Department of Surface Physics
Института Автоматики и Процессов Управления
ДВО РАН,
г. Владивосток
Методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) было исследовано формирование сверхтонких слоев Tl на поверхности Si(100)2 1. Обнаружено, что адсорбция атомов Tl вызывает перенос заряда, что приводит к формированию статичного диполя, под действием поля которого происходит миграция адсорбированных атомов Tl на поверхности. При положительном знаке напряжения на игле СТМ атомы Tl разбегаются от области поверхности, находящейся под кончиком иглы. При отрицательном напряжении атомы Tl накапливаются под иглой. Обнаружено четыре упорядоченных реконструкции Tl/Si(100): три реконструкции 2 2 (покрытие адсорбата 0,25 монослоя (МС), 0,5 МС и 0,75 МС) и 2 1 с покрытием адсорбата 1 МС. С помощью расчетов из первых принципов была оценена кристаллическая структура этих реконструкций. (Kishida M., Saranin A.A., Zotov A.V., Kotlyar V.G., Nishida A., Murata Y, Okado H, Katayama M., Oura K. // Appl. Surf. Sci. 2004. Vol. 237, № 3. P. 110-114.)
С помощью СТМ исследована поверхность кремния Si(111)7 7 после напыления субмонослойных покрытий бериллия. Было обнаружено формирование упорядоченных рядов наноструктур, исследована их кристаллическая структура. Обнаружено, что состав, размеры и свойства наноструктур Be/Si(111) соответствуют теоретическим данным, согласно которым система представлена в виде кремниевых нанотрубок с инкапсулированными атомами бериллия. (Saranin A.A., Zotov A.V., Kotlyar V.G., I.A., Kasyanova T.V., Utas O.A., Okado H., Katayama M., Oura K. // Nano Lett. 2004. Vol. 4, № 8. P. 1469-1473.)
Разработана технология роста сверхтонких (полупрозрачных) сплошных пленок силицида иттербия. Эти пленки могут быть использованы для создания фотодетекторов на кремнии в области энергий 0.5 - 2.0 эВ. (Galkin N.G., Maslov A.M. and Polyarnyi V.O. // Proceedings of Fourth Asia-Pacific Conference "Fundamental problems of Opto- and Microelectronics", Khabarovsk, Russia, September 13-16, 2004. Р. 360-367. (SPIE Proceedings, 2004, in print.)
Исследован рост кремния поверх островков силицидов железа ( -FeSi2 и -FeSi2) на Si(111)7x7 и на поверхностных фазах (ПФ) Si(111)-Cr методом МЛЭ (молекулярно-лучевая эпитаксия) показали, что по данным дифракции медленных электронов (ДМЭ) эпитаксия кремния при температуре подложки 800 оС наблюдается во всех случаях, однако интенсивность рефлексов максимальна для случая осаждения на ПФ Si(111)7x7-Сr. По данным АСМ (атомно-силовая микроскопия) обнаружено, что толщина слоя кремния 100 нм не полностью закрывает сформированные в кремнии захороненные кластеры при данной температуре, что соответствует их частичному "всплыванию" и выходу на поверхность. Для всех подложек наблюдается шестигранная огранка не полностью захороненных кластеров с размерами 60-80 нм, что соответствует ориентации (001) -FeSi2/(111)Si и переходу всех островков в фазу -FeSi2 после взаимодействия с покрывающим кремнием. Обнаружено увеличение плотности проколов в пленке кремния и плотности незахороненных кластеров -FeSi2 при осаждении кремния на ПФ Si(111) 3x 3/30o-Cr. Исследована роль поверхностных фаз хрома на кремнии на рост и кристаллизацию островков дисилицида железа и эпитаксиальный рост кремния поверх данных островков. (Galkin N.G., Goroshko D.L., Polyarnyi V.O., Gouralnik A.S., Louchaninov I.V., Ole'nik V.V. and Novikov A.V. // Proceedings of Fourth Asia-Pacific Conference "Fundamental problems of Opto- and Microelectronics", Khabarovsk, Russia, September 13-16, 2004. Р. 373-383. SPIE Proceedings, 2004, in print; Galkin N.G., Goroshko D.L., Gouralnik A.S., Polyarnyi V.O., Louchaninov I.V., and Vavanova S.V. // e-SSNT, 2004, article in print.)
Разработана методика твердофазного роста тонких эпитаксиальных пленок силицида магния (Mg2Si) из мультислоев магния и кремния на предварительно сформированном затравочном слое Mg2Si. Определена оптимальная температура роста (Т=550оС) эпитаксиальных пленок Mg2Si. Предложен подход к получению сведений об их электронной структуре. (Galkin N.G., Vavanova S.V., Maslov A.M. and Galkin K.N. // Proceedings of Fourth Asia-Pacific Conference "Fundamental problems of Opto- and Microelectronics", Khabarovsk, Russia, September 13-16, 2004. Р. 428-433. (SPIE Proceedings, 2004, in print.)