Воронов А.В., Гаврилюк Ю.Л., Лифшиц В.Г., Чурусов Б.К.
Диффузионный массоперенос Si на поверхности Si(100) в
присутсвии хрома
Поверхность, 1987, V., N8, P.78-83
1 *,B,111, 11/20/92
Korobtsov V.V., Lifshits V.G., Zotov A.V.
Formation of Si(111)$\sqrt3\times\sqrt3-$B
and Si epitaxy on Si(111)$\sqrt3\times\sqrt3-$B: LEED-AES study
Surf.Sci., 1988, V.195, N3, P.466-474
8 *,In,111, 11/20/92
Бехтерева О.В., Гаврилюк Ю.Л., Лифшиц В.Г., Чурусов Б.К.
Формирование поверхнстных фаз и их проявление в процессах
диффузии и десорбции в системе In-Si
Поверхность, 1988, V., N8, P.54-60
2 *,111,B, 11/20/92
Зотов А.В., Коробцов В.В., Лифшиц В.Г.
Изучение методами электронной оже-спектроскопии и дифракции
медленных электронов эпитаксии Si на Si(111)$-\sqrt3\times
\sqrt3-$B
Поверхность, 1988, V., N8, P.77-83
147 *,Si, 12/17/98
Zotov A.V., Korobtsov V.V.
Present status of solid phase epitaxy of vacuum-deposited
silicon
J.Cryst.Growth, 1989, V.98, N, P.519-530
55 *,Sb,111,100,inter, 02/06/95
Zotov A.V., Saranin A.A., Lifshits V.G., Khramtsova E.A.
Formation of $\delta$-doped layers by solid-phase epitaxy of Si
on surface phases of Si--Sb
Sov.Tech.Phys.Lett., 1989, V.15, N12, P.952-953
204 *,Au,In,Cr,111, 01/18/99
Lifshits V.G., Akilov V.B., Churusov B.K., Gavriljuk Y.L.
The role of surface phases in processes on silicon surfaces
Surf.Sci., 1989, V.222, N, P.21-30
193 ?V, 01/12/99
Добродей Н.В., Кондратенко А.В., Гуцев Г.Л.
Кластерные модели рентгеновских и фотоэлектронных спектров
оксидов ванадия
Ж.Физ.Химии, 1989, V.63, N, P.120-127
194 ?,Ru, 01/12/99
Добродей Н.В., Кондратенко А.В., Гуцев Г.Л.
Неэмпирические кластерные $X_\alpha$-DV модели электронного
строения простых оксидов рутения
Ж.Физ.Химии, 1989, V.63, N, P.128-134
114 *,Sb,111,100,inter, 12/10/98
Зотов А.В., Саранин А.А., Лифшиц В.Г., Храмцова Е.А.
Применение твердофазной эпитаксии Si на поверхностных фазах
Si--Sb для формирования $\delta$-легированных слоев
Письма в ЖТФ, 1989, V.15, N24, P.1-5
21 *,Cr,111, 06/28/93
Плюснин Н.И., Галкин Н.Г., Каменев А.Н., Лифшиц В.Г.,
Лобачев С.А.
Атомное перемешивание на границе раздела Si-Cr и начальные
стадии эпитаксии CrSi$_2$
Поверхность, 1989, V., N9, P.55-61
145 *,Sb, 12/17/98
Зотов А.В., Коробцов В.В., Лифшиц В.Г.
Влияние сурьмы на кинетику твердофазной эпитаксии пленок
кремния, напыленных в вакууме
Поверхность, 1989, V., N10, P.94-99
53 *,N,111, 02/06/95
Lifshits V.G., Saranin A.A., Khramtsova E.A.,
Formation of the Si(111)--$(8\times8)$--N surface structure by
the interaction of the Si(111)--$(7\times7)$ with ammonia
Sov.Tech.Phys.Lett., 1990, V.16, N12, P.945-946
6 *,Sb,111,100,inter, 11/20/92
Zotov A.V., Saranin A.A., Lifshits V.G., Khramtsova E.A.
Solid phase epitaxial growth of Si on Si-Sb surface phases for
the formation of $\delta$-doped layers and
$\delta-i-\delta-i$-superlattices
Surf.Sci., 1990, V.230, N1-3, P.L147-L150
151 *,In,Cr,111, 12/17/98
Gasparov V.A., Grazhulis V.A., Bondarev V.V., Bychkova T.M.,
Lifshits V.G., Churusov B.K., Galkin N.G., Plusnin N.I.
Electrophysical properties of the surface phases of In and Cr
on Si(111)
Vacuum, 1990, V.41, N, P.1207-1210
192 ?, 01/12/99
Добродей Н.В., Кондратенко А.В., Гуцев Г.Л., Кривицкий В.П.
Резонансная эмиссия в $L_{\alpha,\beta}$ спектрах диоксидов
переходных 3$d$ металлов
Ж.Физ.Химии, 1990, V.64, N, P.1604-1610
191 ?, 01/12/99
Добродей Н.В., Кондратенко А.В., Гуцев Г.Л.
Резонансная эмиссия в рентгеновских спектрах моноксидов
переходных 3$d$ металлов
Ж.Физ.Химии, 1990, V.64, N, P.2522-2529
38 *,N,H,111,double, 09/30/93
Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Храмцова Е.А.
Формирование поверхностной структуры Si(111)$8\times8-$N при
взаимодействии Si(111)$7\times7$ с аммиаком
Письма в ЖТФ, 1990, V.16, N24, P.51-54
37 N, 12/28/94
Лифшиц В.Г., Котляр В.Г., Саранин А.А., Храмцова Е.А.
Поведение тонких слоев Si на Si$_3$N$_4$ при термическом
отжиге
Поверхность, 1990, V., N9, P.150-152
13 *,Au,In,111,double, 11/20/92
Бехтерева О.В., Лифшиц В.Г., Чурусов Б.К.
Повеpхностные фазы в системе Si-Au-In
Поверхность, 1990, V., N10, P.32-35
146 *,Si, 12/17/98
Зотов А.В., Коробцов В.В.
Твердофазная эпитаксия пленок кремния, напыленных в вакууме
Поверхность, 1990, V., N12, P.5-16
9 *,In,111, 11/20/92
Заводинский В.Г., Лифшиц В.Г., Гордиенко А.Ф.
Термодинамика субмонослойных покрытий на поверхности кремния
Поверхность, 1990, V., N6, P.80-86
52 *,Fe,111, 02/06/95
Gavriljuk Y.L., Kachanova L.Y., Lifshits V.G.
Thin films of iron on Si(111) and the $\sqrt3\times\sqrt3-R30$
structure
Sov.Tech.Phys.Lett., 1991, V.17, N8, P.593-595
12 *,Fe,111, 11/20/92
Gavriljuk Y.L., Kachanova L.Y., Lifshits V.G.
Thin iron films on Si(111) and formation of a
$(\sqrt3\times\sqrt3)R30$ structure
Surf.Sci., 1991, V.256, N, P.L589-L592
22 *,Al,N,111,double, 11/20/92
Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Храмцова Е.А.
Химические и структурные превращения в системе
Al/Si(111)$-(8\times8)$N
Письма в ЖТФ, 1991, V.17, N22, P.45-50
25 *,Sb,B,111,100,inter, 11/20/92
Zotov A.V., Lifshits V.G.
Si solid phase epitaxy on Si-Sb and Si-B surface phases
J.Cryst.Growth, 1992, V.121, N, P.88-92
54 *,Sb,100,inter, 02/06/95
Zotov A.V., Lifshits V.G., Ryzhkov S.V.
Electrophysical properties of $\delta$-doped Si:Sb superlattices
Sov.Tech.Phys.Lett., 1992, V.18, N3, P.130-132
51 *,Sb,110, 02/06/95
Zotov A.V., Lifshits V.G., Demidchik A.N.
Ordered surface phases in the system Si(110)--Sb
Sov.Tech.Phys.Lett., 1992, V.18, N3, P.187-189
164 *,?, 12/23/98
Nazarov V.U.
Analytical inversion of the dielectric matrix of a metallic
superlattice of varying charge density: the angular dependence
in the long-wave limit
Superlat. & Microstruct., 1992, V.11, N1, P.11-16
29 *,Au,In,111,double, 03/31/93
Bekhtereva O.V., Churusov B.K., Lifshits V.G.
Thin gold and indium films on Si(111) surface
Surf.Sci., 1992, V.273, N1-2, P.L449-L452
24 *,Sb,111,100,inter, 11/20/92
Zotov A.V., Lifshits V.G., Ditina Z.Z., Kalinin P.A.
Formation and electrical characterization of buried Si(111)-Sb
and Si(100)-Sb surface phases
Surf.Sci., 1992, V.273, N, P.L453-L456
26 *,Sb,110, 11/20/92
Zotov A.V., Lifshits V.G., Demidchik A.N.
Ordered surface phases in Sb/Si(110) system
Surf.Sci., 1992, V.274, N3, P.L583-L587
27 *,Al,110, 11/20/92
Zotov A.V., Khramtsova E.A., Lifshits V.G., Kharchenko A.T.,
Ryzhkov S.V., Demidchik A.N.
Growth of extra-thin ordered aluminum films on Si(110) surfaces
Surf.Sci., 1992, V.277, N1-2, P.L77-L83
203 *,Sb, 01/15/99
Зотов А.В., Лифшиц В.Г., Рыжков С.В.
Электрофизические свойства дельта-легированных сверхрешеток
Si:Sb
Письма в ЖТФ, 1992, V.18, N5, P.4-8
23 *,Sb,110, 11/20/92
Зотов А.В., Лифшиц В.Г., Демидчик А.Н.
Упорядоченные поверхностные фазы в системе Si(110)-Sb
Письма в ЖТФ, 1992, V.18, N6, P.50-53
173 *,Cr,111, 12/25/98
Лобачев С.А., Плюснин Н.И.
Твердофазная эпитаксия силицидов при импульсном лазерном отжиге
сверхтонких пленок хрома на Si(111)
Поверхность, 1992, V., N5, P.59-62
189 ?, 01/12/99
Dobrodey N.V., Kondratenko A.V., Gutsev G.L., Krivitsky V.P.,
Nosatchov Yu.A.
Resonant emission in the X-ray spectra. I. Transition 3$d$
metal dioxides
Physica Scripta, 1993, V.47, N, P.289-295
190 ?, 01/12/99
Dobrodey N.V., Kondratenko A.V., Gutsev G.L.
Resonant emission in the X-ray spectra. II. Transition 3$d$
metal monoxides
Physica Scripta, 1993, V.47, N, P.296-301
205 *,In,111, 01/18/99
Gasparov V.A., Grazhulis V.A., Bondarev V.V., Bychkova T.M.,
Lifshits V.G., Churusov B.K.
Electrophysical properties of surface phases of In on Si(111)
Solid State Commun., 1993, V.88, N1, P.51-55
56 *,Al,110, 02/06/95
Zotov A.V., Khramtsova E.A., Lifshits V.G., Kharchenko A.T.,
Ryzhkov S.V., Demidchik A.N.
Growth of ultrathin aluminum films on Si(110)
Sov.Tech.Phys.Lett., 1993, V.19, N6, P.360-362
28 *,N,H,111,double, 02/11/93
Khramtsova E.A., Saranin A.A., Lifshits V.G.
Formation of the Si(111)$8\times8-$N structure by reaction of
NH$_3$ with a Si(111) surface
Surf.Sci., 1993, V.280, N1-2, P.L259-L262
152 *,Cr,111, 12/18/98
Gasparov V.A., Grazhulis V.A., Bondarev V.V., Bychkova T.M.,
Lifshits V.G., Galkin N.G., Plusnin N.I.
Electron transport in the Si(111)-Cr($3\times3)/R30^\circ-%
\alpha$Si surface phase and in epitaxial films of CrSi,
CrSi$_2$ on Si(111)
Surf.Sci., 1993, V.292, N3, P.298-304
41 *,Al,N,111,double, 01/13/94
Khramtsova E.A., Saranin A.A., Lifshits V.G.
Chemical and structural transformations in the
Al/Si(111)8$\times$8--N system
Surf.Sci., 1993, V.295, N3, P.319-324
40 *,B,Al,110,double, 11/03/93
Zotov A.V., Ryzhkov S.V., Lifshits V.G.
Formation of ordered surface phases in submonolayer
B/Si(110) and (Al, B)/Si(110) systems
Surf.Sci., 1993, V.295, N1-2, P.L1005-L1010
39 *,N,H,Al,Ag,111,double, 01/13/94
Saranin A.A., Khramtsova E.A., Lifshits V.G.
Effect of NH$_{3}$ adsorption on the atomic structure
of Si(111)3$\times$3-Al andSi(111)3$\times$3-Ag
surfaces
Surf.Sci., 1993, V.296, N2, P.L21-L27
45 *,Au,Ag,111,double, 01/20/94
Gavriljuk Y.L., Lifshits V.G., Enebish N.
Coadsorption of Au and Ag atoms on the Si(111) surface
Surf.Sci., 1993, V.297, N, P.345-352
46 *,Ag,H,111,double, 01/20/94
Saranin A.A., Khramtsova E.A., Lifshits V.G.
Agglomeration of submonolayer Ag films on Si(111) induced by
the interaction with atomic hydrogen
Surf.Sci., 1993, V.297, N, P.353-358
115 *,N,H,100,double, 12/10/98
Тарасова О.Л., Котляр В.Г., Саранин А.А., Храмцова Е.А.,
Лифшиц В.Г.
Электронно-стимулированная нитридизация Si(100) в атмосфере
аммиака
ЖТФ, 1993, V.63, N11, P.154-163
18 *,Al,110, 02/19/98
Зотов А.В., Храмцова Е.А., Лифшиц В.Г., Харченко А.Т.,
Рыжков С.В., Демидчик А.Н.
Рост сверхтонких пленок Al на поверхности Si(110)
Письма в ЖТФ, 1993, V.19, N12, P.14-17
50 *,Al,111, 02/19/98
Khramtsova E.A., Zotov A.V., Saranin A.A.,
Ryzhkov S.V., Chub A.B., Lifshits V.G.
Growth of extra-thin ordered aluminum films on Si(111)
surface
Appl.Surf.Sci., 1994, V.82-83, N1-4, P.576-582
187 ?, 01/12/99
Scheka O.L., Dobrodey N.V., Emelina T.B.
Quantum chemical study of catalysts based on oxides of
transition metals
Int.J.Quant.Chem., 1994, V.50, N, P.181-188
215 Ga,Bi,InSb, 01/18/99
Hayakawa Y., Ando M., Matsuyama T., Hamakawa E., Koyama T.,
Adachi S., Takahashi K., Lifshits V.G., Kumagawa M.
Diffusion of both Ga and Bi into InSb seeds during growth of
InGaSbBi
J.Appl.Phys., 1994, V.76, N, P.858-864
31 *,Rev, 11/28/94
Lifshits V.G., Saranin A.A., Zotov A.V.
Surface Phases on Silicon
John Wiley & Sons, Chichester,, 1994, V., N, P.448-
64 *,Al,Sb,B,110,double, 04/05/96
Lifshits V.G., Zotov A.V., Ryzhkov S.V.
Surface reconstructions on Si(110) surface induced by
adsorption and coadsorption of Al, Sb and B.
Phys.Low-Dim.Struct., 1994, V.4-5, N, P.133-142
206 *,Au,In,Ag,111,double, 01/18/99
Gavriljuk Y.L., Churusov B.K., Lifshits V.G., Enebish N.
Three-component surface phases in (Au,In)/Si(111) and
(Au,Ag)/Si(111) systems
Phys.Low-Dim.Struct., 1994, V.4-5, N, P.157-166
42 *,Ag,Al,H,111,double, 12/28/94
Saranin A.A., Khramtsova E.A., Lifshits V.G.
Interaction of atomic hidrogen with Si(111)$\sqrt3\times\sqrt3$
--Ag and Si(111)$\sqrt3\times\sqrt3$--Al surfaces: LEED and AES
results
Phys.Low-Dim.Struct., 1994, V.6, N, P.55-68
69 *,B,111, 05/05/96
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Electronic states and tunnel current in the
W/Si(111)$\sqrt3\times\sqrt3$-B system: Local density cluster
calculations
Phys.Low-Dim.Struct., 1994, V.6, N, P.93-100
165 *,?, 12/23/98
Nazarov V.U.
Surface energy loss function of semi-infinite spatially
dispersive solid
Phys.Rev.B, 1994, V.49, N, P.10663-10667
186 ?, 01/12/99
Borovskoi E.M., Kondratenko A.V., Dobrodey N.V., Anisimov V.I.
X-ray spectra of transition $nd$ metal oxides: Role of inner
atomic $ns-$, $np-$ states
Phys.Rev.B, 1994, V.49, N, P.14147-14152
166 *,?, 12/23/98
Nazarov V.U.
Bulk and surface dielectric response of a superlattice with
arbitrary varying dielectric function: A general analytical
solution in local theory in long-wave limit
Phys.Rev.B, 1994, V.49, N, P.17342-17350
167 *,C, 12/23/98
Nazarov V.U., Karpinskaya N.S.
Surface dielectric response of uniaxial crystals: Application
to graphite
Phys.Rev.B, 1994, V.50, N, P.11151-11155
176 *,O,?, 01/11/99
Dobrodey N.V., Luniakov Yu.V.
Intensities of electric quadrupole transitions in the X-ray
spectra of transition 3d-metal oxides
Physica Scripta, 1994, V.50, N, P.19-24
142 *,Au,111, 12/17/98
Dobrodey N.V., Ziegelman L.L., Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Nonempirical cluster study of the Au adsorption on the Si(111)
surface
Surf.Rev.Lett., 1994, V.1, N2-3, P.273-284
198 *,Al,Sb,100,110,double, 01/15/99
Zotov A.V., Ryzhkov S.V., Lifshits V.G., Duchinsky V.G.
LEED-AES study of surface structures formed at coadsorption of
Al and Sb on (100), (111) and (110) Si surface
Surf.Rev.Lett., 1994, V.1, N2-3, P.285-293
44 *,Al,H,111,double, 01/20/94
Saranin A.A., Khramtsova E.A., Lifshits V.G.
Interaction of the atomic hydrogen with
Si(111)$\sqrt3\times \sqrt3$-Al surface: LEED and AES results
Surf.Sci., 1994, V.302, N1-2, P.57-63
48 *,N,100, 06/16/94
Tarasova O.L., Kotlyar V.G., Saranin A.A.,
Khramtsova E.A., Lifshits V.G.
Electron-stimulated nitridation of Si(100) in pure
ammonia
Surf.Sci., 1994, V.310, N1-3, P.209-216
49 *,Al,111, 11/02/94
Zotov A.V., Khramtsova E.A., Ryzhkov S.V.,
Saranin A.A., Chub A.B., Lifshits V.G.
LEED-AES reexamination of the Al/Si(111)
``$\gamma$-phase''
Surf.Sci., 1994, V.316, N1-2, P.L1034-L1038
43 *,Sb,100,inter, 11/24/94
Eisele I., Wittmann F., Lifshits V.G., Zotov A.V.,
Ditina Z.Z., Ryzhkov S.V.
Transport properties of delta-doped Si:Sb superlattices
Thin Solid Films, 1994, V.238, N1, P.27-30
188 Pt, 01/12/99
Щека О.Л., Кондриков Н.Б., Добродей Н.В., Вовна В.И.,
Емелина Т.Б.
Химический состав и электронное строение платины, окисленной
в условиях электросинтеза перкомпаунд-соединений
Ж.Физ.Химии, 1994, V.68, N, P.296-300
199 *,B,Al,110,double, 01/15/99
Зотов А.В., Рыжков С.В., Лифшиц В.Г.
Поверхностные структуры в субмонослойных системах B/Si(110) и
(Al,B)/Si(110)
Кристаллография, 1994, V.39, N3, P.526-529
200 *,Al,Sb,100, 01/15/99
Зотов А.В., Рыжков С.В., Лифшиц В.Г.
Формирование субмонослойных пленок (Al,Sb) на поверхности
Si(100)
Поверхность, 1994, V., N8-9, P.18-24
216 *,Au,Ag,111,double, 01/18/99
Гаврилюк Ю.Л., Лифшиц В.Г., Энебиш Н.
Субмонослойные пленки Au-Ag на поверхности Si(111)
Поверхность, 1994, V., N5, P.42-48
217 *,Fe, 01/18/99
Чеботкевич Л.А., Гаврилюк Ю.Л., Лифшиц В.Г., Яловкина С.В.
Состав и коэрцитивная сила многослойных пленок
(FeSi$_x$/Si)$_n$
ФММ, 1994, V.77, N3, P.50-54
60 *,Al,B,111,100,inter, 09/20/95
Zotov A.V., Wittmann F., Lechner J., Eisele I., Ryzhkov S.V.,
Lifshits V.G.
Electrical properties of surface phases on silicon capped by
amorphous Si layers
Appl.Phys.Lett., 1995, V.67, N5, P.611-613
197 *,Si, 01/13/99
Yamaguchi T., Kaneko Y., Jayatissa A.H., Aoyama M., Zotov A.V.,
Lifshits V.G.
Empirical dielectric function of amorphous materials for
spectroscopic ellipsometry
J.Appl.Phys., 1995, V.77, N9, P.4673-4676
62 *,Al,Sb,B,111,100,inter, 02/06/96
Zotov A.V., Wittmann F., Lechner J., Ryzhkov S.V.,
Lifshits V.G., Eisele I.
Formation of buried a-Si/Al/Si, a-Si/Sb/Si and a-Si/B/Si
interfaces and their electrical properties
J.Cryst.Growth, 1995, V.157, N, P.344-348
66 *,Rev,double, 04/05/96
Gavriljuk Y.L., Khramtsova E.A., Lifshits V.G., Saranin A.A.,
Zotov A.V.
Coadsorption and three-component surface phases formation on
silicon surface.
Phys.Low-Dim.Struct., 1995, V.10-11, N, P.303-316
65 *,In,H,111,double, 04/05/96
Saranin A.A., Khramtsova E.A., Ignatovich K.V., Lifshits V.G.
Structural transformations in the Si(111)/In/H system.
Phys.Low-Dim.Struct., 1995, V.10-11, N, P.397-406
68 *,Al,111, 05/05/96
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Electronic structure and the tunnel current in Al/Si
nanoscale systems: local density cluster calculations
Phys.Low-Dim.Struct., 1995, V.4-5, N, P.71-80
116 *,Al, 12/10/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Electronic structure of aluminium-silicon quantum wires
Phys.Low-Dim.Struct., 1995, V.7, N, P.89-94
177 *,O,?, 01/11/99
Dobrodey N.V., Luniakov Yu.V.
Electric quadrupole transitions in the X-ray spectra: transition
3d-metal oxides
Phys.Rev.A, 1995, V.51, N6, P.1057-1062
169 *,?, 12/23/98
Nazarov V.U., Luniakov Yu.V.
Indirect bulk plasmon generation by electrons reflected above
the solid surface
Phys.Rev.B, 1995, V.52, N16, P.12414-12418
143 *,Si, 12/17/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Influence of tip/sample interaction on scanning tunneling
spectroscopy data
Surf.Rev.Lett., 1995, V.2, N2, P.219-223
63 *,Cr,111, 04/05/96
Plusnin N.I., Galkin N.G., Lifshits V.G., Lobachev S.A.
Formation of interfaces and templates in the Si(111)-Cr
system
Surf.Rev.Lett., 1995, V.2, N4, P.439-449
57 *,Al,Sb,Si,111,100, 07/17/95
Zotov A.V., Ryzhkov S.V., Lifshits V.G.
Stability of surface reconstructions on silicon during
RT deposition of Si submonolayers
Surf.Sci., 1995, V.328, N1-2, P.95-104
168 *,?, 12/23/98
Nazarov V.U.
Analytical properties of dielectric response of semi-infinite
systems and the surface electron-energy loss function
Surf.Sci., 1995, V.331-333, N, P.1157-1162
58 *,N,H,110,double, 12/13/95
Saranin A.A., Tarasova O.L., Kotlyar V.G.,
Khramtsova E.A., Lifshits V.G.
Thermal nitridation of the Si(110) by NH$_{3}$: LEED
and AES study
Surf.Sci., 1995, V.331-333, N1, P.458-463
59 *,Al,Au,111,double, 02/23/96
Khramtsova E.A., Saranin A.A., Chub A.B.,
Lifshits V.G.
Al and Au binary surface phases on the Si(111) surface
Surf.Sci., 1995, V.331-333, N1, P.594-599
117 *,Al, 12/10/98
Заводинский В.Г., Куянов И.А.
Влияние атомов легирующих примесей (P,B) на электронную
структуру наносистем Al-Si: кластерный подход
Микроэлектроника, 1995, V.24, N6, P.456-459
47 *,N,H,110,double, 03/09/94
Саранин А.А., Тарасова О.Л., Котляр В.Г., Храмцова Е.А.,
Лифшиц В.Г.
Термическая нитридизация Si(110) в атмосфере аммиака
Письма в ЖТФ, 1995, V.21, N4, P.11-20
195 *,B,Si,100, 01/13/99
Zhang Z., Kulakov M.A., Bullemer B., Eisele I., Zotov A.V.
Epitaxial growth of ultrathin Si caps on Si(100):B surface
studied by scanning tunneling microscopy
Appl.Phys.Lett., 1996, V.69, N4, P.494-496
74 *,B,100, 01/21/97
Kulakov M.A., Zhang Z., Zotov A.V.,
Bullemer B., Eisele I.
Structure of the B/Si(100) surface at low
boron coverage studied by scanning tunneling
microscopy
Appl.Surf.Sci., 1996, V.103, N4, P.443-449
124 *,Al,O,Si,double, 12/15/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Computer study of the electronic structure of the nanoscale
Al/SiO$_2$/Si system
Computat.Mater.Science, 1996, V.6, N, P.240-244
196 *,B,Si,100, 01/13/99
Zhang Z., Kulakov M.A., Bullemer B., Eisele I., Zotov A.V.
B/Si(100) surface: Atomic structure and epitaxial Si
overgrowth
J.Vac.Sci.Technol.B, 1996, V.14, N4, P.2684-2689
123 *,Si,O, 12/10/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Nanoscale SiO$_2$ particles placed upon the crystalline silicon
Japan J.Appl.Phys., 1996, V.35, N, P.4285-4290
122 *,Si, 12/10/98
Zavodinsky V.G.
Cluster simulation of solid-state one-dimensional systems
Phys.Low-Dim.Struct., 1996, V.1-2, N, P.121-128
121 *,O,Si, 12/10/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Nanoscale Si-O rings as models of amorphous silica
Phys.Low-Dim.Struct., 1996, V.1-2, N, P.61-68
67 *,In,Sb,111,double, 04/22/96
Ryzhkov S.V., Lifshits V.G., Azatyan S.G., Zotov A.V.,
Hayakawa Y., Kumagawa M.
LEED-AES study of submonolayer InSb/Si(111) interface
formation.
Phys.Low-Dim.Struct., 1996, V.1-2, N, P.99-106
120 *,Ni,111,double, 12/10/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Effects of the interface structure on the Schottky barrier
height in the NiSi$_2$/Si(111) system
Phys.Low-Dim.Struct., 1996, V.4-5, N, P.57-64
227 *,Co,Ti,Mo, 01/21/99
Chebotkevich L.A., Vorobyev Yu.D., Ilyin E.V., Azatyan S.G.,
Pisarenko I.V., Slabzhennikova I.M., Kuznetsova S.V.
Influence of interlayers on structure formation and magnetic
parameters of multilayered Co-Ti/Mo and Co-Ti/Cu films
Phys.Low-Dim.Struct., 1996, V.7-8, N, P.33-40
128 *,Si, 12/15/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Nanoscale effects in electronic structure of the doped silicon
Phys.Low-Dim.Struct., 1996, V.9-10, N, P.45-54
72 *,B,111,Si,double,inter, 08/27/96
Zotov A.V., Kulakov M.A., Bullemer B., Eisele I.
Scanning tunneling microscopy study of a Si growth on a
Si(111)$\sqrt3\times\sqrt3$--B surface
Phys.Rev.B, 1996, V.53, N19, P.12902-12906
118 *,Si, 12/10/98
Zavodinsky V.G.
Effects of electrically active impurities on the bond energy in
silicon: \it{Ab initio} local energy cluster study
Phys.Rev.B, 1996, V.53, N, P.9521-9523
185 ?, 01/11/99
Dobrodey N.V., Cederbaum L.S., Tarantelli F.
Core-hole screening in chemisorption systems: Role of
metal-adsorbate $\pi\rightarrow\pi^*$ charge transfer
Phys.Rev.B, 1996, V.54, N, P.10405-10408
119 *,Si, 12/10/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Local density approximation study of p-Si/n-Si nanoscale
junctions
Superlat. & Microstruct., 1996, V.20, N2, P.187-192
125 *,O,Si,double, 12/15/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Electronic structure of the crystalline silicon/n-fold
SiO$_2$ ring interface
Surf.Rev.Lett., 1996, V.3, N, P.1403-1407
61 *,B,111, 04/05/96
Zotov A.V., Kulakov M.A., Ryzhkov S.V., Saranin A.A.,
Lifshits V.G., Bullemer B., Eisele I.
Structural defects of the Si(111)$\sqrt3\times\sqrt3-$B surface
studied by scanning tunneling microscopy
Surf.Sci., 1996, V.345, N3, P.313-319
71 *,B,inter,111, 08/27/96
Zotov A.V., Kulakov M.A., Ryzhkov S.V.,
Lifshits V.G., Bullemer B., Eisele I.
Si overgrowth on Si(111)$\sqrt3\times\sqrt3$--B surface phase
Surf.Sci., 1996, V.352-354, N, P.358-363
75 *,Al,H,111,110,double, 02/27/97
Khramtsova E.A., Saranin A.A., Ignatovich K.V.,
Lifshits V.G.
Comparative study of the atomic hydrogen interaction
with Si(110)``4$\times$6''-Al and
Si(111)$\sqrt3$$\times$$\sqrt3$--Al surfaces
Surf.Sci., 1996, V.366, N3, P.501-507
73 *,Cr,111, 10/29/96
Galkin N.G., Velichko T.V., Skripka S.V.,
Khrustalev A.B.
Semiconducting and structural properties of
CrSi$_{2}$ A-type epitaxial films on Si(111)
Thin Solid Films, 1996, V.280, N1-2, P.211-220
126 *,Au, 12/15/98
Заводинский В.Г., Куянов И.А.
Кластерное моделирование системы золото (пленка) /кремний
(монокристалл)
Докл.АН, 1996, V.350, N2, P.184-186
148 *,111, 12/17/98
Коробцов В.В., Фидянин О.Н., Шапоренко А.П., Балашев В.В.
Влияние способа химической обработки на смачмваемость
поверхности Si(111)
ЖТФ, 1996, V.66, N12, P.134-137
153 *,Cr,111, 12/18/98
Галкин Н.Г., Величко Т.В., Скрипка С.В., Хрусталев А.Б.
Эпитаксиальные пленки CrSi$_2$ А-типа на Si(111): структура и
электрические свойства
Микроэлектроника, 1996, V.25, N3, P.216-220
127 *,Al, 12/15/98
Заводинский В.Г., Куянов И.А.
Влияние примесей в приграничном слое кремния на величину
барьера Шоттки в эпитаксиальной системе Al/\it{n}-Si
Поверхность, 1996, V., N11, P.51-55
214 *,Ag,In,111,double, 01/18/99
Гаврилюк Ю.Л., Лифшиц В.Г., Азатьян С.Г., Энебиш Н.
Процессы совместной адсорбции атомов Ag и In на поверхности
Si(111)
Поверхность, 1996, V., N10, P.6-15
70 *,Cr,111, 05/05/96
Плюснин Н.И., Миленин А.П.
Механизм атомного перемешивания при формировании границы
раздела переходного металла с кремнием.
Поверхность, 1996, V., N2, P.64-74
218 *,Fe, 01/19/99
Чеботкевич Л.А., Гаврилюк Ю.Л., Кузнецова С.В., Лифшиц В.Г.
Магнитные свойства модулированных Fe/Mo пленок
ФТТ, 1996, V.38, N1, P.313-316
77 *,In,H,111,double, 07/02/97
Saranin A.A., Numata T., Kubo O., Katayama M.,
Katayama I., Oura K.
STM observation of the atomic hydrogen adsorption
on the Si(111)4$\times$1-In surface
Appl.Surf.Sci., 1997, V.113-114, N1, P.354-359
78 *,In,H,111,double, 07/17/97
Saranin A.A., Khramtsova E.A.,
Ignatovich K.V., Lifshits V.G.
4$\times$1-Si substrate atoms reconstruction
in the Si(111)4$\times$1-In structure
Appl.Surf.Sci., 1997, V.113-114, N1, P.440-444
89 *,In,111, 04/13/98
Saranin A.A., Numata T., Kubo O., Katayama M., Oura K.
Structural transformations of the Si(111)2$\times$2-In surface
induced by STM tip and thermal annealing
Appl.Surf.Sci., 1997, V.121-122, N1, P.183-186
129 *,Au, 12/15/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Schottky barrier formation in a Au/Si nanoscale system: A local
density approximation study
J.Appl.Phys., 1997, V.81, N6, P.2715-2719
130 *,Al,Si, 12/15/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Electronic structure of the nanoscale Al/SiO$_2$/Si system
J.Vac.Sci.Technol.B, 1997, V.15, N1, P.21-24
82 *,STM,In,111, 10/25/97
Saranin A.A., Numata T., Kubo O., Tani H., Katayama M.,
Oura K.
Si(111)2$\times$2-In $\leftrightarrow$ Si(111)$\sqrt3$$\times$%
$\sqrt3$-In scanning tunneling microscope tip-induced
structural transformation
Japan J.Appl.Phys., 1997, V.36, N6B, P.3814-3817
14 *,Rev,In,Au,Cr,B,111,100, 04/24/97
Lifshits V.G., Gavriljuk Y.L., Zotov A.V., Tsukanov D.A.
Si Surface Phases: Formation, Role in Processes and Properties
Phys.Low-Dim.Struct., 1997, V.1-2, N, P.131-138
10 *,In,111, 08/23/95
Saranin A.A., Zotov A.V., Numata T., Kubo O., Ignatovich K.V.,
Lifshits V.G., Katayama M., Oura K.
Atomic structure of the metastable Si(111)2$\times$2-In Surface
Phase
Phys.Low-Dim.Struct., 1997, V.1-2, N, P.69-76
83 *,Cr,111, 12/23/97
Plusnin N.I., Milenin A.P., Velichko T.V., Soldatov V.U.
Schottky barrier in contacts of ($\sqrt3\times\sqrt3)%
R30^\circ$-Cr surface structures and CrSi$_2$(001) epitaxial
films with the Si(111) substrate
Phys.Low-Dim.Struct., 1997, V.5-6, N, P.1-12
85 *,Al,111, 12/23/97
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A., Zavodinskaya O.M.
Monolayers of Al on the Si(111) surface: Atomic and electronic
structure
Phys.Low-Dim.Struct., 1997, V.5-6, N, P.123-130
84 *,Cr,111,Si,inter, 12/23/97
Plusnin N.I., Milenin A.P., Soldatov V.U., Lifshits V.G.
Formation of CrSi$_2$(0001)-${\alpha}$Si interface
Phys.Low-Dim.Struct., 1997, V.5-6, N, P.63-74
80 *,Si,111, 10/03/97
Plusnin N.I.
Evolution of EELS and AES during formation of the
Si(111)7$\times$7/$a$-Si interface
Phys.Low-Dim.Struct., 1997, V.8-9, N, P.51-61
107 *,In,111, 12/08/98
Saranin A.A., Khramtsova E.A., Ignatovich K.V., Lifshits V.G.,
Numata T., Kubo O., Katayama M., Katayama I., Oura K.
Indium-induced Si(111)4$\times$1 substrate atom reconstruction
Phys.Rev.B, 1997, V.55, N8, P.5353-5359
81 *,In,111, 10/07/97
Saranin A.A., Zotov A.V., Ignatovich K.V., Lifshits V.G.,
Numata T., Kubo O., Tani H., Katayama M., Oura K.
Structural model for the Si(111)-4$\times$1-In reconstruction
Phys.Rev.B, 1997, V.56, N3, P.1017-1020
171 *,?, 12/23/98
Nazarov V.U.
Surface dielectric response: Exact solution in the
semi-classical infinite barrier model with diffuse scattering
Phys.Rev.B, 1997, V.56, N4, P.2198-2207
76 *,STM,In,111, 03/13/98
Saranin A.A., Numata T., Kubo O., Tani H., Katayama M.,
Lifshits V.G., Oura K.
STM tip-induced diffusion of In atoms on the
Si(111)$\sqrt3\times\sqrt3$--In surface
Phys.Rev.B, 1997, V.56, N12, P.7449-7454
219 *, Ag,In,111,double 01/19/99
Gavriljuk Y.L., Lifshits V.G., Bekhtereva O.V., Azatyan S.G.,
Enebish N.
Coadsorption of Ag and In atoms on the Si(111) surface
Surf.Sci., 1997, V.373, N2-3, P.173-180
184 ?, 01/11/99
Dobrodey N.V., Cederbaum L.S., Tarantelli F.
On core-hole screening in chemisorption systems
Surf.Sci., 1997, V.377-379, N, P.623-628
220 *,Mn,111, 01/19/99
Shivaprasad S.M., Anandan C., Azatyan S.G., Gavriljuk Y.L.,
Lifshits V.G.
The formation of Mn/Si(111) interface at room and high
temperatures
Surf.Sci., 1997, V.382, N, P.258-265
79 *,In,111, 11/29/97
Saranin A.A., Zotov A.V., Numata T., Kubo O.,
Ignatovich K.V., Lifshits V.G., Katayama M., Oura K.
Structural transformations at room temperature
adsorption of In on Si(111)$\sqrt3\times\sqrt3$--In
surface: LEED--AES--STM study
Surf.Sci., 1997, V.388, N1-3, P.299-307
86 *,In,100, 04/13/98
Zotov A.V., Saranin A.A., Ignatovich K.V.,
Lifshits V.G., Katayama M., Oura K.
Si(100)4$\times$3-In surface phase: identification
of silicon substrate atom reconstruction
Surf.Sci., 1997, V.391, N1-3, P.L1188-L1193
87 Cr,111, 12/26/97
Galkin N.G., Maslov A.M., Konchenko A.V.
Optical and photospectral properties of CrSi$_{2}$
A-type epitaxial films on Si(111)
Thin Solid Films, 1997, V.311, N1-2, P.230-238
170 *,?, 12/23/98
Nazarov V.U.
exact surface-plasmon dispersion relation for spatially
dispersive solid with an abrupt surface
Vacuum, 1997, V.48, N3-4, P.249-251
131 *,Al,111, 12/15/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Influence of P, As and Ga doping on electronic structure of
Al/Si(111) interface
Vacuum, 1997, V.48, N, P.261-263
174 *,Si, 01/11/99
Плюснин Н.И.
Оже-эмиссия из поперечно-неоднородного приповерхностного слоя
Письма в ЖТФ, 1997, V.22, N19, P.79-83
175 *,Si, 01/11/99
Плюснин Н.И., Миленин А.П.
Кинетический механизм формирования границы раздела
металл-полупроводник
Поверхность, 1997, V., N3, P.36-44
154 *,Cr, 12/18/98
Галкин Н.Г., Конченко А.В., Маслов А.М.
Собственная фотопроводимость в тонких эпитаксиальных пленках
дисилицида хрома
Физика и техника полупр., 1997, V.31, N8, P.969-972
104 *,H,111, 12/04/98
Katayama M., Numata T., Kubo O., Tani H., Saranin A.A., Oura K.
STM observation of the atomic hydrogen interaction with the
Si(111)$\sqrt31\times\sqrt31$--In surface
Appl.Phys.A, 1998, V.66, N, P.S985-S988
94 *,In,H,111,double, 10/06/98
Katayama M., Numata T., Kubo O., Tani H., Saranin A.A.,
Zotov A.V., Oura K.
Atomic-hydrogen-induced self-organization processes of the
In/Si(111) surface phases studied by scanning tunneling
microscopy
Appl.Surf.Sci., 1998, V.130-132, N1-4, P.765-770
95 *,In,111, 10/06/98
Saranin A.A., Zotov A.V., Ignatovich K.V., Lifshits V.G.,
Numata T., Kubo O., Tani H., Katayama M., Oura K.
New structural model for the Si(111)4$\times$1-In reconstruction
Appl.Surf.Sci., 1998, V.130-132, N1-4, P.96-100
133 *,Al,Si,100, 12/15/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Cluster simulation of Al and Si deposited layers on
Si(100)-2$\times$1 surface
Computat.Mater.Science, 1998, V.11, N, P.138-143
228 *,B,P,100, 02/04/99
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A., Chukurov E.N.
Computer study of boron and phosphorus at the Si(100)-2$\times$1
surface
Eur.Phys.J.B, 1998, V.6, N, P.273-276
91 *,B,Ge,111,100,inter,double, 05/29/98
Zotov A.V., Lifshits V.G., Rupp T., Eisele I.
Electrical properties of buried B/Si surface phases
J.Appl.Phys., 1998, V.83, N11, P.5865-5869
181 ?, 01/11/99
Dobrodey N.V., Cederbaum L.S., Tarantelli F.
Theoretical evidences for delocalized inequivalent core holes
J.Phys.Chem.A, 1998, V.102, N, P.9405-9409
101 *,In,Sb,H,111,100,double, 10/26/98
Katayama M., Ryu J.-T., Kubo O., Saranin A.A., Zotov A.V.,
Oura K.
Atomic-hydrogen-induced self-organization processes of
metal/Si surface phases
J.Surf.Sci.Soc.Japan, 1998, V.19, N9, P.579-587
106 *,H,100, 12/07/98
Ryu J.-T., Kubo O., Tani H., Harada T., Katayama M.,
Saranin A.A., Zotov A.V., Oura K.
Atomic hydrogen interaction with Si(100)4$\times$3--In surface
Japan J.Appl.Phys., 1998, V.37, N6B, P.3774-3777
232 *,Cr, 03/30/99
Galkin N.G., Maslov A.M.
Optical functions of chromium disilicide epitaxial films in the
0.35-6.2 eV energy range: the semiempirical simulation
Optics and Spectroscopy, 1998, V.85, N5, P.726-731
231 *,Cr, 03/30/99
Galkin N.G., Maslov A.M., Konchenko A.V., Kaverina I.G.,
Gural'nik A.S.
Optical functions of chromium disilicide epitaxial films in the
energy range of 0.087-6.2 eV: calculation based on the
optical-spectroscopy data
Optics and Spectroscopy, 1998, V.95, N4, P.601-606
108 *,In,100,111, 03/01/99
Saranin A.A., Zotov A.V., Lifshits V.G., Katayama M., Oura K.
Recent development of STM for the determination of the
metal/silicon surface phase composition
Phys.Low-Dim.Struct., 1998, V.11-12, N, P.65-84
92 *,Si,111, 07/03/98
Korobtsov V.V., Lifshits V.G., Shaporenko A.P., Fidjanin O.N.,
Balashev V.V.
Recovery of Si(111) surface after Si growth interruption
Phys.Low-Dim.Struct., 1998, V.3-4, N, P.175-182
93 *,B,111, 07/03/98
Zavodinsky V.G., Chukurov E.N., Kuyanov I.A.
Computer study of the B-Si exchange in the
Si(111)$\sqrt3\times\sqrt3$-B surface phase
Phys.Low-Dim.Struct., 1998, V.3-4, N, P.183-190
97 *,Au,Na,100, 10/06/98
Ryzhkov S.V., Tsukanov D.A., Lifshits V.G.
Surface conductivity of ultra-thin Na and Au films on Si(100)
Phys.Low-Dim.Struct., 1998, V.7-8, N, P.1-6
96 *,Na,100, 10/06/98
Ryzhkov S.V., Tsukanov D.A., Gruznev D.V., Lifshits V.G.
Study of electrical properties of ultra-thin Na films on Si(100)
Phys.Low-Dim.Struct., 1998, V.7-8, N, P.109-116
134 *,Si, 12/15/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A., Zavodinskaya O.M.
Computer modeling of nanoscale silica particles
Phys.Low-Dim.Struct., 1998, V.7-8, N, P.43-56
201 Na,100, 01/15/99
Ryzhkov S.V., Tsukanov D.A., Gruznev D.V., Lifshits V.G.
Study of electrical properties of ultra-thin Na films on Si(100)
Phys.Low-Dim.Struct., 1998, V.7-8, N, P.7-16
102 *,B,P,100, 11/16/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A., Chukurov E.N.
Energetics of boron and phosphorus as substitutional dopants at
the Si(100)-2$\times$1 surface
Phys.Low-Dim.Struct., 1998, V.9-10, N, P.127-132
178 C,O, 01/11/99
Dobrodey N.V., K\"{o}ppel H., Cederbaum L.S.
The vibrational structure of the O1s ionization spectrum of
CO$_2$: a thorough analysis
Phys.Rev.A, 1998, V.submit, N, P.-
90 *,In,100, 05/18/98
Zotov A.V., Saranin A.A., Lifshits V.G., Ryu J.-T., Kubo O.,
Tani H., Katayama M., Oura K.
Structural model for the Si(100)4$\times$3-In surface phase
Phys.Rev.B, 1998, V.57, N19, P.12492-12496
182 ?, 01/11/99
Dobrodey N.V., Cederbaum L.S., Tarantelli F.
Dynamical core-hole screening in weak chemisorption systems
Phys.Rev.B, 1998, V.57, N, P.7340-7351
180 ?, 01/11/99
Dobrodey N.V., Cederbaum L.S., Tarantelli F.
Partial localization of core holes in nonsymmetrical systems
Phys.Rev.B, 1998, V.58, N, P.2316-2323
99 *,Na,111, 10/14/98
Saranin A.A., Zotov A.V., Lifshits V.G., Ryu J.-T., Kubo O.,
Tani H., Katayama M., Oura K.
Reexamination of the Si(111)3$\times$1-Na reconstruction on
the basis of Si atom density and unit cluster determination
Phys.Rev.B, 1998, V.58, N7, P.3545-3548
109 *,Na,100, 12/08/98
Saranin A.A., Zotov A.V., Ryzhkov S.V., Tsukanov D., Lifshits V.G.,
Ryu J.-T., Kubo O., Tani H., Harada T., Katayama M., Oura K.
Si(100)2$\times$3--Na surface phase: Formation and atomic
arrangement
Phys.Rev.B, 1998, V.58, N8, P.4972-4976
100 Na,111, 10/14/98
Saranin A.A., Zotov A.V., Ryzhkov S.V., Tsukanov D.A., Lifshits V.G.,
Ryu J.-T., Kubo O., Tani H., Harada T., Katayama M., Oura K.
Scanning tunneling microscopy of the 7$\times$7-to-3$\times$1
transformation induced on the Si(111) surface by Na adsorption
Phys.Rev.B, 1998, V.58, N11, P.7059-7063
110 -,Ca,111, 12/08/98
Saranin A.A., Lifshits V.G., Bethge H., Kayser R., Goldbach H.,
Klust A., Wollschl\"{a}ger J., Henzler M.
Restructuring process of the Si(111) surface upon Ca deposition
Phys.Rev.B, 1998, V.submit, N, P.-
112 -,In,111, 12/08/98
Saranin A.A., Zotov A.V., Lifshits V.G., Ryu J.-T., Kubo O.,
Tani H., Harada T., Katayama M., Oura K.
Analysis of the surface structures through determination of
their composition using STM: Si(100)4$\times$3--In and
Si(111)4$\times$1--In reconstructions
Phys.Rev.B, 1998, V.submit, N, P.-
113 -,In,100, 12/08/98
Zotov A.V., Saranin A.A., Lifshits V.G., Ryu J.-T., Kubo O.,
Tani H., Katayama M., Oura K.
Reply to ``Comment on `Structural model for the Si(100)%
4$\times$3--In surface phase'"
Phys.Rev.B, 1998, V.submit, N, P.-
179 ?, 01/11/99
Dobrodey N.V., Cederbaum L.S., Tarantelli F.
Breakdown of the individual satellite picture and nonlocal
effects in core-hole spectra
Phys.Rev.Lett., 1998, V.submit, N, P.-
132 *,Al,111, 12/15/98
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Schottky barrier at the Al/Si(111) doped and double-doped
interfaces: a local density cluster study
Superlat. & Microstruct., 1998, V.24, N1, P.55-60
88 *,In,111, q 05/21/98
Saranin A.A., Zotov A.V., Lifshits V.G., Numata T.,
Kubo O., Tani H., Katayama M., Oura K.
The role of Si atoms in In/Si(111) surface phase
formation
Surf.Sci., 1998, V.398, N1-2, P.60-69
183 ?, 01/11/99
Dobrodey N.V., Cederbaum L.S., Tarantelli F.
Strong dynamical screening in weak chemisorption systems
Surf.Sci., 1998, V.402-404, N, P.508-512
98 Mg,111, 10/12/98
Kubo O., Saranin A.A., Zotov A.V., Ryu J.-T., Tani H.,
Harada T., Katayama M., Lifshits V.G., Oura K.
Mg-induced Si(111)-(3$\times$2) reconstruction
studied by scanning tunneling microscopy
Surf.Sci., 1998, V.415, N1-2, P.L971-L975
224 -,Cr,Si,111, 01/20/99
Plusnin N.I., Soldatov V.U., Milenin A.P.
EELS-peak intensity dependence on primary electron energy for
the Si(111)7$\times$7 and Si(111)-Cr surface structures
Surf.Sci., 1998, V.submit, N, P.-
149 *,Si, 12/17/98
Коробцов В.В., Шапоренко А.П., Балашев В.В.
Влияние химической очистки поверхности кремния на
эпитаксиальный рост кремния
Микроэлектроника, 1998, V.27, N5, P.279-281
225 Cr,Si,111, 01/20/99
Плюснин Н.И., Миленин А.П., Величко Т.В., Солдатов В.Ю.
Исследование эпитаксиального контакта металл-полупроводник в
поверхностных структурах Si(111)-($\sqrt3\times\sqrt3$)%
R30$^\circ$-Cr и Si(111)-CrSi$_2$(001)
Микроэлектроника, 1998, V.27, N5, P.385-392
156 *,Cr, 12/23/98
Галкин Н.Г., Маслов А.М., Конченко А.В., Каверина И.Г.,
Гуральник А.С.
Оптические функции эпитаксиальных пленок дисилицида хрома в
диапазоне энергий 0.087-6.2 эВ: расчет по данным оптической
спектроскопии
Оптика и спектроскопия, 1998, V.85, N4, P.658-663
155 *,Cr, 12/23/98
Галкин Н.Г., Маслов А.М.
Оптические функции эпитаксиальных пленок дисилицида хрома в
диапазоне энергий 0.35-6.2 эВ: полуэмпирическое моделирование
Оптика и спектроскопия, 1998, V.85, N5, P.794-799
158 Cr, 01/20/99
Плюснин Н.И., Миленин А.П., Солдатов В.Ю., Лифшиц В.Г.
Механизм формирования границы раздела CrSi$_2$(0001)/$a$Si
Поверхность, 1998, V., N12, P.60-
226 -,B,111, 01/20/99
Коробцов В.В., Лифшиц В.Г., Шапоренко А.П., Балашев В.В.
Исследование методом дифракции быстрых электронов температурной
зависимости адсорбции бора при осаждении B$_2$O$_3$ на Si(111)
Поверхность, 1998, V.submit, N, P.-
233 *,P,100, 04/02/99
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A.
Energetics of P-Si and P-P dimers on the Si(100)-2$\times$1
surface
Appl.Surf.Sci., 1999, V.141, N, P.193-196
230 *,Cr, 03/30/99
Galkin N.G., Ivanov V.A., Konchenko A.V., Goroshko D.L.
An ultrahigh-vacuum system for computer-integrated measurements
of the Hall effect and conductivity of two-dimensional films
Instrum. and Exper.Techniques, 1999, V.42, N2, P.127-132
111 *,Si, 03/19/99
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A., Zavodinskaya O.M.
Atomic and electronic structures of nanometer sized silica
particles
J.Non-Cryst.Solids, 1999, V.243, N, P.123-136
229 *,P,?, 03/19/99
Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A., Chukurov E.N.
Cluster modeling of the trimethilphosphine adsorption and
dissociation on the Si(111)-7$\times$7 surface
Phys.Low-Dim.Struct., 1999, V.1-2, N, P.145-152
221 *,Cr, 04/05/99
Plusnin N.I., Galkin N.G., Lifshits V.G., Milenin A.P.
Surface phases and epitaxy of Si on CrSi$_2$(001)/Si(111)
Phys.Low-Dim.Struct., 1999, V.1-2, N, P.55-66
234 *,Si,O,100, 06/02/99
Zavodinsky V.G.
Computer study of the ideal and real SiO$_2$/Si(100) interfaces
Phys.Low-Dim.Struct., 1999, V.3-4, N, P.43-56
172 +,?, 12/25/98
Nazarov V.U.
Multipole surface plasmon excitation enhancement in metals
Phys.Rev.B, 1999, V.in press, N, P.-
202 *,B,111, 04/27/99
Zavodinsky V.G., Chukurov E.N., Kuyanov I.A.
Energetics of boron in the Si(111)-($\sqrt3\times\sqrt3$)--B
surface phase and in subsurface silicon layers
Surf.Rev.Lett., 1999, V.6, N1, P.127-132
235 *,Cr,111, 06/02/99
Galkin N.G., Goroshko D.L., Konchenko A.V., Ivanov V.A.,
Gouralnik A.S.
$In situ$ Hall measurements of macroscopic electrical
properties of chromium-covered Si(111) surfaces
Surf.Rev.Lett., 1999, V.6, N1, P.7-12
105 *,111, 06/21/99
Saranin A.A., Zotov A.V., Lifshits V.G., Katayama M., Oura K.
Family of the metal-induced Si(111)3$\times$1 reconstructions
with a top Si atom density of 4/3 monolayer
Surf.Sci., 1999, V.426, N3, P.298-307
103 *,Ag,111, 06/21/99
Saranin A.A., Zotov A.V., Lifshits V.G., Ryu J.-T., Kubo O.,
Tani H., Harada T., Katayama M., Oura K.
Ag-induced structural transformations on Si(111): Quantitative
investigation of Si mass transport
Surf.Sci., 1999, V.429, N1-2, P.127-132
160 +,Cr,111, 12/23/98
Galkin N.G., Goroshko D.L., Konchenko A.V., Ivanov V.A.,
Gouralnik A.S.
In situ Hall measurements of macroscopic electrical properties
of chromium-covered Si(111) surfaces
Surf.Sci., 1999, V.in press, N, P.-
236 *,Rev,H, 11/09/99
Oura K., Lifshits V.G., Saranin A.A., Zotov A.V., Katayama M.
Hydrogen interaction with clean and modified silicon surfaces
Surf.Sci.Repts., 1999, V.35, N1-2, P.1-74
157 +,Cr, 12/23/98
Galkin N.G., Maslov A.M., Konchenko A.V., Kaverina I.G.,
Gouralnik A.S.
Optical functions and electronic structure of chromium
disilicide epitaxial films
Thin Solid Films, 1999, V.in press, N, P.-
159 +,?, 12/23/98
Galkin N.G., Menshih A., Konchenko A.V., Ivanov V.A., Maslov A.M.,
Goroshko D.L., Kaverina I.G., Gouralnik A.S., Kosikov S.I.
Ultrahigh vacuum attachment for in situ Hall measurements at low
temperatures
Thin Solid Films, 1999, V.in press, N, P.-
222 +,Cr,Si,111,double, 01/20/99
Плюснин Н.И., Галкин Н.Г., Лифшиц В.Г., Миленин А.П.
Эпитаксиально-стабилизированные поверхностные фазы и
гетероэпитаксия Si на CrSi$_2$(001)/Si(111)
Поверхность, 1999, V.в печати, N, P.-
223 +,Cr,111, 01/20/99
Плюснин Н.И., Миленин А.П., Солдатов В.Ю.
Эффекты дифракции и обратного рассеяния в зависимостях СХПЭЭ
Si(111) и поверхностных фаз хрома от энергии первичных
электронов
Поверхность, 1999, V.в печати, N, P.-
161 *,Cr, 12/23/98
Галкин Н.Г., Иванов В.А., Конченко А.В., Горошко Д.Л.
Установка для автоматизированных холловских измерений параметров
двумерных материалов в условиях сверхвысокого вакуума
Приборы и техника эксперимента, 1999, V., N2, P.153-158