Department of Surface Physics
Института Автоматики и Процессов Управления
ДВО РАН,
г. Владивосток
472. A.N. Mihalyuk, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, J.P. Chou, C.R. Hsing, C.M. Wei, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Double-atomic layer of Tl on Si(111): Atomic arrangement and electronic properties. Surface Science, 2018, Vol. 668, P. 17-22. https://doi.org/10.1016/j.susc.2017.10.010
473. A.N. Mihalyuk, C.R. Hsing, C.M. Wei, S.V. Eremeev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. (Tl/Au)/Si(111) v7xv7 2D compound: An ordered array of identical Au clusters embedded in Tl matrix. J.Phys.: Condens.Matter, 2018, Vol. 30, P.025002-8. https://doi.org/10.1088/1361-648X/aa9e2d (ISSN печ: 0953-8984, ISSN online: 1361-648X, WWW-адрес: http://iopscience.iop.org/0953-8984 , ВАК, JCR, SCOPUS-да; РИНЦ-нет; Impact Factor 2016: 2.649; Journal Country/Territory: ENGLAND; Publisher: IOP PUBLISHING LTD; Publisher Address: TEMPLE CIRCUS, TEMPLE WAY, BRISTOL BS1 6BE, ENGLAND)
474. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.A. Yakovlev, A.N. Mihalyuk, A.V. Zotov, A.A. Saranin. (Tl, Sb) and (Tl, Bi) binary surface reconstructions on Ge(111) substrate. Surface Science, 2018, Vol. 669, P.183-188. https://doi.org/10.1016/j.susc.2017.12.004
475. A. Bouravleuv, I. Ilkiv, R. Reznik, K. Kotlyar, I. Soshnikov, G. Cirlin, P. Brunkov, D. Kirilenko, L. Bondarenko, A. Nepomnyaschiy, D. Gruznev, A. Zotov, A. Saranin, V. Dhaka and H. Lipsanen. New method for MBE growth of GaAs nanowires on silicon using colloidal Au nanoparticles. Nanotechnology, 2018, Vol. 29, No.4, P.045602-11. (ISSN: 0957-4484; ISSN online: 1361-6528; IOP PUBLISHING LTD, TEMPLE CIRCUS, TEMPLE WAY, BRISTOL BS1 6BE, ENGLAND; ВАК, JCR, SCOPUS-да; РИНЦ-нет) Impact factor: 3,44 (2016); https://doi.org/10.1088/1361-6528/aa9ab1
476. A.S. Gouralnik, A.M. Maslov, A.Yu. Ustinov, S.A. Dotsenko, A.V. Shevlyagin, I.M. Chernev, V.M. Il’yashenko, S.A. Kitan, E.A. Koblova, K.N. Galkin, N.G. Galkin, A.V. Gerasimenko. Formation of Mg2Si at high temperatures by fast deposition of Mg on Si(111) with wedge-shaped temperature distribution. Applied Surface Science, 2018, Vol.439, P. 282-284. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.12.237 (ISSN 0169-4332 ; eISSN: 1873-5584, Publisher: ELSEVIER SCIENCE BV, Publisher Address: PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS; ISI, Scopus, ВАК – да, РИНЦ – нет; Impact factor 2016: 3,387)
477. В.В. Балашев, В.В. Коробцов. Исследование структуры ультратонких поликристаллических пленок Fe, выращенных на поверхности SiO2/Si(001). ЖТФ, 2018, Т. 88, вып.1, С. 75-79. DOI:10.21883/JTF.2018.01.45485.2314
478. V.V. Balashev, V.V. Korobtsov. Structure of ultrathin polycrystalline iron films grown on SiO2/Si(001). Technical Physics, 2018, Vol. 63, Iss.1, P. 73–77. DOI: 10.1134/S106378421801005X
479. Н.И. Плюснин, А.М. Маслов. Морфологические превращения в нанофазном смачивающем слое меди на кремнии, активированные воздействием зонда атомно-силового микроскопа. Письма в ЖТФ, 2018, том 44, вып. 5, С. 16-24. DOI: 10.21883/PJTF.2018.05.45703.16950
480. N.I. Plusnin, A. M. Maslov. Atomic-force microscopy probe-activated morphological transformations in a nanophase copper wetting layer on silicon. Technical Physics Letters, 2018. Vol. 44, No.3, P. 187-190. DOI: 10.1134/S1063785018030094
452. A.N. Mihalyuk, C.R. Hsing, C.M. Wei, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.V. Zotov, A.A. Saranin. One-atom-layer 4?4 compound in (Tl, Pb)/Si(111) system. Surface Science, 2017, V. 657 P. 63-68. http://dx.doi.org/10.1016/j.susc.2016.11.004 DOI:10.1016/j.susc.2016.11.004
453. D.A. Olyanich, V.V. Mararov, T.V. Utas, A.V. Zotov, A.A. Saranin. C70 self-assembly on In- and Tl-adsorbed Si(111)?3x?3-Au surfaces: Effect of non-spherical fullerene shape. Surface Science, 2017, V. 656 P. 1-6. http://dx.doi.org/10.1016/j.susc.2016.09.005
454. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, S.V. Eremeev, A.N. Mihalyuk, J.P. Chou, C.M. Wei, A.V. Zotov, A.A. Saranin. 2D Tl-Pb compounds on Ge(111) surface: atomic arrangement and electronic band structure. J.Phys.: Condens.Matter, 2017, Vol. 29, No.3, P.035001-9. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/29/3/035001
455. N.V. Denisov, A.V. Matetskiy, A.V. Tupkalo, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Growth of layered superconductor ?-PdBi2 films using molecular beam epitaxy. Applied Surface Science, 2017, Vol. 401, P. 142-145. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.12.239
456. S. Ichinokura, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin, S. Hasegawa. Superconductivity in thallium double atomic layer and transition into an insulating phase intermediated by a quantum metal state. 2D Materials, 2017, Vol. 4, No.2, P.025020-10. doi:10.1088/2053-1583/aa57f9
457. A.S. Gouralnik, E.V. Pustovalov, K.-W. Lin, A.L. Chuvilin, S.V. Chusovitina, S.A. Dotsenko, A.I. Cherednichenko, V.S. Plotnikov, V.A. Ivanov, V.I. Belokon, I.A. Tkachenko, N.G. Galkin. An approach to growth of Fe-Si multilayers with controlled composition profile – a way to exchange coupled thin films. Nanotechnology, 2017, Vol. 28, No.11, P. 115303-9. (ISSN: 0957-4484; ISSN online: 1361-6528; IOP PUBLISHING LTD, TEMPLE CIRCUS, TEMPLE WAY, BRISTOL BS1 6BE, ENGLAND; ВАК, JCR, SCOPUS-да; РИНЦ-нет) Impact factor: 3,573 (2015); https://doi.org/10.1088/1361-6528/aa5c96 http://iopscience.iop.org/0957-4484
458. L. Dozsa, N.G. Galkin, B. Pecz, Z. Osvath, Zs. Zolnai, A. Nemeth, K.N. Galkin, I.M. Chernev, S.A. Dotsenko. Mg2Sn heterostructures on Si(111). Applied Surface Science, 2017, Vol. 405, P.111-118. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.01.299
459. N.G. Galkin, A.V. Shevlyagin, D.L. Goroshko, E.A. Chusovitin, K.N. Galkin. Prospects for silicon–silicide integrated photonics. Japanese Journal of Applied Physics, 2017, Vol. 56, No.5S1, P. 05DA01-6. (ISSN: 0021-4922; ISSN online: 1347-4065; IOP PUBLISHING LTD, TEMPLE CIRCUS, TEMPLE WAY, BRISTOL BS1 6BE, ENGLAND; ВАК, JCR, SCOPUS-да; РИНЦ-нет) Impact factor: 1,122 (2015); https://doi.org/10.7567/JJAP.56.05DA01
460. A.V. Matetskiy, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Adsorbate-induced modification of electronic band structure of epitaxial Bi(111) films. Applied Surface Science, 2017, Vol. 406, P. 122-127. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.02.023
461. V.G. Kotlyar, A.A. Alekseev, D.A. Olyanich, T.V. Utas, A.V. Zotov, A.A. Saranin. The (2x2) reconstructions on the surface of cobalt silicides: Atomic configuration at the annealed Co/Si(111) interface. Surface Science, 2017, Vol. 662, P. 6-11. http://dx.doi.org/10.1016/j.susc.2017.03.010
462. V.G. Dubrovskii, Y. Berdnikov, D.A. Olyanich, V.V. Mararov, T.V. Utas, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Scaling of size distributions of C60 and C70 fullerene surface islands. Applied Surface Science, 2017, Vol. 407, P. 117-120. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.02.161
463. D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. One-atom-layer compounds on silicon and germanium. Japanese Journal of Applied Physics, 2017, Vol.58, No.8S1, P. 08LA01-8. https://doi.org/10.7567/JJAP.56.08LA01
464. A.V. Matetskiy, I.A. Kibirev, A.N. Mihalyuk, S.V. Eremeev, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Theory versus experiment for a family of single-layer compounds with a similar atomic arrangement: (Tl, X)/Si(111)v3xv3 (X = Pb, Sn, Bi, Sb, Te, Se). Phys.Rev.B, 2017, Vol.96, Iss.8, P. 085409-7. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.085409
465. В.В. Балашев, В.А. Викулов, А.А. Димитриев, Т.А. Писаренко, Е.В. Пустовалов, В.В. Коробцов. Эволюция структурных и магнитотранспортных свойств пленок магнетита в зависимости от температуры их синтеза на поверхности SiO2/Si(001). Физика металлов и металловедение, 2017, Т. 118, №7, С. 679-685. (ISSN: 0015-3230; ФГУП Издательство «Наука», 117997, ГСП-7, г. Москва В-485, Профсоюзная ул., 90; JCR, SCOPUS-нет; ВАК, РИНЦ-да) Impact factor РИНЦ: 1,406(2016); https://doi.org/10.7868/S0015323017050023 DOI:10.7868/S0015323017050023
466. V.V. Balashev, V.A. Vikulov, A.A. Dimitriev, T.A. Pisarenko, E.V. Pustovalov, V.V. Korobtsov. Evolution of the structural and magnetotransport properties of magnetite films depending on the temperature of their synthesis on the SiO2/Si(001) surface. Physics of Metals and Metallography, 2017, Vol. 118, No.7 P.644-651. (ISSN: 0031-918X; ISSN online: 1555-6190; Pleiades Publishing, Ltd., UK; Impact factor:0,884) JCR, SCOPUS, ВАК-да; РИНЦ-нет) DOI: 10.1134/S0031918X17050027
467. N.V. Denisov, A.A. Alekseev, O.A. Utas, S.G. Azatyan, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Bismuth–Indium–Sodium two-dimensional compounds on Si(111) surface. Surface Science, 2017, Vol. 666, P. 64-69 https://doi.org/10.1016/j.susc.2017.08.020
468. A.V. Shevlyagin, D.L. Goroshko, E.A. Chusovitin, S.A. Balagan, S.A. Dotsenko, K.N. Galkin, N.G. Galkin, T.S. Shamirzaev, A.K. Gutakovskii, A.V. Latyshev, M. Iinuma, Y. Terai. A room-temperature-operated Si LED with ?-FeSi2 nanocrystals in the active layer: µW emission power at 1.5 µm. Journal of Applied Physics, 2017, Vol. 121, Iss.11, P. 113101. https://doi.org/10.1063/1.4978372
469. N.G. Galkin, D.T. Yan. Mechanisms of visible electroluminescence in diode structures on the basis of porous silicon: A Review. Optics and Spectroscopy, 2017, Vol. 122, Iss.6, P.919-925. (ISSN: 0030-400X (Print) 1562-6911 (Online); IF: 0.716; DOI 10.1134/S0030400X17050071
470. E.A. Chusovitin, D.L. Goroshko, S.A. Dotsenko, S.V. Chusovitina, A.V. Shevlyagin, N.G. Galkin, A.K. Gutakovskii. GaSb nanocrystals grown by solid phase epitaxy and embedded into monocrystalline silicon. Scripta Materialia, 2017, Vol. 136, P. 83-86. ISSN: 1359-6462; IF(2016): 3,747; PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD OX5 1GB, ENGLAND https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2017.04.004
471. N.I. Plusnin. Metallic nanofilms on single crystal silicon: Growth, properties and applications. Modern Electronic Materials, 2017, Vol. 3, P.57-65. ISSN online: 2452-1779; IF: 1,53 ??; National University of Science and Technology MISiS, 4, Leninskiy pr., Moscow, 119049, Russia https://doi.org/10.1016/j.moem.2017.09.005 https://www.journals.elsevier.com/modern-electronic-materials
427. Dimitry V. Gruznev, Leonid V. Bondarenko, Andrey V.Matetskiy, Alexey N. Mihalyuk, Alexandra Y. Tupchaya, Oleg A. Utas, Sergey V. Eremeev, Cheng-Rong Hsing, Juh- Pin Chou, Ching-Ming Wei, Andrey V. Zotov & Alexander A. Saranin. Synthesis of two-dimensional TlxBi1-x compounds and Archimedean encoding of their atomic structure. Scientific Reports, 2016, Vol.6, Article number:19446 | doi:10.1038/srep19446, 9 P. http://www.nature.com/articles/srep19446 ) doi:10.1038/srep19446 http://dx.doi.org/10.1038/srep19446
428. A.N. Mihalyuk, A.A. Alekseev, C.R. Hsing, C.M. Wei, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.Y. Tupchaya, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Low-temperature one-atom-layer ?7x?7-In phase on Si(111). Surface Science, 2016, Vol.649, P. 14-19. doi:10.1016/j.susc.2016.01.016
429. Н.И. Солин, Л.Н. Ромашев, С.В. Наумов, А.А. Саранин, А.В. Зотов, Д.А. Олянич, В.Г. Котляр, О.А. Утас. Магниторезистивные свойства наноструктурированных магнитных металлов, манганитов и магнитных полупроводников. ЖТФ, 2016, Т. 86, вып. 2, С. 78-84. http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/42744
430. N.I. Solin, L.N. Romashev, S.V. Naumov, A.A. Saranin, A.V. Zotov, D.A. Olyanich, V.G. Kotlyar, O.A. Utas. Magnetoresistive properties of nanostructured magnetic metals, manganites, and magnetic semiconductors. Technical Physics, 2016, Vol. 61, No.2, P.233-239. DOI:10.1134/S1063784216020237, http://dx.doi.org/10.1134/S1063784216020237
431. N.V. Denisov, A.A. Alekseev, O.A. Utas, S.G. Azatyan, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Bismuth–indium two-dimensional compounds on Si(111) surface. Surface Science, 2016, Vol.651, P.105-111. doi:10.1016/j.susc.2016.03.031 http://dx.doi.org/10.1016/j.susc.2016.03.031
432. V.A. Vikulov, A.A. Dimitriev, V.V. Balashev, T.A. Pisarenko, V.V. Korobtsov. Low-temperature conducting channel switching in hybrid Fe3O4/SiO2/n-Si structures. Materials Science and Engineering B, 2016, V. 211, P.33-36. http://dx.doi.org/10.1016/j.mseb.2016.05.014
433. D.A. Olyanich, V.V. Mararov, T.V. Utas, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Adsorption and self-assembly of fullerenes on Si(111) v3xv3-Ag: C60 versus C70. Surface Science, 2016, Vol.653, P.138-142. doi:10.1016/j.susc.2016.06.016 http://dx.doi.org/10.1016/j.susc.2016.06.016
434. A.V. Matetskiy, I.A. Kibirev, A.V. Zotov, and A.A. Saranin. Growth and characterization of van-der-Waals heterostuctures formed by the topological insulator Bi2Se3 and the trivial insulator SnSe2. Applied Physics Letters, 2016, Vol. 109, Iss. 2, P. 021606-4. http://dx.doi.org/10.1063/1.4958936
435. A.S. Tarasov, M.V. Rautskii, A.V. Lukyanenko, M.N. Volochaev, E.V. Eremin, V.V. Korobtsov, V.V. Balashev, V.A. Vikulov, L.A. Solovyov, N.V. Volkov. Magnetic, transport, and magnetotransport properties of the textured Fe3O4 thin films reactively deposited onto SiO2/Si. Journal of Alloys and Compounds, 2016, Vol. 688, P.1095-1100. ISSN 0925-8388 eISSN: 1873-4669; Publisher: ELSEVIER SCIENCE SA, PO BOX 564, 1001 LAUSANNE, SWITZERLAND; JCR(ISI), SCOPUS - да, РИНЦ-нет; ВАК-?) ; Impact factor: 3,014 (2015); doi:10.1016/j.jallcom.2016.07.138 ; http://www.sciencedirect.com/science/journal/09258388
436. O.A. Utas, D.A. Olyanich, V.V. Mararov, T.V. Utas, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Molecular simulations of C60 self-assembly on metal-adsorbed Si(111) surfaces. J.Vac.Sci.Technol. B, 2016, Vol.34, No.5, P. 051806-6. http://dx.doi.org/10.1116/1.4961906
437. Д.А. Цуканов, М.В. Рыжкова, Е.А. Борисенко, М.В. Иванченко. Влияние сверхтонких пленок фуллерена С60 на поверхностную проводимость подложки Si(111) с упорядоченными реконструкциями адсорбатов. Поверхность: Рентгеновские, синхротронные и нейронные исследования, 2016, № 8, С. 91-95. DOI: 10.7868/S0207352816080199 DOI: 10.7868/S0207352816080199
438. D.A. Tsukanov, M.V. Ryzhkova, E.A. Borisenko, M.V. Ivanchenko. Effect of ultrathin C60 fullerene films on the surface conductivity of a Si(111) substrate with ordered adsorbate reconstructions. Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Newtron Techniques, 2016, Vol. 10, No.4, P.864-867. DOI: 10.1134/S1027451016040388
439. S. Ichinokura, R. Hobara, A. Takayama, S. Hasegawa, A.V. Matetskiy, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Observation of superconductivity on the Rashba-type surface reconstruction (Tl, Pb)/Si(111) by in situ electrical transport measurements. Journal of the Surface Science Society of Japan (JSSSJ), 2016, Vol. 37, No.8, P. 363–368. (in Japanese) http://www-surface.phys.s.u-tokyo.ac.jp/papers/2016/201608-Ichinokura-SSSJ.pdf
440. V.R. Mudinepalli, C.-J. Tsai, Y.-C. Chuang, Po-C. Chang, N. Plusnin, W.-C. Lin. Annealing-induced alloy formation in Pd/Fe bilayers on Si(111) for hydrogen sensing. Applied Surface Science, 2016, V.366, P. 38-45. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.01.057
441. N. Plusnin. Creation of electrical spin injectors for silicon spintronics: Achievements and prospects. Solid State Phenomena, 2016, V. 245 , P. 32-41. ISSN: 1662-9779 doi:10.4028/www.scientific.net/SSP.245.32
442. N.I. Plusnin. Atomic-scale AES-EELS analysis of structure-phase state and growth mechanism of layered nanostructures. Advances in Materials Physics and Chemistry, 2016, V.6, P.195-210. http://dx.doi.org/10.4236/ampc.2016.67020
443. V.V. Balashev, V.A. Vikulov, T.A. Pisarenko, V.V. Korobtsov. RHEED study of the texture in polycrystalline films of magnetite grown on oxidized silicon surface. Solid State Phenomena, 2016, Vol. 247, P. 118-123. doi:10.4028/www.scientific.net/SSP.247.118
444. Y.V. Luniakov. Mg2Si under pressure: DFT evolutionary search results. Solid State Phenomena, 2016, Vol. 247, P. 9-16. doi:10.4028/www.scientific.net/SSP.247.9
445. K.V. Ignatovich, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Characterization of In/Si(111) system by optical second-harmonic generation. Solid State Phenomena, 2016, Vol. 247, P. 73-75. doi:10.4028/www.scientific.net/SSP.247.73
446. V.V. Mararov, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Comparative STM analysis of C60 and C70 fullerene adsorption sites on pristine and Al-modified Si(111)7x7 surfaces. J.Vac.Sci.Technol. A, 2016, Vol.34, No.6, P.061402-5. http://dx.doi.org/10.1116/1.4963067
447. I.M. Chernev, A.V. Shevlyagin, K.N. Galkin, J. Stuchlik, Z. Remez, R. Fajgar, N.G. Galkin. On the way to enhance the optical absorption of a-Si in NIR by embedding Mg2Si thin film. Applied Physics Letters, 2016, Vol. 109, Iss. 4, P. 043902-4. http://dx.doi.org/10.1063/1.4960011
448. A.V. Shevlyagin, D.L. Goroshko, E.A. Chusovitin, N.G. Galkin. VIS-NIR-SWIR multicolor avalanche photodetector originated from quantum-confined Stark effect in Si/?-FeSi2/Si structure. Applied Physics Letters, 2016, Vol. 109, Iss.17, P. 171101. http://doi.org/10.1063/1.4965973
449. D.L. Goroshko, E.A. Chusovitin, K.N. Galkin, I.M. Chernev, N.G. Galkin. Formation and optical properties of thin Mg2Ge films on Si(001) substrate. Solid State Phenomena, 2016, V. 247, P. 66-72. doi:10.4028/www.scientific.net/SSP.247.66
450. D.L. Goroshko, A.V. Shevlyagin, E.A. Chusovitin, K.N. Galkin, I.M. Chernev, N.G. Galkin. Extended near-IR spectral sensitivity and electroluminescence properties of silicon diode structure with GaSb/Si composite layer. Solid State Phenomena, 2016, V. 247, P. 61-65. doi:10.4028/www.scientific.net/SSP.247.61
451. V.G. Kotlyar, A.A. Alekseev, D.A. Olyanich, T.V. Utas, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Scanning tunneling microscopy study of the early stages of epitaxial growth of CoSi2 and CoSi films on Si(111) substrate: Surface and interface analysis. Thin Solid Films, 2016, Vol. 619, P. 153-159. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2016.11.006
399. D.A. Tsukanov, M.V. Ryzhkova, E.A. Borisenko, A.V. Zotov, and A.A. Saranin. Electrical conductivity of reconstructed Si(111) surface with sodium-doped C60 layers. Applied Physics Letters, 2015, Vol. 106, P. 011603-4. (http://dx.doi.org/10.1063/1.4905288)
400. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.Y. Tupchaya, A.A. Alekseev, C.R. Hsing, C.M. Wei, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, and A.A. Saranin. Electronic band structure of Tl/Sn atomic sandwich on Si(111). Physical Review B, 2015, Vol. 91, P. 035421-7 (DOI: 10.1103/PhysRevB.91.035421) http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.91.035421
401. D.A. Olyanich V.V. Mararov, T.V. Utas, O.A. Utas, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Magic C60 islands forming due to moire interference between islands and substrate. Surface Science, 2015, Vol. 635, P.94-98. (http://dx.doi.org/10.1016/j.susc.2015.01.003 , DOI:10.1016/j.susc.2015.01.003-???)
402. Г.А. Новиков, Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, И.А. Файзрахманов, Н.М. Лядов, В.А. Шустов, К.Н. Галкин, Н.Г. Галкин, И.М. Чернев, Г.Д. Ивлев, С.Л. Прокопьев, П.И. Гайдук. Импульсная модификация пленок германия на подложках кремния, сапфира и кварца: структура и оптические свойства. Физика и техника полупр., 2015, Т. 49, вып. 6, С.746-752.
403. Т.С. Шамирзаев, Н.Г. Галкин, Е.А. Чусовитин, Д.Л. Горошко, А.В. Шевлягин, А.К. Гутаковский, А.А. Саранин, А.В. Латышев. Светодиодные 1.5-мкм электролюминисцентные излучатели на основе структур p+-Si/HK ?-FeSi2/n-Si. Физика и техника полупр., 2015, Т. 49, вып. 4, С.519-523.
404. T.S. Shamirzaev, N.G. Galkin, E.A. Chusovitin, D.L. Goroshko, A.V. Shevlyagin, A.K. Gutakovski, A.A. Saranin, A.V. Latyshev. Electroluminescent 1.5-mu m light-emitting diodes based on p+ -Si/NC ?-FeSi2/n-Si structures. Semiconductors, 2015, Vol. 49, Iss. 4, P. 508-512. (DOI: 10.1134/S1063782615040211)
405. D.A. Olyanich, T.V. Utas, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Dynamics of the artificially created vacancies in the monomolecular C60 layers. Surface Science, 2015, Vol. 637-638, P. 5-10. (http://dx.doi.org/10.1016/j.susc.2015.02.010
406. V.N. Davydova, A.V. Volod'ko, E.V. Sokolova, E.A. Chusovitin, S.A. Balagan, V.I. Gorbach, N.G. Galkin, I.M. Yermak, T.F. Soboleva. The supramolecular structure of LPS-chitosan complexes of varied composition in relation to their biological activity. Carbohydrate polymers, 2015, Vol.123, p.115-121. http://dx.doi.org/10.1016/j.carbpol.2015.01.028
407. Ю.В. Луняков, С.А. Балаган. Модуль упругости кремниевых и германиевых фуллеренов Si60 и Ge60 . ФТТ, 2015, Т.57, вып.6, С.1058-1063.
408. Yu.V. Lunyakov, S.A. Balagan. Bulk moduli of the silicon and germanium fullerenes Si60 and Ge60. Physics of the Solid State, Vol. 57, No. 6, 2015, P. 1073-1078.
409. D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Tailoring of spin-split metallic surface-state bands on silicon. Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 2015, Vol. 201, P.81-87. (doi:10.1016/j.elspec.2014.09.006) http://dx.doi.org/10.1016/j.elspec.2014.09.006
410. А.А. Алексеев, Д.А. Олянич, Т.В. Утас, В.Г. Котляр, А.В. Зотов, А.А. Саранин. СТМ-наблюдение сверхтонких эпитаксиальных пленок CoSi2(111), выращенных при высокой температуре. ЖТФ, 2015, Т. 85, вып. 10, С. 94-100. http://journals.ioffe.ru/jtf/2015/10/p94-100.pdf
411. A.A. Alekseev, D.A. Olyanich T.V. Utas, V.G. Kotlyar, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Scanning tunneling microscopy observation of ultrathin epitaxial CoSi2(111) films grown at a high temperature. Technical Physics, 2015, Vol. 60, No.10, P.1508-1514. DOI:10.1134/S1063784215100023
412. Н.И. Плюснин, В.М. Ильященко, П.А. Усачев, В.В. Павлов. Рост, структурные и магнитные свойства многослойных нанопленок из Fe, Co и Cu на кремнии. ЖТФ, 2015, Т. 85, вып. 10, С. 87-93.
413. N.I. Plyusnin V.M. Il’yashchenko P.A. Usachev V.V. Pavlov. Growth and structural and magnetic properties of multilayer Fe, Co, and Cu nanofilms on silicon. Technical Physics, 2017, Vol. 60, No.10, P.1501-1507. DOI:10.1134/S1063784215100266
414. D.B. Migas, V.O. Bogorodz, A.B. Filonov, V.L. Shaposhnikov, V.E. Borisenko, N.G. Galkin. Electronic properties of semiconducting Ca2Si silicide: From bulk to nanostructures by means of first principles calculations. Japanese Journal of Applied Physics, 2015, Vol. 54, P. 07JA03-7. http://dx.doi.org/10.7567/JJAP.54.07JA03
415. Alexander Shevlyagin, Dmitry Goroshko, Evgeniy Chusovitin, Konstantin Galkin, Nikolay Galkin. Characterization of the silicon/?-FeSi2 nanocrystallites heterostructures for the NIR photodetection at low temperature. Japanese Journal of Applied Physics, 2015, Vol. 54, P. 07JB02-4. http://dx.doi.org/10.7567/JJAP.54.07JB02
416. N.G. Galkin, K.N. Galkin, D.L. Goroshko, I.M. Chernev, A.V. Shevlyagin, L. Dozsa, Z. Osvath, B. Pecz. Non-doped and doped Mg stannide films on Si(111) substrates: Formation, optical, and electrical properties. Japanese Journal of Applied Physics, 2015, Vol. 54, P. 07JC06-9. http://dx.doi.org/10.7567/JJAP.54.07JC06
417. S.V. Eremeev, E.N. Chukurov, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Atomic arrangement and electron band structure of Si(111)-?-?3x?3-Bi reconstruction modified by alkali-metal adsorption: ab initio study. J.Phys.: Condens.Matter, 2015, Vol.27, No.30, P.305003 (5pp). http://iopscience.iop.org/0953-8984, doi:10.1088/0953-8984/27/30/305003
418. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.V. Matetskiy, A.V. Zotov, and A.A. Saranin. Incommensurate superstructure in heavily doped fullerene layer on Bi/Si(111) surface. The Journal of Chemical Physics, 2015, Vol.143, P.074707-6. http://dx.doi.org/10.1063/1.4928866 ; doi:10.1063/1.4928866; http://jcp.aip.org/jcp/staff.jsp
419. D.A. Olyanich, V.V. Mararov, T.V. Utas, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Self-assembled C60 layers on incommensurate Cu/Si(111)‘pseudo-5?5’ surface. Surface Science, 2015, Vol.642, P.6-10. (http://dx.doi.org/10.1016/j.susc.2015.07.027) doi:10.1016/j.susc.2015.07.027
420. A.V. Matetskiy, I.A. Kibirev, T. Hirahara, S. Hasegawa, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Direct observation of a gap opening in topological interface states of MnSe/Bi2Se3 heterostructure. Applied Physics Letters, 2015, Vol. 107, No.9, P.091604-4. http://dx.doi.org/10.1063/1.4930151
421. В.В. Балашев, В.А. Викулов, Т.А. Писаренко, В.В. Коробцов. Влияние давления кислорода на текстуру пленки магнетита, вырашенного методом реактивного осаждения на поверхности SiO2/Si(001). ФТТ, 2015, Т.57, вып.12, С.2458-2462.
422. A.V. Matetskiy, S. Ichinokura, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin, R. Hobara, A.Takayama, and S. Hasegawa. Two-dimensional superconductor with a giant Rashba effect: One-atom-layer Tl-Pb compound on Si(111). Physical Review Letters, 2015, Vol.115, Iss.14, P. 147003(5). DOI:10.1103/PhysRevLett.115.147003, http://prl.aps.org/ http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.115.147003
423. A.V. Shevlyagin, D.L. Goroshko, E.A. Chusovitin, K.N. Galkin, N.G. Galkin, A.K. Gutakovskii. Enhancement of the Si p-n diode NIR photoresponse by embedding ?-FeSi2 nanocrystallites. Scientific Reports, 2015, Vol.5, Article number: 14795 | DOI: 10.1038/srep14795, 9 P. ISSN (online) 2045-2322 An online-only Journal! Journal Country/Territory: ENGLAND Publisher: NATURE PUBLISHING GROUP Publisher Address: MACMILLAN BUILDING, 4 CRINAN ST, LONDON N1 9XW, ENGLAND JCR(ISI), ВАК, SCOPUS - да, РИНЦ-нет) ; Impact factor: 5.578; doi:10.1038/srep14795; http://www.nature.com/articles/srep14795
424. С.А. Лященко, З.И. Попов, С.Н. Варнаков, Е.А. Попов, М.С. Молокеев, И.А. Яковлев, А.А. Кузубов, С.Г. Овчинников, Т.С. Шамирзаев, А.В. Латышев, А.А. Саранин. Исследование оптических и магнитооптических спектров магнитных силицидов Fe5Si3 и Fe3Si методом спектральной магнитоэллипсометрии. ЖЭТФ, 2015. Т. 147, Вып. 5, С. 1023-1031. DOI: 10.7868/S004445101505016X
425. S.A. Lyashchenko, Z.I. Popov, S.N. Varnakov, E.A. Popov, M.S. Molokeev, I.A. Yakovlev, A.A. Kuzubov, S.G. Ovchinnikov, T.S. Shamirzaev, A.V. Latyshev, A.A. Saranin. Analysis of optical and magnetooptical spectra of Fe5Si3 and Fe3Si magnetic silicides using spectral magnetoellipsometry. Journal of Experimental and Theoretical Physics, 2015, V. 120, Iss. 5, P.886-893. DOI: 10.1134/S1063776115050155
426. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.V.Matetskiy, A.Y. Tupchaya, E.N. Chukurov, C.-R. Hsing, C.-M. Wei, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Atomic structure and electronic properties of the two-dimensional (Au,Al)/Si(111)2x2 compound. Physical Review B, 2015, Vol. 92, P.245407-7. http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.92.245407
378. A.S. Gouralnik, M.V. Ivanchenko. Tailoring the indium island sizes on the silicon surface by controlling the deposition rate. Interplay between the size selectivity due to the quantum confinement effect and kinetic factors. Solid State Commun., 2014, Vol. 177, P. 46-49.
379. L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.A. Yakovlev, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, M.V. Ryzhkova, D.A. Tsukanov, E.A. Borisenko, E.N. Chukurov, N.V. Denisov, O. Vilkov, D.V. Vyalikh, A.V. Zotov and A.A. Saranin. Effect of Na adsorption on structural and electronic properties of Si(111)v3xv3-Au surface. J.Phys.: Condens.Matter, 2014, Vol.26, No.5, P. 055009 (7 pp).
380. D.A. Olyanich, T.V. Utas, V.G. Kotlyar, A. V. Zotov, A. A. Saranin, L. N. Romashev, N.I. Solin, V.V. Ustinov. C60 layer growth on the Co/Si(111)v7xv7 surface. Applied Surface Science, 2014, Vol.292, P.954-957.
381. N.V. Denisov, E.N. Chukurov, Yu.V. Luniakov, O.A. Utas, S.G. Azatyan, A.A. Yakovlev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Two-dimensional bismuth–silver structures on Si(111). Surface Science, 2014, Vol. 623, P.17-24.
382. M.V. Ryzhkova, D.V. Gruznev, E.A. Borisenko, D.A. Tsukanov. Sodium doping of Bi/Si(111) ultra-thin films. Solid State Phenomena, 2014, Vol.213, P.65-70. (Online journal. ISSN online: 1662-9779, SCOPUS – да, РИНЦ –да, ВАК-нет, JCR – нет - WoS не индексирует: PUBLISHER: Trans Tech Publications Ltd., Switzerland) (doi: 10.4028/www.scientific.net/SSP.213.65)
383. T.A. Pisarenko, V.V. Korobtsov, V.A. Vikulov, A.A. Dimitriev, V.V. Balashev. The influence of seed layer on growth of magnetite films on the SiO2/Si(001) surface. Solid State Phenomena, 2014, Vol.213, P.51-55. (doi: 10.4028/www.scientific.net/SSP.213.51)
384. V.A. Vikulov, A.A. Dimitriev, V.V. Balashev, T.A. Pisarenko, A.M. Maslov, V.V. Korobtsov. Electrical transport features in Fe3O4/SiO2/n-Si hybrid structures. Solid State Phenomena, 2014, Vol.213, P.56-59. (doi: 10.4028/www.scientific.net/SSP.213.56)
385. N.G. Galkin, D.A. Bezbabnyi, S.A. Dotsenko, K.N. Galkin, I.M. Chernev, E.A. Chusovitin, P. Nemes-Incze, L. Dosza, B. Pecz, T.S. Shamirzaev, A.K. Gutakovski. Structure and optical properties of Ca silicide films and Si/Ca3Si4/Si(111) heterostructures. Solid State Phenomena, 2014, Vol.213, P.71-79. (doi:10.4028/www.scientific.net/SSP.213.71).
386. N.G. Galkin, Y.T. Yan, E.A. Chusovitin, A.B. Rasin, K.N. Galkin. M.V. Bozhenko, V.V. Mararov, V.M. Astashinsky, A.M. Kuzmitsky. Influence of preliminary plasma processing on luminescent properties of porous silicon. Solid State Phenomena, 2014, Vol.213, P.90-95. (doi:10.4028/www.scientific.net/SSP.213.90).
387. Н.Г. Галкин, Д.Т. Ян, Е.А. Чусовитин, А.Б. Расин, К.Н. Галкин, М.В. Боженко, В.В. Мараров, В.М. Асташинский, А.М. Кузьмицкий. Влияние предварительной плазменной обработки на люминесцентные свойства пористого кремния. Оптический журнал, 2014, Т. 81, вып. 8, С. 14-18. 2012 ImpactFactor: 0.245
388. S.A. Dotsenko, A.S. Gouralnik, N.G. Galkin, K.N. Galkin, A.K. Gutakovski and M.A. Neklyudova. Formation of Mg silicides on amorphous Si. Origin and role of high pressure in the film growth. Materials Chemistry and Physics, 2014, Vol. 148, issue 3, P.1078-1082 (DOI:10.1016/j.matchemphys.2014.09.021).
389. Yu.F. Komnik, V.V. Andrievskii, I.B. Berkutov, I.G. Mirzoiev, N.G. Galkin, D.L. Goroshko. The 2D conducting system formed by nanocrystallites CrSi2 in the (111) plane of silicon: New object. Physica E, 2014, Vol. 64, P. 165–168. (DOI:10.1016/j.physe.2014.07.008, Impact-factor 1.856 ISSN: 1386-9477, e-ISSN: 1873-1759)
390. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.A. Yakovlev, A.Y. Tupchaya, S.V. Eremeev, E.V. Chulkov, Jyu-Pin Chou, Ching-Ming Wei, Ming-Yu Lai, Yuh-Lin Wang, A.V. Zotov & A.A. Saranin. A strategy to create spin-split metallic bands on silicon using a dense alloy layer. Scientific Reports, 2014, Vol.4, Article number: 4742 | DOI: 10.1038/srep04742, 5 P.
391. J.P. Chou, C.M. Wei, Y.L. Wang, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, A.Y. Tupchaya, A.V. Zotov, and A.A. Saranin. Atomic structure and electronic properties of In/Si(111)2x2 surface. Physical Review B, 2014, Vol. 89, Iss. 15, P.155310-5. DOI:10.1103/PhysRevB.89155310
392. D.A. Olyanich, T.V. Utas, A.A. Alekseev, V.G. Kotlyar, A. V. Zotov, A. A. Saranin. Structure of the Co/Si(111)v13xv13 surface revisited. Surface Science, 2014, Vol.625, P.57-63. http://dx.doi.org/10.1016/j.susc.2014.03.009
393. Н.И. Плюснин, В.М. Ильященко, С.А. Китань, В.-Ч. Лин, Ч.-Ч. Куо. Влияние тепловой мощности атомарного потока Fe на формирование нанопленок Cu/Fe на Si(001). ЖТФ, 2014, Т. 84, вып. 7, С. 72-81.
394. N.I. Plyusnin, V.M. Ilyaschenko, S.A. Kitani, W.Ch. Lin, Ch.-Ch. Kuo. Influence of thermal power of Fe atomic flux on the formation of Cu/Fe nanofilms on Si(001) substrate. Technical Physics, July 2014, Vol. 59, Issue 7, P.1017-1026.
395. Cheng-Jui Tsai, Kun-Jen Hsueh, N. Plusnin, Chien-Cheng Kuo, Wen-Chin Lin. Growth, thermal stability and magnetism of Ni ultrathin films on O-3x3/W(111) surface. Applied Surface Science, 2014. Vol. 313. P. 166-171. (DOI:10.1016/j.apsusc.2014.05.180)
396. N.V. Volkov, A.S. Tarasov, D.A. Smolyakov, A.O. Gustaitsev, V.V. Balashev, V.V. Korobtsov. The bias-controlled giant magnetoimpedance effect caused by the interface states in a metal-insulator-semiconductor structure with the Schottky barrier. Applied Physics Letters, 2014, Vol. 104, P.222406-5.
397. N.I. Sibirev, V.G. Dubrovskii, A.V. Matetskiy, L.V. Bondarenko, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Size distributions of fullerene surface clusters. Applied Surface Science, 2014, Vol. 307, P.46-51.
398. Yu. Luniakov. DFT simulation of the extra Me adatom diffusion on the Ge(111) v3xv3 1/3 ML induced surfaces. Solid State Phenomena, 2014, Vol. 213, P.12-18. (doi:10.4028/www.scientific.net/SSP.213.12)
353. Dmitry A Olyanich, Vasily G Kotlyar, Tatiana V Utas, Andrey V Zotov and Alexander A Saranin. The manipulation of C60 in molecular arrays with an STM tip in regimes below the decomposition threshold. Nanotechnology, 2013, Vol.24, P.055302-8.
354. Д.А. Цуканов, М.В. Рыжкова, Е.А. Борисенко. Влияние стехиометрического состава поверхностной фазы Si(111)v21xv21-(Au,Ag) на электрическую проводимость подложки. Физика и техника полупроводников, 2013, Т. 47, вып. 6, С.765-771.
355. D.A. Tsukanov, M.V. Ryzhkova, E.A. Borisenko. Effect of the stoichiometric composition of the Si(111) v21xv21-(Au,Ag) surface phase on substrate conductivity. Semiconductors, 2013, Vol. 47, No. 6, P.775-781.
356. E.V. Sokolova, E.A. Chusovitin, A.O. Barabanova, S.A. Balagan, N.G. Galkin, I.M. Yermak. Atomic force microscopy imaging of carrageenans from red algae of Gigartinaceae and Tichocarpaceae families. Carbohydrate Polymers, 2013, Vol. 93, P.458-465. . (ISSN печ: 0144-8617, ВАК, JCR, SCOPUS-да; РИНЦ-нет; Impact Factor 3,628; Journal Country/Territory: ENGLAND, Publisher: ELSEVIER SCI LTD, Publisher Address: THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD OX5 1GB, OXON, ENGLAND); DOI: 10.1016/j.carbpol.2012.12.026
357. D.V. Gruznev, A.V. Matetskiy, L.V. Bondarenko, A.V. Zotov, A.A. Saranin, J.P. Chou, C.M. Wei, Y.L. Wang. Dim C60 fullerenes on Si(111) v3xv3-Ag surface. Surface Science, 2013, Vol. 612, P.31-36. (DOI: 10.1016/j.susc.2013.02.007)
358. D.V. Gruznev, A.V. Matetskiy, L.V. Bondarenko, O.A. Utas, A.V. Zotov, A.A. Saranin, M.Y.Lai, J.P. Chou, C.M. Wei, and Y.L. Wang. Stepwise self-assembly of C60 mediated by atomic scale moire magnifiers. Nature Communications, 2013, Vol.4, Article number: 1679 | DOI: 10.1038/ncomms2706, 7 P. (ISSN: 2041-1723 - An online-only Journal! Journal Country/Territory: ENGLAND. Publisher: NATURE PUBLISHING GROUP. Macmillan Publishers Limited. Publisher Address: MACMILLAN BUILDING, 4 CRINAN ST, LONDON N1 9XW, ENGLAND. JCR(ISI), ВАК, SCOPUS - да, РИНЦ-нет)
359. L.V. Bondarenko, D.V. Gruznev, A.A. Yakovlev, A.Y. Tupchaya, D. Usachov, O. Vilkov, A. Fedorov, D.V. Vyalikh, S.V. Eremeev, E.V. Chulkov, A.V. Zotov & A.A. Saranin. Large spin splitting of metallic surface-state bands at adsorbate-modified gold/silicon surfaces. Scientific Reports, 2013, Vol.3, Article number: 1826 | DOI: 10.1038/srep01826, 6 P. ISSN (online) 2045-2322 An online-only Journal! Journal Country/Territory: ENGLAND Publisher: NATURE PUBLISHING GROUP Publisher Address: MACMILLAN BUILDING, 4 CRINAN ST, LONDON N1 9XW, ENGLAND JCR(ISI), ВАК, SCOPUS - да, РИНЦ-нет)
360. A.V. Matetskiy, L.V. Bondarenko, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin, J.P. Chou, C.R. Hsing, C.M. Wei, Y.L. Wang. Peculiar diffusion of C60 on In-adsorbed Si(111)v3?v3-Au surface. Surface Science, 2013, Vol. 616, P.44-50. DOI: 10.1016/j.susc.2013.05.011
361. Yu.V. Luniakov. Extra metal adatom surface diffusion simulation on 1/3 ML Si(111) v3xv3 metal-induced surfaces. Physica Scripta, 2013, V.88, P.035604-8. (ISSN печ: 0031-8949, ВАК, JCR, SCOPUS-да; РИНЦ-нет; Impact Factor 1,032; Journal Country/Territory: SWEDEN; Publisher: IOP PUBLISHING LTD; Publisher Address: TEMPLE CIRCUS, TEMPLE WAY, BRISTOL BS1 6BE, ENGLAND)
362. A.V. Matetskiy, L.V. Bondarenko, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin, M.C. Tringides. Structural transformations in Pb/Si(111) phases induced by C60 adsorption. J.Phys.: Condens.Matter, 2013, Vol.25, No.39, P.395006 (8pp).
363. В.Г. Котляр, Б.К. Чурусов, Д.А. Олянич, Т.В. Утас, Д.В. Грузнев, А. В. Зотов, А.А. Саранин. Модификация держателя образца для сканирующего туннельного микроскопа VT STM (OMICRON). ПТЭ, 2013, № 6, С. 105-109.
364. V.G. Kotlyar, B.K. Churusov, D.A. Olyanich, T.V. Utas, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Modification of the sample holder for a variable nemperature scanning tunneling microscope (Omicron). Instruments and Experimental Techniques, 2013, Vol.56, No.6, P.712–715.
365. L. Dozsa, G. Molnar, Z. Zolnai, L. Dobos, B. Pecz, N.G. Galkin, S.A. Dotsenko, D.A. Bezbabny, D.V. Fomin. Formation and characterization of semiconductor Ca2Si layers prepared on p-type silicon covered by an amorphous silicon cap. J. Mater. Sci., 2013, Vol.48, P. 2872-2882. (DOI: 10.1007/s10853-012-6945-6)
366. A.S. Gouralnik, S.A. Dotsenko, N.G. Galkin, V.A. Ivanov, V.S. Plotnikov, E.V. Pustovalov, A.I. Cherednichenko, A.K. Gutakovski, M.A. Neklyudova. Formation of iron and iron silicides on silicon and iron surfaces. Role of the deposition rate and volumetric effects. Appl.Phys.A, 2013, Vol.112, P.507-515. (DOI: 10.1007/s00339-112-7440-2)
367. Н.Г. Галкин, С.В. Ваванова, К.Н. Галкин, Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, В.И. Нуждин. Наносекундный импульсный отжиг кремния, имплантированного ионами магния. ЖТФ, 2013, Т.83, вып. 1, С.99-104. (ISSN 0044-4642, http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/)
368. N.G. Galkin, S.V. Vavanova, K.N. Galkin, R.I. Batalov, R.M. Bayazitov, V.I. Nuzhdin. Pulsed nanosecond annealing of magnesium-implanted silicon. Tech. Phys., 2013, Vol. 58, No.1, P.94-99. (ISSN 1063-7842; DOI: 10.1134/S1063784213010064)
369. Н.Г. Галкин, Д.А. Безбабный, К.Н. Галкин, С.А. Доценко, И.М. Чернев, А.В. Вахрушев. Формирование, оптические и электрические свойства пленок Ca3Si4 и двойных гетероструктур Si/Ca3Si4/Si(111). Химическая физика и мезоскопия, 2013, Т. 15, №3, С. 385-392. (ВАК и РИНЦ - да, JCR и SCOPUS – нет. ISSN печ: 1727-0227, ISSN online: 1727-0529)
370. N.G. Galkin, D.L. Goroshko, E.A. Chusovitin, K.N. Galkin, S.A. Dotsenko. Silicon-silicide quasi-zero dimensional heterostructures for silicon based photonics, opto- and thermoelectronics. Phys.Stat.Solidi C, 2013, Vol. 10, No. 12, P. 1670-1676. (Online ISSN: 1610-1642; ISSN печ.: 1862-6351, DOI: 10.1002/pssc.201300501) Impact factor – нет, SCOPUS -да
371. N.G. Galkin, K.N. Galkin, I.M. Chernev, R. Fajgar, The Ha Stuchlikova, Z. Remes, J. Stuchlik. Technological possibilities of Si:H thin film deposition with embedded cubic Mg2Si nanoparticles. Phys.Stat.Solidi C, 2013, Vol. 10, No. 12, P. 1712-1716. (DOI: 10.1002/pssc.201300362)
372. K.N. Galkin, N.G. Galkin, L. Dozsa, S.A. Dotsenko, I.M. Chernev, S.V. Vavanova, L. Dobos, B. Pecz. Growth, structure, optical and electrical properties of Si/2D Mg2Si/Si(111) double heterostructures and Schottky diodes on their base. Phys.Stat.Solidi C, 2013, Vol. 10, No. 12, P. 1720-1723. (DOI: 10.1002/pssc.201300366)
373. A.S. Gouralnik, Ko-Wei Lin, S.A. Dotsenko, N.G. Galkin, V.S. Plotnikov, E.V. Pustovalov, A.I. Cherednichenko, S.V. Vavanova, A.V. Shevlyagin, A.K. Gutakovski, M.A. Neklyudova. Brief observe on iron silicide growth on amorphous silicon. Phys.Stat.Solidi C, 2013, Vol. 10, No. 12, P. 1742-1745. (DOI: 10.1002/pssc.201300518)
374. N.G. Galkin, D.A. Bezbabnyi, K.N. Galkin, S.A. Dotsenko, E. Zielony, R. Kudrawiec, J. Misiewicz. Formation and optical properties of semiconducting thick Ca silicide films and Si/CaxSi/Si heterostructures on Si(111) substrate. Phys.Stat.Solidi C, 2013, Vol. 10, No. 12, P. 1819–1823. (DOI: 10.1002/pssc.201300364)
375. K.N. Galkin, R.I. Batalov, R.M. Bayazitov, H.A. Novikov, V.A. Shustov, D.A. Bizyaev, P.I. Gaiduk, G.D. Ivlev,S.L. Prokopyev. Structural and optical properties of magnetron sputtered and pulsed beam annealed Ge/Si layers. Phys.Stat.Solidi C, 2013, Vol. 10, No. 12, P. 1824–1827. (DOI: 10.1002/pssc.201300365)
376. D. Goroshko, E. Chusovitin, A. Shevlyagin, M. Bozhenko, R. Batalov, R. Bayazitov, N. Galkin. Enhancement of near IR sensitivity of silicon-silicide based photodetectors. Phys.Stat.Solidi C, 2013, Vol. 10, No. 12, P 1844–1846. (DOI: 10.1002/pssc.201300402)
377. E. Chusovitin, D. Goroshko, A. Shevlyagin, N. Galkin, T. Shamirzaev, A. Gutakovskiy, S. Balagan, S. Vavanova. Electroluminescence properties of p-Si/? -FeSi2 NCs/…/n-Si mesa diodes with embedded multilayers of ? -FeSi2 nanocrystallites. Phys.Stat.Solidi C, 2013, Vol. 10, No. 12, P 1850–1853. (DOI: 10.1002/pssc.201300407)
327. K.N. Galkin, E.A. Chusovitin, M. Kumar, S.M. Shivaprasad, N.G. Galkin, D.L. Goroshko. The study of Si(5 5 12) cleaning in the ultra-high vacuum conditions. Physics Procedia, 2012, Vol.23, P.29-32.
328. D.L. Goroshko, K.N. Galkin, E.A. Chusovitin, N.G. Galkin, M. Kumar, S.M. Shivaprasad. An influence of Mg adsorption on the Si(5 5 12) substrate conductivity and surface morphology. Physics Procedia, 2012, Vol.23, P.33-36.
329. S.A. Dotsenko, K.N. Galkin, E.A. Chusovitin, D.L. Goroshko, N.G. Galkin. Influence of the Si(111)-2?2-Fe surface reconstruction on formation, morphology and optical properties of manganese silicide. Physics Procedia, 2012, Vol.23, P.37-40.
330. S.A. Dotsenko, K.N. Galkin, D.A. Bezbabny, D.L. Goroshko, N.G. Galkin. Formation, optical and electrical properties of a new semiconductor phase of calcium silicide on Si(111). Physics Procedia, 2012, Vol.23, P.41-44.
331. S.V. Vavanova, K.N. Galkin, N.G. Galkin, R.I. Batalov, R.M. Bayazitov. Synthesis of Mg2Si precipitates in Mg-implanted silicon by pulsed ion-beam treatment. Physics Procedia, 2012, Vol.23, P.45-48.
332. N.V. Denisov, A.A. Yakovlev, O.A. Utas, S.G. Azatyan, A.V. Zotov, A.A. Saranin, L.N. Romashev, N.I. Solin, V.V. Ustinov. Ordered Mn-diluted Au/Si(111) reconstructions. Surf.Sci., 2012, Vol. 606, Iss.1-2, P.104-109.
333. И.А. Куянов, А.А. Алексеев, А.В. Зотов. Формирование и свойства тонких пленок силицидов железа на поверхности Si(111): моделирование из первых принципов. Письма в ЖТФ, 2012, Т.38, вып.5, С.28-34.
334. I.A. Kuyanov, A.A. Alekseev, and A.V. Zotov. Formation and properties of thin films of Iron silicides on Si(111) surface: Ab Initio simulation. Tech.Phys.Lett., 2012, Vol. 38, No. 3, P.215-217.
335. Н.И. Плюснин, Н.А. Тарима, В.М. Ильященко, С.А. Китань. Модификация монослойной прослойки нижележащим подслоем и её влияние на механизм роста пленки. Письма в ЖТФ, 2012, Т.38, вып.7, С.48-55.
336. В.А. Викулов, В.В. Балашев, Т.А. Писаренко, А.А. Дмитриев, В.В. Коробцов. Влияние температуры синтеза на структурные и магнитные свойства пленок Fe3O4 на поверхности SiO2/Si(001). Письма в ЖТФ, 2012, Т.38, вып.7, С.73-80.
337. V.A. Vikulov, V.V. Balashev, T.A. Pisarenko, A.A. Dimitriev, V.V. Korobtsov. The effect of synthesis temperature on structural and magnetic properties of Fe3O4 films grown on the SiO2/Si(001) surface. Tech.Phys.Lett., 2012, Vol. 38, No. 4, P.336-339.
338. K.V. Ignatovich, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Characterization of Si(111)?3x?3-(Au,In) surface by optical second-harmonic generation. Appl.Surf.Sci., 2012, Vol.258, Iss. 10, P.4642-4644.
339. М.В. Иванченко, В.А. Гриценко, А.В. Непомнящий, А.А. Саранин. Усиление электронно-стимулированной десорбции от аморфных пленок оксида алюминия на кремнии при повышении температуры подложки. ЖТФ, 2012, Т.82, вып. 5, С.115-119.
340. M.V. Ivanchenko, V.A. Gritsenko, A.V. Nepomnyashchii, A.A.Saranin. Enhancement of the electron-stimulated desorption from amorphous aluminium oxide films on silicon during an increase in the substrate temperature. Tech.Phys., 2012, Vol. 57, No.5, P.693-696.
341. А.С. Федоров, А.А. Кузубов, Т.А. Кожевникова, Н.С. Елисеева, Н.Г. Галкин, С.Г. Овчинников, А.А. Саранин, А.В. Латышев. Особенности структуры и свойств нанопленок ?-FeSi2 и интерфейса ?-FeSi2/Si. Письма в ЖЭТФ, 2012, Т.95, Вып.1, С.23-28.
342. A.S. Fedorov, A.A. Kuzubov, T.A. Kozhevnikova, N.S. Eliseeva, N.G. Galkin, S.G. Ovchinnikov, A.A.Saranin, A.V. Latyshev. Features of the structure and properties of beta-FeSi2 nanofilms and a beta-FeSi2/Si interface. JETP Letters, 2012, Vol. 95, Iss. 1, P. 20-24.
343. В.А. Викулов, В.В. Балашев, Т.А. Писаренко, А.А. Дмитриев, В.В. Коробцов. Исследование методом комбинационного рассеяния света тонких пленок магнетита на окисленной поверхности кремния. Письма в ЖТФ, 2012, Т.38, вып.16, С.87-94.
344. V.A. Vikulov, V.V. Balashev, T.A. Pisarenko, A.A. Dimitriev, V.V. Korobtsov. Thin magnetite films on an oxidized silicon surface: Raman spectroscopy study. Tech.Phys.Lett., 2012, Vol. 38, No.8, P.772-775.
345. E.N. Chukurov, A.A. Alekseev, V.G. Kotlyar, D.A. Olyanich, A.V. Zotov, A.A. Saranin. First-principles study of Si(111) ?31x?31-In reconstruction. Surface Science, 2012, Vol. 606, P.1914-1917.
346. V.G. Kotlyar, D.A. Olyanich, T.V. Utas, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Self-assembly of C60 fullerenes on quasi-one-dimensional Si(111)4x1-In surface. Surface Science, 2012, Vol. 606, P.1821-1824.
347. D.A. Tsukanov, M.V. Ryzhkova, E.A. Borisenko, L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Surface conduction at phase transitions in (Au,Ag)/Si(111) submonolayer films. Appl.Surf.Sci., 2012, Vol.258, Iss. 24, P.9636-9641.
348. N.G. Galkin, E.A. Chusovitin, D.L. Goroshko, A.V. Shevlyagin, A.A. Saranin, T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev, A.V. Latyshev. Room temperature 1.5 ?m light-emitting silicon diode with embedded ?-FeSi2 nanocrystallites. Appl.Phys.Lett., 2012, Vol. 101, P.163501-4.
349. D. Usachov, A. Fedorov, O. Vilkov, V.K. Adamchuk, L.V. Yashina, L. Bondarenko, A.A. Saranin, A. Gruneis, D.V. Vyalikh. Experimental and computational insight into the properties of the lattice-mismatched structures: Monolayers of h-BN and graphene on Ir(111). Phys.Rev. B, 2012, Vol.86, Iss.15, P.155151-9.
350. A. Ognev, M. Stebliy, A. Samardak, L. Chebotkevich. An influence of boundary effects and spatial symmetry on magnetization reversal of nanodisk arrays. IEEE Transactions on Magnetics, 2012, Vol. 48, Iss. 11, P. 3651-3653. (ВАК, JCR, SCOPUS- да, РИНЦ – нет. ISSN печ: 0018-9464 Publisher: USA, Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
351. M.E. Stebliy, A.V. Ognev, A.S. Samardak, K.S. Diga, L.A. Chebotkevich. 3-D architectural approach for manipulation of the micromagnetic configuration in nanodisks. IEEE Transactions on Magnetics, 2012, Vol. 48, Iss. 11, P. 4406-4408.
352. A.V. Davydenko, E.V. Pustovalov, A.V. Ognev, L.A. Chebotkevich. Magnetization reversal in the single epitaxial Co(111) nanowires with step-induced anisotropy. IEEE Transactions on Magnetics, 2012, Vol. 48, Iss. 11, P. 3128-3131.
303. S.G. Azatyan, O.A. Utas, N.V. Denisov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Variable termination of MnSi/Si(111)v3?v3 films and its effect on surface properties. Surf.Sci., 2011, Vol. 605, Iss. 3-4, P. 289-295.
304. M.Y. Lai, J.P. Chou, O.A. Utas, N.V. Denisov, V.G. Kotlyar, D. Gruznev, A. Matetsky, A.V. Zotov, A.A. Saranin, C.M. Wei, Y.L. Wang. Broken even/odd symmetry in self-selection of distances between nanoclusters due to presence/absence of topological solitons. Phys.Rev.Lett., 2011, V.106, P.166101(4). http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.106.166101
305. A.V. Matetskiy, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Modulated C60 monolayers on Si(111)v3?v3-Au reconstructions. Phys.Rev. B, 2011, Vol. 83, No.19, P.195421-7.
306. Л.В. Бондаренко, Д.А. Цуканов, Е.А. Борисенко, Д.В. Грузнев, А.В. Матецкий, А.В. Зотов, А.А. Саранин. Электрическая проводимость системы (Au,In)/Si(111). Труды МФТИ, 2011, Т.3, № 2, С.3-9.
307. D.V. Gruznev, A.V. Matetskiy, L.V. Bondarenko, E.A. Borisenko, D.A. Tsukanov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Strucrural transformations in (Au,In)/Si(111) system and their effect on surface conductivity. Surf. Sci., 2011, Vol.605, P.1420-1425.
308. Y.V. Luniakov. First principle simulations of the surface diffusion of Si and Me adatoms on the Si(111)v3?v3-Me surface, Me = Al, Ga, In, Pb. Surf.Sci., 2011, Vol.605, Iss. 19-20, P.1866-1871.
309. В.В. Балашев, В.В. Коробцов, Т.А. Писаренко, Л.А. Чеботкевич. Особенности формирования пленки Fe3O4 на поверхности Si(111), покрытой тонким слоем SiO2. ЖТФ, 2011, Т.81, вып.10, С.122-128.
310. V.V. Balashev, V.V. Korobtsov, T.A. Pisarenko and L.A. Chebotkevich. Growth of Fe3O4 films on the Si(111) surface covered by a thin SiO2 layer. Technical Physics, 2011, Vol.56, No.10, P.1501–1507.
311. D.V. Gruznev, A.V. Matetskiy, A.V. Zotov, A.A. Saranin, J.P. Chou, C.M. Wei, Y.L. Wang. Interplay between adsorbed C60 fullerenes and point defects on Si(111) ?3??3-In reconstructed surface. Surf.Sci., 2011, Vol.605, Iss. 23-24, P.2050-2054.
312. D.V. Gruznev, A.V. Matetskiy, I.V. Gvozd, A.V. Zotov, A.A. Saranin. C60 adsorption onto the one-atomic-layer In films on Si(111) surface. Surf.Sci., 2011, Vol.605, Iss. 23-24, P.1951-1955.
313. Yu.P. Ivanov, A. I. Ilin, A.V. Davydenko, and A.V. Zotov. Optimal Cu buffer layer thickness for growing epitaxial Co overlayers on Si(111)7?7. J.Appl.Phys., 2011, Vol.110, Iss.8, P.083505-6.
314. D.A. Tsukanov, M.V. Ryzhkova, E.A. Borisenko, L.V. Bondarenko, A.V. Matetskiy, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, and A.A. Saranin. Effect of C60 layer on the growth mode and conductance of Au and Ag films on Si(111)?3-Au and Si(111)?3-Ag surfaces. J. Appl. Phys., 2011, Vol. 110, Iss.9, P.093704-5.
315. L. Dozsa, S. Lanyi, V. Raineri, F.Giannazzo, N.G. Galkin. Microscopic study of electrical properties of CrSi2 nanocrystals in silicon. Nanoscale Research Letters, 2011, Vol. 6, No. 1, P. 209-213. (ISSN online: 1556-276X, ISSN печ: 1931-7573, ВАК, JCR, SCOPUS-да; РИНЦ-нет, Impact Factor 2,89; Springer New York LLC, 233 SPRING ST, NEW YORK, NY 10013, UNITED STATES)
316. N.G. Galkin, E.A. Chusovitin, T.S. Shamirsaev, A.K. Gutakovski, A.V. Latyshev. Growth, structure and luminescence properties of multilayer Si/?-FeSi2 NCs/Si/…/Si nanoheterostructures. Thin Solid Films, 2011, Vol. 519, Iss. 24, P. 8480-8484.
317. A.S. Gouralnik, N.G. Galkin, V.A, Ivanov, A.I. Cherednichenko, V.S. Plotnikov, E.V. Pustovalov. Effect of deposition rate and a-Si precursor or cap layer on structure and magnetic properties of iron films on silicon substrates. Thin Solid Films, 2011, Vol. 519, Iss. 24, P. 8520-8523.
318. Северюхина О.Ю., Вахрушев А.В., Галкин Н.Г., Северюхин А.В. Моделирование процессов формирования многослойных наногетероструктур с переменными химическими связями. Химическая физика и мезоскопия, 2011, Т. 1, №1, С. 53-58. (ВАК и РИНЦ - да, JCR и SCOPUS – нет. ISSN печ: 1727-0227, ISSN online: 1727-0529)
319. S.A. Dotsenko, D.V. Fomin, K.N. Galkin, D.L. Goroshko, N.G. Galkin. Growth, optical and electrical properties of Ca2Si film grown on Si(111) and Mg2Si/Si(111) substrates. Physics Procedia, 2011, Vol.11, P.95-98. (SCOPUS-да)
320. K.N. Galkin, N.G. Galkin. Silicon overgrowth atop low-dimensional Mg2Si on Si(111): structure, optical and thermoelecrical properties. Physics Procedia, 2011, Vol.11, P.55-58.
321. D.L. Goroshko, K.N. Galkin, N.G. Galkin. Influence of Si(111)?3??3-R30?-Sb surface phase on the formation and conductance of low-dimensional magnesium silicide layer on Si(111) substrate. Physics Procedia, 2011, Vol.11, P.91-94.
322. K.N. Galkin, M.Kumar, S.M. Shivaprasad, N.G. Galkin. AES and EELS study of desorption of magnesium silicide films on Si(111). Physics Procedia, 2011, Vol.11, P.51-54.
323. K.N. Galkin, M.Kumar, S.M. Shivaprasad, N.G. Galkin. The model of the magnesium silicide phase (??3 ? ??3)-R30? on Si(111). Physics Procedia, 2011, Vol.11, P.45-50.
324. R.I. Batalov, R.M. Bayazitov, V.F. Valeev, N.G. Galkin, D.L. Goroshko, K.N. Galkin, E.A. Chusovitin, P.I. Gaiduk, G.D. Ivlev, E.I. Gatskevich. Formation of nanocrystalline CrSi2 layers in Si by ion implantation and pulsed annealing. Physics Procedia, 2011, Vol.11, P.43-46.
325. N.G. Galkin, V. M. Astashynski, E.A. Chusovitin, K.N. Galkin, T.A. Dergacheva, A.M. Kuzmitski, E.A. Kostyukevich. Ultra high vacuum growth of CrSi2 and ?–FeSi2 nanoislands and Si top layers on the plasma modified monocrystalline silicon surfaces. Physics Procedia, 2011, Vol.11, P.39-42.
326. N.G. Galkin, L. Dozsa, E.A. Chusovitin, S.A. Dotsenko, B. Pecz, L. Dobos. Influence of CrSi2 nanocrystals on the electrical properties of Au/Si-p/CrSi2 NCs/Si(111)-n mesa-diodes. Physics Procedia, 2011, Vol.11, P.35-38.
285. Д.А. Олянич, Д.Н. Чубенко, Д.В. Грузнев, В.Г. Котляр, В.В. Устинов, Н.И. Солин, А.В. Зотов, А.А. Саранин. Адсорбция Co на реконструированные поверхности кремния: Si(100)-c(4?12)-Al и Si(111)-5,55?5,55-Cu. Письма в ЖТФ, 2010, Т.36, вып.3, С.15-22.
286. D.A. Olyanich, D.N. Chubenko, D.V. Gruznev, V.G. Kotlyar, V.V. Ustinov, N.I. Solin, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Effect of Si(100)-c(4?12)-Al and Si(111)-(5.55?5.55)-Cu reconstructions on the deposition of cobalt onto silicon surface. Tech.Phys.Lett., 2010, Vol.36, No.2 P.100-103.
287. В.В. Балашев, В.В. Коробцов, Т.А. Писаренко, Е.А. Чусовитин, К.Н. Галкин. Исследование сверхтонких пленок силицида железа, выращенных твердофазной эпитаксией на поверхности Si(001). ФТТ, 2010, Т.52, вып.2, С.370-376.
288. V.V. Balashev, V.V. Korobtsov, T.A. Pisarenko, E.A. Chusovitin, and K.N. Galkin. Study of ultrathin iron silicide films grown by solid phase epitaxy on the Si(001) surface. Physics of the Solid State, 2010, Vol.52, No.2, P.397-403. (ISSN 1063-7834. Pleiades Publishing, Ltd., 2010)
289. D.V. Gruznev, D.A. Olyanich, D.N. Chubenko, I.V. Gvozd, E.N. Chukurov, Yu.V. Luniakov, I.A. Kuyanov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Diffusion and clustering of adatoms on discommensurate surface template: Ge atoms on Si(111)”5x5”-Cu reconstruction. Surf.Sci., 2010, Vol.604. P.666-673.
290. V.G. Kotlyar, Yu.V. Luniakov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Peculiarities of Al magic cluster self-assembly on Si(100) surface. Surf.Sci., 2010, Vol.604, P.674-678.
291. D.L. Goroshko, N.G. Galkin, A.S. Gouralnik. Influence of the Si(100)-c(4?12)-Al surface phase on formation and electrical properties of thin iron films. J.Appl.Phys., 2010, V. 107, P.063709-7.
292. Н.Г. Галкин, Д.Л. Горошко, К.Н. Галкин, С.В. Ваванова, И.А. Петрушкин, А.М. Маслов, Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, В.А. Шустов. Влияние имплантации ионов Cr+ и импульсного ионного отжига на формирование и оптические свойства гетероструктур Si/CrSi2/Si(111). ЖТФ, 2010, Т.80, вып.7, С.122-130.
293. O.A. Utas, N.V. Denisov, V.G. Kotlyar, A.V. Zotov, A.A. Saranin, J.P. Chou, M.Y. Lai, C.M. Wei, Y.L. Wang. Cooperative phenomena in self-assembled nucleation of 3x4-In/Si(100) surface magic clusters. Surf.Sci., 2010, Vol.604, P.1116-1120.
294. A.A. Alekseev, V.G. Kotlyar, O.A. Utas, D.V. Gruznev, A.V. Matetskiy, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Atomic and electronic structures of Ag/Si(100)-c(6?2)-Ag surface: A first-principles study. Surf.Sci., 2010, Vol.604, P.1400-1405.
295. N.G. Galkin, L. Dozsa, E.A. Chusovitin, B. Pecz, L. Dobos. Migration of CrSi2 nanocrystals through nanopipes in the silicon cap. Appl.Surf.Sci., 2010, V. 256, P.7331-7334.
296. S.V. Vysotskiy, N.G. Galkin, A.V. Barkar, E.A. Chusovitin, A.A. Karabtsov. Hydrothermal precious opals of the Raduzhnoe Deposit, North Primorye: The nature of the opalescence. Russian Journal of Pacific Geology, 2010, Vol.4, No.4, P.347-354.
297. Д.А. Цуканов, Л.В. Бондаренко, Е.А. Борисенко. Стабильность электрических характеристик пленок Au на поверхности Si(111)5.55?5.55-Cu при экспозиции в кислороде. Письма в ЖТФ, 2010, Т.36, вып.19, С.1-7.
298. D.A. Tsukanov, L.V. Bondarenko, E.A. Borisenko. Stability of electric characteristics of Au films on Si(111)5.55?5.55-Cu surface exposed to oxygen. Tech.Phys.Lett., 2010, Vol.36, No.10, P.875-877.
299. D.V. Gruznev, D.N. Chubenko, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Effect of surface potential relief on forming molecular arrays: Tryptanthrin adsorbed on various Si(111) reconstructions. J.Phys.Chem. C, 2010, Vol.114, P.14489-14495.
300. Л.А. Чеботкевич, К.С. Ермаков, В.В. Балашев, А.В. Давыденко, Ю.П. Иванов, А.В. Огнев. Структура и магнитные свойства пленок кобальта на Si(111) и Si(001). Физика металлов и металловедение. 2010. Т.109, №6, С.644-649.
301. L.A. Chebotkevich, K.S. Ermakov, V.V. Balashev, A.V. Davidenko, Yu.P.I vanov, and A.V. Ognev. The structure and magnetic properties of Co films on Si(111) and Si(001) substrates. The Physics of Metals and Metallography, 2010, Vol.109, No.6 P.604-610.
302. J. Hu, A. Kato, T. Sadoh, Y. Maeda, K.N. Galkin, T.V. Turchin, N.G. Galkin, H. Tatsuoka. Optical and electronic properties of M2Si (M=Mg, Ca and Sr) grown by reactive deposition technique. International Journal of Modern Physics B, 2010, Vol. 24, No.19 P.3693-3699. (ISSN: 0217-9792, ВАК, JCR, РИНЦ-нет World Scientific Publishing Co., Singapore)
262. В.В. Балашев, В.В. Коробцов, Т.А. Писаренко, Е.А. Чусовитин. Влияние дефектов тонкого слоя оксида кремния на процессы силицидообразования в системе Fe/SiO2/Si(001). ФТТ, 2009, Т.51, вып.3, С.565-571.
263. V.A. Vikulov, V.V. Korobtsov., A.A. Dimitriev, K. Kim, S. Jung, J. Yi. Comparative study of electro-physical properties of heterostructures containing PECVD nanocrystalline and anodic porous silicon layers. Thin Solid Films, 2009, V.517, P.3912-3915.
264. V.V. Balashev, V.V. Korobtsov, T.A. Pisarenko, E.A. Chusovitin. Influence of defects in a silicon dioxide thin layer on the process of silicidation in the Fe/SiO2/Si(001) system. Physics of the Solid State, 2009, Vol.51, No.3, P.601-607.
265. D.L. Goroshko, N.G. Galkin, A.S. Gouralnik. Electrical properties of thin iron films grown on clean Si(100) and on Si(100)-c(4?12)-Al surface phase. e-J.Surf.Sci.Nanotech., 2009, Vol.7, P.167-172.
266. V.V. Balashev, V.V. Korobtsov, T.A. Pisarenko, E.A. Chusovitin. Thickness dependent formation of iron silicides on clean and boron modified Si(001) surface. e-J.Surf.Sci.Nanotech., 2009, Vol.7, P.577-585.
267. V.G. Zavodinsky, E.N. Chukurov, I.A. Kuyanov. First principles study of boron segregation on the Si(111)(?3??3)R30? surface. Surf.Rev.Lett., 2009, Vol.16, No.2, P.167-170.
268. А.В. Зотов, А.А. Саранин, Д.В. Грузнев, Д.А. Цуканов. Как вырастить нанопроволоку? Природа, 2009, № 6, С.26-34.
269. A.S. Gouralnik, N.G. Galkin, D.L. Goroshko, S.A. Dotsenko, A.A. Alekseev, V.A. Ivanov. Growth and magnetic properties of the sandwich structure Fe/magnetic silicide/Si(100) obtained from in situ optic and magneto-optic data. Solid State Commun., 2009, Vol.149, P.1292-1295.
270. S.A. Dotsenko, N.G. Galkin, E.A. Chusovitin. The method of identification of 2D?3D phase transition. e-J.Surf.Sci.Nanotech., 2009, Vol.7, P.186-190.
271. А.А. Алексеев, И.А. Куянов, А.В. Зотов. Компьютерное моделирование из первых принципов адсорбции монослоя Fe на Si(111). ЖТФ, 2009, т.79, вып.11, С.1-5.
272. A.A. Saranin, A.V. Zotov, O.A. Utas, V.G. Kotlyar, C.M. Wei, Y.L. Wang. Structural properties of Cu clusters on Si(111): Cu2Si magic family. Surf.Sci., 2009, Vol.603, P.2874-2878.
273. Ю.Н. Кульчин, А.А. Пушкин, Ю.Н. Маловицкий, Р.В. Белов, К.Н. Галкин. Применение критерия Мота для анализа проводимостит в Na-?-алюминатах, легированных иттрием. ФТТ, 2009, Т.51, вып.8, С.1530-1532.
274. Dotsenko S.A., Galkin N.G., Galkin K.N. Calculation of desorption parameters for Mg/Si(111) system. e-J.Surf.Sci.Nanotech., 2009, Vol.7, P.816-820.
275. D.L. Goroshko, N.G. Galkin, D.V. Fomin, A.S. Gouralnik, S.V. Vavanova. An investigation of the electrical and optical properties of thin iron layers grown on the epitaxial Si(111)-(2?2)-Fe phase and on an Si(111)7?7 surface. J.Phys.: Condens.Matter, 2009, Vol.21, P.435801 (8pp).
276. К.Н. Галкин, С.А. Доценко, Н.Г. Галкин. In situ ДОС и ХПЭЭ исследования десорбции и роста в системе Si(111)/2D Mg2Si/Si. Химическая физика и мезоскопия, 2009, Т. 11, № 3, С.334-344.
277. Д.Л. Горошко, Д.В. Фомин, А.С. Гуральник, Н.Г. Галкин. Электрические свойства двумерных слоев железа на упорядоченных фазах Si(111)7x7 и Si(111)2x2-Fe. Химическая физика и мезоскопия, 2009, Т. 11, № 3, С.353-360.
278. Е.А. Чусовитин, С.В. Ваванова, И.А. Петрушкин, Н.Г. Галкин, Р.М. Баязитов, Р.И. Баталов, Г.Д. Ивлев, Т.С. Шамирзаев. Влияние импульсного лазерного отжига на рост кремния и оптические свойства гетероструктуры Si/?-FeSi2/Si, изготовленной методами ионной имплантации и молекулярно-лучевой эпитаксии. Химическая физика и мезоскопия, 2009, Т. 11, № 3, С.374-384.
279. Н.Г. Галкин, В.М. Асташинский, Е.А. Чусовитин, К.Н. Галкин, Т.А. Дергачева, А.М. Кузьмицкий, Е.А. Костюкевич. Оптические свойства кремний-силицидных наногетероструктур, сформированных методом последовательного плазменно-эпитаксиального синтеза. Журнал прикладной спектроскопии, 2009, Т. 76, № 6, С.909-915.
280. П.С. Гордиенко, С.Б. Ярусова, С.Б. Буланова, В.А. Колзунов, А.П. Супонина, К.Н. Галкин. Моносиликаты кальция как компоненты композиционных материалов. Технология неорганических веществ и материалов, 2009, Т. 10, № 3, С.143-149.
281. А.Е. Панасенко, Л.А. Земнухова, К.Н. Галкин. Оксогалогениды сурьмы(III): синтез, морфология и оптические свойства, Вестник ДВО РАН, 2009, №2, С.125-128.
282. Н.И. Плюснин, В.М. Ильященко, С.А. Китань, С.В. Крылов. Формирование, электронная структура и стабильность пленочных нанофаз переходных металлов на кремнии. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2009, № 9, С.86-98.
283. A.A. Alekseev, I.A. Kuyanov, A.V. Zotov. Ab Initio computer simulation of adsorption of a Fe monolayer on Si(111). TECHNICAL PHYSICS, 2009, Vol. 54, Iss: 11, P. 1561-1565.
284. D.V. Gruznev, D.A. Olyanich, D.N. Chubenko, D.A. Tsukanov, E.A. Borisenko, L.V. Bondarenko, M.V. Ivanchenko, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Growth of Au thin film on Cu-modified Si(111) surface . Surf.Sci., 2009, V. 603, P.3400-3403.
245. A.V. Zotov, D.V. Gruznev, O.A. Utas, V.G. Kotlyar, A.A. Saranin. Multi-mode growth in Cu/Si(111) system: Magic nanoclustering, layer-by-layer epitaxy and nanowire formation, Surf.Sci., 2008,V. 602, P. 391-398.
246. В.В. Балашев, В.В. Коробцов, Т.А. Писаренко, Е.А. Чусовитин. Соосаждение Fe и Si на поверхность SiO2/Si(001). Материалы электронной техники, 2008, № 1, С.41-47.
247. К.Н. Галкин, С.А. Доценко, Н.Г. Галкин, M. Kumar, Govind, S.M. Shivaprasad. Исследование начальных стадий роста Mg на Si(111) при комнатной температуре методами оптической и электронной спектроскопии. Физика и техника полупр., 2008, Т.42, вып.4, С.485-490.
248. N.G. Galkin, D.L. Goroshko, S.A. Dotsenko, T.V. Turchin. Self-organization of CrSi2 nanoislands on Si(111) and growth of monocrysalline silicon with buried multilayers of CrSi2 nanocrystallites. J.Nanosci.Nanotechnol., 2008, V.8, No.2, P.557-563.
249. N.G. Galkin, D.L. Goroshko, V.O. Polyarnyi, E.A. Chusovitin, V.V. Korobtsov, V.V. Balashev, Y. Khang, L. Dozsa, A.K. Gutakovsky, A.V. Latyshev, T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev. Investigation of multiplayer silicon structures with buried iron silicide nanocrystallites: Growth, structure, and properties. J.Nanosci.Nanotechnol., 2008, V.8, No.2, P.527-534.
250. Н.Г. Галкин, Д.Л. Горошко, Е.А. Чусовитин, В.О. Полярный, Р.М. Баязитов, Р.И. Баталов. Эпитаксиальный рост кремния на кремнии, имплантированном ионами железа, и оптические свойства полученных структур. ЖТФ, 2008, Т.78, вып.2, С.84-90.
251. Н.Г. Галкин, Т.В. Турчин, Д.Л. Горошко. Влияние толщины слоя хрома на морфологию и оптические свойства гетероструктур Si(111)/нанокристаллиты CrSi2/Si(111). ФТТ, 2008, Т.50, вып.2, С.345-353.
252. N.I. Plusnin, V.M. Il’iashchenko, S.A. Kitan’, S.V. Krylov. Metal thin-film nanophases and their interface with silicon. J.Phys.: Conference Series, 2008, V.100, P.052094-4.
253. N.I. Plusnin, G.I. Lazarev. Project of international science-education center and integration problems of nano science education in Far Eastern Region of Asia. J.Phys.: Conference Series, 2008, V.100, P.052030-4.
254. В.М. Корниенко, Н.В. Макарова, А.М. Маслов, Е.В. Мурашкин. Перспективный инструмент высокоскоростной разделки утилизируемых металлических конструкций. Сборка в машиностроении, приборостроении, 2008, № 2, С.38-42.
255. Y.L. Wang, A.A. Saranin, A.V. Zotov, M.Y. Lai, H.H. Chang. Random and ordered arrays of surface magic clusters. Int. Reviews in Phys. Chemistry, 2008, Vol.27, No. 2, P.317-360. http://dx.doi.org/10.1080/01442350801943708
256. D.A. Tsukanov, M.V. Ryzhkova, D.V. Gruznev, O.A. Utas, V.G. Kotlyar, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Self-assembly of conductive Cu nanowires on Si(111)’5?5’-Cu surface. Nanotechnology, 2008, Vol. 19, P.245608-5.
257. N.I. Solin, S.V. Naumov, T.I. Arbuzova, N.V. Kostromitina, M.V. Ivanchenko, A.A. Saranin., N.M. Chebotaev. Intercluster conduction in lightly doped La1-xCaxMnO3 manganites in the paramagnetic temperature range. Physics of the Solid State, 2008, Vol.50, No. 10, P.1908-1917.
258. Н.И. Солин, С.В. Наумов, Т.И. Арбузова, Н.В. Костромитина, М.В. Иванченко, А.А. Саранин, Н.М. Чеботаев. Межкластерная проводимость слаболегированных манганитов La1-xCaxMnO3 в парамагнитной области температур. ФТТ, 2008, Т.50, вып.10, С.1831-1839.
259. D.V. Gruznev, D.A. Olyanich, D.N. Chubenko, Yu.V. Luniakov, I.A. Kuyanov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Relative stabilities of adsorbed versus substitutional Al atoms in submonolayer Al/SixGe1-x(111). Phys.Rev.B, 2008, Vol.78, P.165409-7.
260. A.G. Mirochnik, E.V. Fedorenko, T.A. Kaidalova, E.B. Merkulov, V.G. Kuryavyi, K.N. Galkin, V.E. Karasev. Reversible luminescence thermochromism and phase transition in crystals of thiophenylacetylacetonatoboron difluoride. Journal of Luminescence, 2008, Vol.128, P.1799-1802.
219. В.А. Викулов, В.В. Коробцов. Структурные и оптические свойства пленок нанокристаллического кремния, полученного методом PECVD. Сравнение с пористым кремнием. Микроэлектроника, 2007, Т.36, № 2, С.111-118.
220. A.A. Saranin, A.V. Zotov, M. Kishida, Y. Murata, S. Honda, M. Katayama, K. Oura. Tl/Ge(100) system: Phase formation and phase transitions. Surf. Sci., 2007, V.601, P.595-602.
221. Korobtsov V.V., Balashev V.V., Pisarenko T.A. Fe interaction with native SiO2 on Si(001) studied by RHEED. e-J. Surf. Sci. Nanotech., 2007, V.5, P.45-50.
222. V.A. Vikulov, V.V. Korobtsov. PECVD nanocrystalline silicon films versus porous silicon: structural and optical properties. Russian Microelectronics, 2007, V.36, No.2, P.97-103.
223. М.В. Лавринайтис, Д.А. Цуканов, С.В. Рыжков. Анизотропия электрической проводимости поверхностных фаз In-Si(111). Письма в ЖТФ, 2007, Т.33, вып.11, С.20-24.
224. Н.И. Плюснин, В.М. Ильященко, С.В. Крылов, С.А. Китань. Влияние мощности, переносимой атомарным пучком, на формирование границы раздела Fe/Si(111)7?7. Письма в ЖТФ, 2007, Т.33, вып.11, С.79-86.
225. Н.Г. Галкин, С.А. Доценко, Л.В. Коваль. Оптические свойства «магических» кластеров, формирующихся в системах In/Si(111) и Cr/Si(111). Письма в ЖТФ, 2007, Т.33, вып.9, С.44-52.
226. Н.Г. Галкин, Т.В. Турчин, Д.Л. Горошко, С.А. Доценко, Е.Д. Плехов, А.И. Чередниченко. Формирование наноразмерных островков CrSi2 на Si(111)7?7 и покрывающих эпитаксиальных слоев кремния в гетероструктурах Si(111)/нанокристаллиты CrSi2/Si. ЖТФ, 2007, Т.77, вып.8, С.120-126.
227. A.S. Gouralnik, N.G. Galkin, V.A. Ivanov, M.V. Ivanchenko, E.A. Chusovitin. A pulse-type evaporator for ultrafast deposition of thin films in ultrahigh vacuum. Instruments and experimental techniques, 2007, V.50, No.3, P.408-410.
228. N.I. Plusnin, V.M. Il’yashenko, S.A. Kitan, S.V. Krylov. Formation of Co ultrathin films on Si(111): Growth mechanisms, electronic structure and transport. Appl.Surf.Sci., 2007, V.253, P.7225-7229.
229. Н.Г. Галкин, Д.Л. Горошко, В.О. Полярный, Е.А. Чусовитин, А.К. Гутаковский, А.В. Латышев, Y. Khang. Формирование, кристаллическая структура и свойства кремния со встроенными нанокристаллитами дисилицида железа на подложках Si(100). Физика и техника полупр., 2007, Т.41, вып.9, С.1085-1092.
230. Д.А. Олянич, Д.Н. Чубенко, Д.В. Грузнев, А.В. Зотов, А.А. Саранин. Исследование методом сканирующей туннельной микроскопии роста наноостровков Cu на поверхности Si(100)-c(4?12)-Al. Письма в ЖТФ, 2007, Т. 33, вып.21, С.31-35.
231. А.А. Саранин, А.В. Зотов. Самосборка наноструктур из атомов адсорбатов на поверхности полупроводниковых кристаллов. Российские нанотехнологии, 2007, Т.2, №5-6, С.28-43.
232. N.G. Galkin. Approaches to growth and study of properties of multilayer silicon-silicide heterostructures with buried semiconductor silicide nanocrystallites. Thin Solid Films, 2007, V.515, P.8179-8188.
233. K.G. Galkin, Kumar Mahesh, Govind, S.M. Shivaprasad, V.V. Korobtsov, N.G. Galkin. A study of the temperature dependence of adsorption and silicidation kinetics at the Mg/Si(111) interface. Thin Solid Films, 2007, V.515, P.8192-8196.
234. N.G. Galkin, S.V. Vavanova, A.M. Maslov, K.N. Galkin, A.V. Gerasimenko, T.A. Kaidalova. Solid phase growth and properties of Mg2Si films on Si(111). Thin Solid Films, 2007, V.515, P.8230-8236.
235. D.V. Gruznev, D.A. Olyanich, D.N. Chubenko, A.V. Zotov, A.A. Saranin. 4?1 to 7?3 transition in the In/GexSi1-x(111) system induced by varying the substrate lattice constant. Phys.Rev. B, 2007, V.76, P.073307-4.
236. В.А. Викулов, А.М. Маслов, А.А. Димитриев, В.В. Коробцов. Особенности спектров отражения пленок пористого нанокристаллического кремния, сформированных методом PECVD. Оптика и спектроскопия, 2007, Т.103, № 6, С.988-993.
237. N.G. Galkin, E.A. Chusovitin, D.L. Goroshko, R.M. Bayazitov, R.I. Batalov, T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev. Morphological, structural and luminescence properties of Si/?-FeSi2/Si heterostructures fabricated by Fe ion implamtation and Si MBE. J.Phys. D: Appl.Phys., 2007, V.40, P.5319-5326.
238. A.A. Saranin, A.V. Zotov, I.A. Kuyanov, Yu.V. Luniakov, M. Katayama, K. Oura. Developing antiphase boundaries in one-monolayer Tl/Ge(100) system by re-bonding of underlying Ge dimers. Phys.Rev.B, 2007, V.76, No.19, P.193302-4.
239. A.V. Zotov, O.A. Utas, V.G. Kotlyar, I.A. Kuyanov, A.A. Saranin. Pb-modified In/Si(4?3) magic clusters: Scanning tunneling microscopy and first-principles total-energy calculations. Phys.Rev.B, 2007, V.76, P.115310-5.
240. N.G. Galkin, L. Dozsa, T.V. Turchin, D.L. Goroshko, B. Pecz, L. Toth, L. Dobos, N.Q. Khanh, A.I. Cherednichenko. Properties of CrSi2 nanocrystallites grown in a silicon matrix. J.Phys.: Condens.Matter, 2007, V.19, P.506204 (13pp).
241. N.G. Galkin, D.L. Goroshko, V.O. Polyarnyi, E.A. Chusovitin, Y.S. Park, Y. Khang, A.K. Gutakovsky, A.V. Latyshev. Silicon layers atop iron silicide nanoislands on Si(100) substrate: Island formation, silicon growth, morphology and structure. Thin Solid Films, 2007, V.515, P.7805-7812.
242. А.С. Гуральник, Н.Г. Галкин, В.А. Иванов, М.В. Иванченко, Е.А. Чусовитин. Импульсный испаритель для сверхбыстрого осаждения тонких пленок в сверхвысоком вакууме. ПТЭ, 2007, №3, C.132-135.
243. S. Kono, K. Mizuochi, G. Takyo, N. I. Plusnin, T. Aoyama, T. Goto, T. Abukawa, A. Namba, Y. Nishibayashi, T. Imai. Surface energy band and electron affinity of highly phosphorous-doped epitaxial CVD diamond, e-J.Surf.Sci.Nanotech., 2007, V. 5, P.33-40.
244. S. Kono, G. Takyo, N. Amano, N. I. Plusnin, K. Mizuochi, T. Aoyama, T. Goto, T. Abukawa, A. Namba, N. Tasumi, Y. Nishibayashi, T. Imai. Mechanism of field emission from a highly phosphorous-doped chemical vapor deposition diamond (111) surface, Japanese J.Appl.Phys., 2007, V. 46, No. 1, P. L21–L24.
196. М.В. Иванченко, Е.А. Борисенко, В.Г. Котляр, О.А. Утас, В.В. Устинов, В.Г. Лифшиц. Увеличение плотности нанокластеров ?-FeSi2 на поверхности Si(111) c помощью формирования реконструкции Si(111)v3?v3R30 ?–B. Письма в ЖТФ, 2006, т.32, вып.9, С.58-64.
197. Б.К. Чурусов, А.Н. Каменев, О.А. Утас, А.А. Саранин, А.В. Зотов, В.Г. Котляр. Устройство охлаждения образцов для исследования поверхности в сверхвысоком вакууме. ПТЭ, 2006, №1, С.152-154.
198. А.С. Гуральник, Н.Г. Галкин, Д.Л. Горошко, В.А. Иванов, А.М. Маслов, И.В. Соппа, Т.В. Турчин, W. Park, Y. Park. Простая и эффективная установка для исследований in situ поверхностного магнитооптического эффекта Керра в сверхвысоком вакууме. ПТЭ, 2006, №6, С.100-104.
199. D.V. Gruznev, I.N. Filippov, D.A. Olyanich, D.N. Chubenko, I.A. Kuyanov, A.A. Saranin, A.V. Zotov, V.G. Lifshits. Si(111)-?-v3?v3-Au phase modified by In adsorption: Stabilization of a homogeneous surface by stress relief. Phys.Rev.B, 2006, V.73, P.115335-7.
200. M.V. Ivanchenko, E.A. Borisenko, V.G. Kotlyar, O.A. Utas, V.V. Ustinov, V.G. Lifshits. Increase in the density of ?-FeSi2 nanoclusters on a Si(111) surface by means of Si(111)v3?v3R30 ?–B reconstruction. Tech.Phys.Lett., 2006, V.32, Iss.5, P.396-398.
201. B.K. Churusov, A.N. Kamenev, O.A. Utas, A.A. Saranin, A.V. Zotov, V.G. Kotlyar. A cooling system for samples for studying their surfaces in ultrahigh vacuum. Instruments and experimental techniques, 2006, V.49, No.1, P.141-143.
202. А.В. Зотов, А.А. Саранин. Магические кластеры и другие атомные конструкции. Самоорганизация упорядоченных наноструктур на поверхности кремния. Природа, 2006, №4, С.11-18.
203. V.A. Vikulov, V.V. Korobtsov, E.V. Markidonov, B. Hong. Comparison of structural and optical properties of the electrochemically etched porous silicon and nanocrystalline silicon films prepared by PECVD. Phys.Low-Dim.Struct., 2006, V.2, P.2-6.
204. A.V. Zotov, A.A. Saranin, V.G. Kotlyar, O.A. Utas, Y.L. Wang. Diverse magic nanoclustering in submonolayer Tl/Si(111) system. Surf.Sci., 2006, V.600, P.1936-1941.
205. O.A. Aktsipetrov, E.M. Kim, R.V. Kapra, T.V. Murzina, A.F. Kravets, M. Inoue, S.V. Kuznetsova, M.V. Ivanchenko, V.G. Lifshits. Magnetization-induced optical third-harmonic generation in Co and Fe nanostructures. Phys.Rev B, 2006, V.73, P.140404-4.
206. M.V. Ivanchenko, E.A. Borisenko, V.G. Kotlyar, O.A. Utas, A.V. Zotov, A.A. Saranin, V.V. Ustinov, N.I. Solin, L.N. Romashev, V.G. Lifshits. Comparative STM study of SPE growth of FeSi2 nanodots on Si(111) 7?7 and Si(111)v3?v3R30 ?–B surfaces. Surf.Sci., 2006, V.600, N.12, P.2623-2628.
207. A. Visikovskiy, S. Mizuno, H. Tochihara. Reversible elecromigration of thallium adatoms on the Si(111) surface. Surf.Sci., 2006, V.600, P.L189-L193.
208. V.V. Korobtsov, V.V. Balashev, Kh. Bazarsad. B2O3 decomposition on the Si(100) surface. Phys.Low-Dim.Struct., 2006, V.2, P.34-41.
209. S.A. Dotsenko, N.G. Galkin, L.V. Koval’, V.O. Polyarnyi. In situ differential reflectance spectroscopy study of solid phase epitaxy in Si(111)-Fe and Si(111)-Cr systems. e-J.Surf.Sci.Nanotech., 2006, V.4, P.319-329.
210. A.A. Svitnev, E.A. Verovoy, V.G. Lifshits. Indium-mediated growth of iron film on silicon (111). Phys.Low-Dim.Struct., 2006, V.1, P.45-48.
211. К.Н. Галкин, А.М. Маслов, В.А. Давыдов. Оптические свойства мультислойных материалов на основе кремния и наноразмерных кристаллитов силицида магния. Журнал прикладной спектроскопии, 2006, Т.73, №2, С.204-209.
212. A.A. Saranin, A.V. Zotov, M. Kishida, Y. Murata, S. Honda, M. Katayama, K. Oura, D.V. Gruznev, A. Visikovskiy, H. Tochihara. Reversible phase transitions in the pseudomorphic ?7??3-hex In layer on Si(111). Phys.Rev.B., 2006, V.74, P.035436-7.
213. A.A. Saranin, A.V. Zotov, I.A. Kuyanov, M. Kishida, Y. Murata, S. Honda, M. Katayama, K. Oura, C.M. Wei, Y.L. Wang. Atomic dynamics of In nanoclusters on Si(100), Phys.Rev.B, 2006, V.74, P.125304-6.
214. Д.А. Цуканов, Д.В. Грузнев, М.В. Лавринайтис. Исследование кристаллической структуры и электрических свойств поверхностных фаз металлов на кремнии. Вестник ДВО РАН, 2006, № 4, С.100-102.
215. V.M. Il’yashenko, S.A. Kitan’, S.V. Krylov, N.I. Plusnin. Formation of Fe and FeSi nano-heterostructures on Si(111). Phys. Low-Dim. Struct., 2006, V.2, P.42-46.
216. D.V. Gruznev, D.A. Olyanich, V.A. Avilov, A.A. Saranin, A.V. Zotov. Growth of In nanocrystallite arrays on the Si(100)-c(4?12)-Al surface. Surf.Sci., 2006, V.600, P.4986-4991.
217. A. Tsormpatzoglow, D.H. Tassib, C.A. Dimitriadis, L. Dozsa, N.G. Galkin, D.L. Goroshko, V.O. Polyarnyi, E.A. Chusovitin. Deep levels in silicon Schottky junctions with embedded arrays of ?-FeSi2 nanocrystallites. J.Appl.Phys., 2006, V.100, P.074313-5.
218. A.S. Gural’nik, N.G. Galkin, D.L. Goroshko, V.A. Ivanov, A.M. Maslov, I.V. Soppa, T.V. Turchin, W. Park, Y. Park. A simple and effective setup for in situ investigations of the surface magnetooptic Kerr effect in ultrahigh vacuum. Instruments and experimental techniques, 2006, V.49, No.6, P.834-838.
150. A.A. Saranin, A.V. Zotov, V.G. Kotlyar, T.V. Kasyanova, O.A. Utas, H. Okado, M. Katayama, K. Oura. Self-assembly formation of the ordered nanostructure arrays induced by Be interaction with Si(111) surface. Surf. Sci., 2005, V.574, №1, P.99-109.
151. V.G. Kotlyar, A.A. Saranin, A.V. Zotov, T.V. Kasyanova, E.N. Chukurov, I.V. Pisarenko, V.G. Lifshits. Atomic structure of the Al/Si(111) phases studied using STM and total-energy calculations. e-J.Surf.Sci.Nanotech., 2005, V.3. P.60-67.
152. N.G. Galkin, K.N. Galkin, S.V. Vavanova. Multilayer Si(111)/Mg2Si clusters/Si heterostructures: Formation, optical and thermoelectric properties. e-J.Surf.Sci.Nanotech., 2005, V.3. P.12-20.
153. A.A. Saranin, A.V. Zotov, V.G. Kotlyar, I.A. Kuyanov, T.V. Kasyanova, A. Nishida, M. Kishida, Y. Murata, H. Okado, M. Katayama, K. Oura. Growth of thallium overlayers on Si(100) surface. Phys.Rev.B, 2005, V.71, №3, P.035312-9.
154. В.Г. Котляр, А.А. Саранин, А.В. Зотов, В.Г. Лифшиц, И.А. Куянов, Е.Н. Чукуров, Т.В. Касьянова. Низкоразмерные структуры металлов на поверхности кремния. Вестник ДВО РАН, 2005, № 1, С.103-115.
155. O.A. Aktsipetrov, T.V. Murzina, E.M. Kim, R.V. Kapra, A.A. Fedyanin, M. Inoue, A.F. Kravets, S.V. Kuznetsova, M.V. Ivanchenko, V.G. Lifshits. Magnetization-induced second- and third-harmonic generation in magnetic thin films and nanoparticles. J.Opt.Soc.Am.B, 2005, V.22, №1, P.138-147.
156. A.A. Saranin, A.V. Zotov, V.G. Kotlyar, O.A. Utas, K.V. Ignatovich, T.V. Kasyanova, Y.S. Park, W.J. Park. Formation of Si nanodot arrays on the oxidized Si(100) surface. Appl.Surf.Sci., 2005, V.243, P.199-203.
157. A.A. Saranin, A.V. Zotov, I.A. Kuyanov, V.G. Kotlyar, M. Kishida, Y. Murata, H. Okado, I. Matsuda, H. Morikawa, N. Miyata, S. Hasegawa, M. Katayama, K. Oura. Long-periodic modulations in the linear chains of Tl atoms on Si(100). Phys.Rev.B, 2005, V.71, №16, P.165307-4.
158. I.A. Kuyanov, A.A. Alekseev. Growth of thallium overlayers on Si(100) surfaces: Ab initio molecular dynamics study. e-J. Surf. Sci. Nanotech. 2005, V.3, P.125–130.
159. Д.В. Гриценко, С.С. Шаймеев, М.А. Ламин, О.П. Пчеляков, В.А. Гриценко, В.Г. Лифшиц. Двузонная проводимость ZrO2, синтезированного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Письма в ЖЭТФ, 2005, Т.81, вып.11, С.721–723.
160. Т.В. Мурзина, Е.М. Ким, Р.В. Капра, О.А. Акципетров, М.В. Иванченко, В.Г. Лифшиц, С.В. Кузнецова, А.Ф. Кравец. Генерация магнитоиндуцированной третьей гармоники в наноструктурах и тонких пленках. ФТТ, 2005, Т.47, №1, С.153-155.
161. N.G. Galkin, D.L. Goroshko, A.S. Gouralnik, V.O. Polyarnyi, I.V. Louchaninov, S.V. Vavanova. Formation and transport properties of Si(111)/?-FeSi2/Si nanoclusters structures. e-J.Surf.Sci.Nanotech., 2005, V.3, P.97-106.
162. S.A. Dotsenko, N.G. Galkin, A.S. Gouralnik, L.V. Koval. In situ differential reflectance spectroscopy study of Fe-Si(111) and iron silicide – Si(111) interfaces. e-J.Surf.Sci.Nanotech., 2005, V.3, P.113-119.
163. N.G. Galkin, D.L. Goroshko, A.S. Gouralnik, V.O. Polyarnyi, S.V. Vavanova, I.V. Louchaninov. Silicon growth atop ?-FeSi2 islands on Si(111) substrate and Si(111)-Cr surface phases on silicon substrates. In: “Physics, Chemistry and Applications of Nanostructures”. World Scientific: Singapore, 2005, P.163-166.
164. N.G. Galkin, K.N. Galkin, S.V. Vavanova. Mg2Si high-density clusters in silicon matrix. In: “Physics, Chemistry and Applications of Nanostructures”. World Scientific: Singapore, 2005, P.187-190.
165. S.A. Dotsenko, A.S. Gouralnik, L.V. Koval. In situ differential reflectance spectroscopy study of Fe/Si(111) and Fe/Si(100) interfaces. In: “Physics, Chemistry and Applications of Nanostructures”. World Scientific: Singapore, 2005, P.319-322.
166. N.G. Galkin, D.L. Goroshko, V.O. Polyarnyi, A.S. Gouralnik, I.V. Louchaninov, V.V. Ole’nik, A.V. Novikov. ?-FeSi2 cluster formation on and in silicon: morphology, electrical and optical properties. SPIE Proceedings, 2005, V.5851, P.386-396.
167. S.A. Dotsenko, N.G. Galkin, A.S. Gouralnik, L.V. Koval, T.V. Turchin. Iron-silicon interface formation and properties by data of DRS, SMOKE and AFM measurements. SPIE Proceedings, 2005, V.5851, P.441-446.
168. N.G. Galkin, A.M. Maslov, V.O. Polyarnyi. Formation, optical properties and electronic structure of thin Yb silicide films on Si(111). SPIE Proceedings, 2005, V.5851, P.373-380.
169. N.G. Galkin, K.N. Galkin. Growth and properties of silicon heterostructures with buried nanosize Mg2Si clusters. SPIE Proceedings, 2005, V.5851, P.427-434.
170. N.G. Galkin, S.V. Vavanova, A.M. Maslov, K.N. Galkin. Solid phase growth and properties of Mg2Si epitaxial films on Si(111). SPIE Proceedings, 2005, V.5851, P.435-440.
171. N.G. Galkin, E.A. Chusovitin, K.N. Galkin, V.M. Astashinskii, E.A. Kostyukevich, A.M. Kuzmittski, A.V. Gerasimenko. Optical and structural properties of monocrystalline silicon wafers modified by compression plasma flow. SPIE Proceedings, 2005, V.5851, P.420-426.
172. Н.И. Плюснин. Низкоразмерные фазы и формирование наногетероструктур в системе переходный 3d металл-кремний. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2005, №1, C.17-27.
173. S.G. Azatyan, M. Iwami, V.G. Lifshits. Mn clusters on Si(111) surface: STM investigation. Surf.Sci., 2005, V.589, P.106-113.
174. М.В. Лавринайтис, Д.В. Грузнев, Д.А. Цуканов, С.В. Рыжков. Исследование электрической проводимости поверхностной фазы Si(100)c(4?12)-Al при напылении In и Al. Письма в ЖТФ, 2005, т.31, вып.24, С.67-73.
175. M. Hirai, C. Kamezawa, S. Azatyan, Z. An, T. Shinagawa, T. Fujisawa, M. Kusaka, M. Iwami. Interface study of transition metal (Fe, Zr) on 4H-SiC(0001)Si face: photoemission electron microscopy and soft X-ray fluorescence spectroscopy. Appl. Surf. Sci., 2005, V.249, №1–4, P. 362–366.
176. A. Visikovskiy, S. Mizuno, H. Tochihara. Structure of the Si(001)-(2x2)-Tl phase at 0.5 monolayer coverage. Phys. Rev. B, 2005, V.71, P.245407-5.
177. N.G. Galkin, K.N. Galkin, S.V. Vavanova, V.A. Davydov, A.I. Cherednichenko, A.K. Gutakovskii, A.V. Latyshev. Growth and properties of Si(111)/Mg2Si nanoclusters/Si multilayer structures. Proceedings of SEMINANO-2005, September 10-12, 2005, Budapest, Hungary, Editors: B. Pedor, Zs.J. Horvath, P.Basa, Semiconductor nanocrystals, V.1, P.35-38.
178. N.G. Galkin, D.L. Goroshko, V.O. Polyarnyi, S.A. Dotsenko, A.M. Maslov, E.A. Chusovitin, A.K. Gutakovskii, A.V. Latyshev, T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev, W. Park, Y. Park. Silicon epitaxial overgrowth atop ?-FeSi2 nanoislands on silicon (111) and (100) substrates: cluster formation, structure and properties. Proceedings of SEMINANO-2005, September 10-12, 2005, Budapest, Hungary, Editors: B. Pedor, Zs.J. Horvath, P.Basa, Semiconductor nanocrystals, V.1, P.31-34.
179. S.A. Dotsenko, N.G. Galkin, L.V. Koval’, V.O. Polyarnyi. In situ differential reflectance spectroscopy study of 3D CrSi2 nanocrystals and 2D nanophases on Si(111) surface. Proceedings of SEMINANO-2005, September 10-12, 2005, Budapest, Hungary, Editors: B. Pedor, Zs.J. Horvath, P.Basa, Semiconductor nanocrystals, V 2, P.231-234.
180. A.S. Gouralnik, N.G. Galkin, D.L. Goroshko, V.A. Ivanov, S.A. Dotsenko, A.M. Maslov, T.V. Turchin, E.A. Chusovitin, W. Park, Y. Park. Role of magnetic interactions in iron film growth on silicon: Directed growth implementation by external field. Proceedings of SEMINANO-2005, September 10-12, 2005, Budapest, Hungary, Editors: B. Pedor, Zs.J. Horvath, P.Basa, Semiconductor nanocrystals, V.1, P.43-46.
181. O.V. Utas, T.V. Utas, V.G. Kotlyar, A.V. Zotov, A.A. Saranin, V.G. Lifshits. STM study of the early stages of the Cr/Si(111) interface formation. Surf. Sci., 2005, V.596, P.53-60.
182. И.А. Куянов, В.Г. Заводинский, Е.Н. Чукуров. Компьютерное моделирование процессов на поверхности полупроводников. Вестник ДВО РАН, 2005, №6, С.93-103.
183. М.В. Лавринайтис, С.В. Рыжков, Д.А. Цуканов, Д.В. Грузнев, В.Г. Лифшиц. Исследование влияния структуры, состава и морфологии поверхностных фаз на электрическую проводимость поверхности кремния. Вестник ДВО РАН, 2005, №6, Приложение, С.49-56.
184. О.А. Утас, Т.В. Утас, А.А. Саранин, А.В. Зотов, В.Г. Котляр, В.Г. Лифшиц. Исследование методом СТМ ранних стадий формирования границы раздела Cr/Si(111). Вестник ДВО РАН, 2005, №6, Приложение, С.70-77.
185. С.Г. Азатьян, В.Г. Лифшиц. Исследование методом СТМ кластеров системы Mn/Si(111). Вестник ДВО РАН, 2005, №6, Приложение, С.30-37.
186. М.В. Иванченко, Е.А. Борисенко, Л.А. Чеботкевич, Ю.Л. Гаврилюк, В.В. Коробцов, В.Г. Котляр, О.А. Утас, С.В. Потапов, В.А. Гриценко, В.Г. Лифшиц. Исследование роста плёнок железа при комнатной температуре на поверхностных фазах Si(111)v3?v3 R30°–B и Si(111)7х7. Вестник ДВО РАН, 2005, №6, Приложение, С.38-47.
187. Н.Г. Галкин, К.Н. Галкин, А.М. Маслов, В.А. Давыдов, А.А. Машковский, А.И. Чередниченко, А.К. Гутаковский, А.В. Латышев. Формирование, структура и оптические свойства многослойных материалов на основе кремния и наноразмерных кристаллитов Mg2Si. Вестник ДВО РАН, 2005, №6, Приложение, С.12-22.
188. С.А. Доценко, Л.В. Коваль, Е.А. Чусовитин, Н.Г. Галкин. Формирование и оптические свойства поверхностной фазы Si(111)v3?v3-Cr и двумерного силицида в системе Si(111)-Cr. Вестник ДВО РАН, 2005, №6, Приложение, С.57-60.
189. С.В. Ваванова, Н.Г. Галкин, К.Н. Галкин, А.М. Маслов, Т.А. Кайдалова. Рост, оптические и термоэлектрические свойства тонких пленок Mg2Si на Si(111) и SiO2. Вестник ДВО РАН, 2005, №6, Приложение, С.85-92.
190. А.В. Зотов, А.А. Саранин, В.Г. Котляр, Т.В. Утас, О.А. Утас, В.Г. Лифшиц. Упорядоченные наноструктуры на поверхности кремния. Вестник ДВО РАН, 2005, №6, Приложение, С.7-11.
191. Д.В. Грузнев, И.Н. Филиппов, Д.А. Олянич, Д.Н. Чубенко, А.А. Саранин, А.В. Зотов, В.Г. Лифшиц. Формирование поверхностной фазы Si(111)v3?v3-(Au,In). Вестник ДВО РАН, 2005, №6, Приложение, С.61-69.
192. A.A. Saranin, A.V. Zotov, V.G. Kotlyar, H. Okado, M. Katayama, K. Oura. Modified Si(100)4x3-In nanocluster arrays. Surf. Sci., 2005, V.598. P.136-143.
193. M.V. Lavrinaitis, D.V. Gruznev, D.A. Tsukanov, S.V. Ryzhkov. Studying the electric conductivity of the Si(100) c(4x12)–Al surface phase during deposition of indium and aluminum. Tech.Phys.Lett., 2005, V.31, Iss. 12, P.1068-1070.
194. A.L. Aseev, S.S. Kosolobov, A.V. Latyshev, S.A. Song, A.A. Saranin, A.V. Zotov, V.G. Lifshits. In situ REM and ex situ SPM studies of silicon (111) surface. Phys.Stat.Sol.(a), 2005, V.202, N.12, P.2344-2354.
195. S. Kono, M. Shiraishi, N.I. Plusnin, T. Goto, Y. Ikejima, T. Abukawa, M. Shimomura, Z. Dai, C. Bednarski-Meinke, B. Golding. X-ray photoelectron diffraction study of the initial stages of CVD diamond heteroepitaxy on Ir(001)/SrTiO3. New diamond and frontier carbon technology, 2005, V.15, No.6, P.363-371.
135. Kishida M., Saranin A.A., Zotov A.V., Kotlyar V.G., Nishida A., Murata Y., Okado H., Katayama M., Oura K. Tl overlayers on Si(100) and their self-assembly induced by STM tip. Appl.Surf.Sci., 2004, V.237, №1-4, P.110-114.
136. Saranin A.A., Zotov A.V., Kotlyar V.G., Kasyanova T.V., Utas O.A., Okado H., Katayama M., Oura K. Ordered arrays of Be-encapsulated Si nanotubes on Si(111) surface. Nano Lett., 2004, V.4, №8, P.1469-1473. http://dx.doi.org/10.1021/nl049195p
137. Itou S., Nishida A., Murata Y., Kubo O., Okado H., Katayama M., Saranin A.A., Zotov A.V., Oura K. Quantitative characterization of the Al nanoclustering induced by H interaction with Si(100)c(4?12)-Al surface phase. Surf. Sci., 2004, V.565, №2-3, P.121-128.
138. Lifshits V.G., Gavrilyuk Yu.L., Tsukanov D.A., Churusov B.K., Enebish N., Kuznetsova S.V., Ryjkov S.V., Gruznev D., Tatsuyama C. Surface phases and processes on Si surface. e J.Surf.Sci.Nanotech., 2004, V.2. P.56-76.
139. Gruznev D., Ohmura K., Saitoh M., Tsukabayashi S., Tambo T., Lifshits V.G., Tatsuyama C. Surfactant mediated growth of Sb clusters on Si(111) surface. J.Cryst.Growth, 2004, V.269, P.235-241.
140. S.V. Ryjkov, M.V. Lavrinaitis, D.A. Tsukanov, V.G. Lifshits. Stability and electric conductivity of Si-metal surface reconstructions during amorphous Si deposotion. Appl.Surf.Sci., 2004, V.237, №1-4, P.119-124.
141. D.A. Tsukanov, S.V. Ryjkov, O.A. Utas, V.G. Lifshits. The formation of Si(111)5x2-Au single-domain surface phase by a surface diffusion. Appl.Surf.Sci., 2004, V.234. P.297-301.
142. A.A. Saranin, A.V. Zotov, I.V. Pisarenko, V.G. Lifshits, M. Katayama, K. Oura. Submonolayer Er phases on Si(111). Jpn.J.Appl.Phys., 2004, V.43, Pt.1, №3, P.1110-1113.
143. В.Г. Лифшиц, Б.К. Чурусов, Ю.Л. Гаврилюк, Н. Энебиш, В.Г. Котляр, С.В. Кузнецова, С.В. Рыжков, Д.А. Цуканов. Поверхностные фазы и наноструктуры на поверхности кремния. Журнал структурной химии, 2004, Т.45, С.37-60.
144. N.I. Plusnin. Application of AES and EELS for surface/interface characterization. J.Elect.Spect.Relat.Phenom., 2004, V.137-140, P.161-164.
145. S. Azatyan, M. Hirai, M. Kusaka, M. Iwami. AES and STM investigation of room temperature Mn deposition onto Si(111) at different deposition rates. Appl.Surf.Sci., 2004, V.237, №1-4, P.105-109.
146. D.V. Gruznev, K. Ohmura, M. Mori, T. Tambo, V.G. Lifshits, C. Tatsuyama. Modification of Sb/Si(001) interface by incorporation of In(4?3) surface reconstruction. Appl.Surf.Sci., 2004, V.237, №1-4, P.99-104.
147. M. Hirai, C. Kamezawa, S. Azatyan, Z. An, T. Shinagawa, T. Fujisawa, M. Kusaka, M. Iwami. Interface electronic structures of transition metal(Cr, Fe) on 6H(4H)-SiC(0001)Si face by soft X-ray fluorescence spectroscopy. Mater.Sci.Forum, 2004, V.457-460, P.427-430.
148. N.G. Galkin, D.L. Goroshko, S.A. Dotsenko, A.S. Gouralnik, I.V. Louchaninov. Influence of Si(111)?3x?3/30o-Cr surface phase on the formation and conductivity of Fe and Yb monolayers at room temperature. Thin Solid Films. 2004, V.464-465, P.18-22.
149. N.G. Galkin, V.O. Polyarnyi, A.S. Gouralnik. Self-organization of ?-FeSi2 islands on Si(111)7x7. Thin Solid Films, 2004, V.464-465, P.199-203.
115. Itou S., Kubo O.,Yamaoka N., Nishida A., Katayama M., Saranin A.A., Zotov A.V., Oura K. Effect of substrate surface phase on the shape of self-organized Al nanoclusters on Si(100) formed upon atomic hydrogen exposure. Japan J.Appl.Phys., 2003, V.42, N 4B, Pt.2, P.L432-L434.
116. Kotlyar V.G, Saranin A.A. Zotov A.V., Kasyanova T.V., Cherevik M.A., Bekhtereva O.V., Katayama M., Oura K., Lifshits V.G. Magic nanoclusters of group III metals on Si(100) surface. e-J.Surf.Sci.Nanotech., 2003, V.1, P. 33-40.
117. Kotlyar V.G., Zotov A.V., Saranin A.A., Kasyanova T.V., Cherevik M.A., Pisarenko I.V., Churusov B.K., Lifshits V.G. STM study of magic clusters of group III metals on Si(111) and Si(100). Phys.Low-Dim.Struct., 2003, V.3/4, P.97-104.
118. Kotlyar V.G., Zotov A.V., Saranin A.A., Chukurov E.N., Kasyanova T.V., Cherevik M.A., Pisarenko I.V., Okado H., Katayama M., Oura K., Lifshits V.G. Doping of magic nanoclusters in the submonolayer In/Si(100) system. Phys.Rev.Lett., 2003, V.91, P.026104-1-026104-4. http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.91.026104
119. Kotlyar V.G, Saranin A.A., Zotov A.V., Kasyanova T.V. Thallium overlayers on Si(111) studied by scanning tunneling microscopy. Surf.Sci., 2003, V.543, P.L663-L667.
120. Gruznev D., Rao B.V., Furukawa Y., Mori M., Tambo T., Lifshits V.G., Tatsuyama C. Atomic structure and formation processes of the Si(111)-Sb(?7??7) surface phase. Appl.Surf.Sci., 2003, V.212-213, P.135-139.
121. Gruznev D., Furukawa Y., Mori M., Tambo T., Lifshits V.G., Tatsuyama C. Study of Sb adsorption on the Si(001)-In(4?3) surface. Appl.Surf.Sci., 2003, V.216, P.35-40.
122. Kotlyar V.G, Kasyanova T.V., Chukurov E.N., Zotov A.V., Saranin A.A. Atomic structure of the Si(111)?7??7-Al phase studied using STM and total-energy calculations. Surf.Sci., 2003, V.545, P.L779-783.
123. Kuyanov I.A., Lacks D.J., Diebold U. Dynamics of the TiO2 (110) surface and step: Onset of defects in the ordered structure. Phys.Rev.B, 2003, V.68, P.233404-4.
124. Ryjkov S.V., Lifshits V.G., Hasegawa S. Epitaxial growth of Ag on Si(111)-4x1-In surface studied by RHEED, STM, and electrical resistance measurements. e J.Surf.Sci.Nanotech., 2003, V.1, P.72-79.
125. Chebotkevich L.A., Ivanchenko M.V., Churusov B.K., Gavriljuk Y.L.,Bekhtereva O.V., Astapova E.S., Pivchenko E.B., Lifshits V.G. Magnetic properties of epitaxial Fe films grown on clean Si(111) surface. Phys.Low-Dim.Struct., 2003, V.9/10, P.141-154.
126. Gouralnik A.S. Electromigration within the lattice gas model and its application to electric field controlled in-plane directed growth of surface phases. Phys.Low-Dim.Struct., 2003, V.9/10, P.1-10.
127. Галкин Н.Г., Конченко А.В, Полярный В.О., Маслов А.М., Доценко С.А., Галкин К.Н., Захарова Е.С., Таланов А.О. Оптические и фотоэлектрические свойства наноструктур с захороненными кластерами из полупроводниковых силицидов на кремнии в видимом и ближнем ИК диапазонах. Известия АН, сер. физ., 2003, Т.67, С.155-158.
128. Галкин Н.Г.,. Конченко А.В, Полярный В.О., Маслов А.М., Доценко С.А., Галкин К.Н., Захарова Е.С., Таланов А.О. Оптические и фотоэлектрические свойства наноструктур с захороненными кластерами из полупроводниковых силицидов на кремнии в видимом и ближнем ИК диапазонах. Микросистемная техника, 2003, №2, С.64-67.
129. Galkin N.G., Vavanova S.V., Maslov A.M., Galkin K.N. Electric and optic properties of thick Mg2Si films on Si(111). SPIE Proceedings, 2003, V.5129, P.313-324.
130. Galkin N.G., Gouralnik A.S., Goroshko D.L., Boulatov A.N., Dotsenko S.A. Formation and electrical properties of disordered monolayers and ordered surface phases of Yb on Si(111)7x7. SPIE Proceedings, 2003, V.5129, P.305-312.
131. Galkin N.G., Goroshko D.L., Gouralnik A.S., Dotsenko S.A., Boulatov A.N. Si(111)–Yb two-dimensional structures: Formation and electrical properties. MRS Proceedings, 2003, V.770, P.324-327.
132. Galkin N.G., Dotsenko S.A., Goroshko D.L., Gouralnik S.A. Boulatov A.N. Conductivity Oscillations During Formation of Disordered 2D Yb Layers on Si(111). In: “Physics, Chemistry and Applications of Nanostructures”. World Scientific: Singapore, 2003, P.206-209.
133. Galkin N.G., Dotsenko S.A., Krivoshchapov, Goroshko D.L. Influence of Si(111)-[(?3x?3)/30o]-Cr Surface Phase on Growth and Conductivity of Disordered Iron 2D Layers on Si(111). In: “Physics, Chemistry and Applications of Nanostructures”. World Scientific: Singapore, 2003, P.194-197.
134. Tsukanov D.A., Ryzhkov S.V., Belous I.A., Utas O.A., Lifshits V.G. Electrical conductivity of surface phases on silicon. SPIE Proceedings, 2003, V.5129, P.295-304.
100. Mussig H.J., Dabrowski J., Ignatovich K., Liu J.P., Zavodinsky V., Osten H.J. Structure and stability of thin praseodymium oxide layers on Si(001). Solid State Phenom., 2002, V.82-84, P.783-788.
101. Saranin A.A., Zotov A.V., Kotlyar V.G., Lifshits V.G., Kubo O., Harada T., Kobayashi T., Yamaoka N., Katayama M., Oura K. Surface roughening at the one-monolayer Sb/Si(100) interface. Phys.Rev.B, 2002, V.65, P.0333121-4.
102. Nazarov V.U., Nishigaki S. Z3-order theory of quantum inelastic scattering of charges by solids. Phys.Rev.B, 2002, V.65, P.094303—11
103. Kotlyar V.G., Saranin A.A., Zotov A.V., Lifshits V.G., Kubo O., Ohnishi H., Katayama M., Oura K. High-temperature interaction of Al with Si(100) surface at low Al coverages. Surf.Sci., 2002, V.506, N, P.80-86
104. Nazarov V.U., Nishigaki S., Nagao T. Nonlinear mechanism of plasmon damping in electron gas. Phys.Rev.B, 2002, V.66, N9, P.092301-4
105. Lee S.S., Ahn J.R., Kim N.D., Min J.H., Hwang C.G., Chung J.W., Yeom H.W., Ryjkov S.V., Hasegawa S. Adsorbate-induced pinning of a charge-density wave in a quasi-1D. Phys.Rev.Lett., 2002, V.88, N19, P.196401-1-196401-4
106. Kotlyar V.G., Zotov A.V., Saranin A.A., Kasyanova T.V., Cherevik M.A., Pisarenko I.V., Lifshits V.G. Formation of the ordered array of Al magic clusters on Si(111)7?7. Phys.Rev.B, 2002, V.66, N16, P.165401-4
107. Saranin A.A., Kotlyar V.G., Zotov A.V., Kasyanova T.V., Cherevik M.A., Lifshits V.G. Structure of domain walls in Al/Si(111) ?-phase. Surf.Sci., 2002, V.517, N1-3, P.151-156
108. Лифшиц В.Г., Цуканов Д.А., Рыжков С.В., Утас О.А. Электрические свойства поверхностных фаз Si(111)-Au на кремнии, Физическая мысль России, 2002, Т.1/2, С.107-109.
109. Saranin A.A., Rizhkov S.V., Tsukanov D.A., Lifshits V.G., Zotov A.V., Oura K., Hasegawa S. Surface phases of metals on silicon as material for surface engineering, MRS Proceedings, 2002, V.697, P.5.28.1-5.28.6.
110. N.I. Plusnin, A.P. Milenin, B.M.Iliyashenko, V.G.Lifshits, Elevated rate growth of nanolayers of Cr and CrSi2 on Si(111). Phys.Low-Dim.Struct., 2002, V.9/10 P.129-146.
111. Галкин Н.Г., Маслов А.М., Таланов А.О. Электронная структура и моделирование диэлектрической функции эпитаксиальных пленок ?-FeSi2 на Si(111). Физика твердого тела, 2002, т. 44, вып. 4, С. 688-693.
112. Галкин Н.Г., Ваванова С.В., Конченко А.В. и Маслов А.М. Формирование, оптические и электрические свойства тонких пленок сплавов CrxFe1-xSi2 на Si(111). Известия вузов. Электроника,. 2002, № 2, С. 37-43.
113. Plusnin N.I., Il'yashenko V.M., Milenin A.P. The growth and conductivity of transition metal nanolayers on silicon. Phys.Low-Dim.Struct., 2002, V.11/12, P.39-48.
114. Galkin N.G., Goroshko D.L., Gouralnik A.S., Dotsenko S.A., Boulatov A.N. Growth mechanism of Yb layer and its influence on Yb induced conductivity on Si(111)7?7 surface. Phys.Low-Dim.Struct., 2002, V.11/12, P.85-98.
79. Tsukanov D.A., Ryzhkov S.V., Utas O.A., Belous I.A., Lifshits V.G. Influence of surface phases on electrical conductivity of silicon surface. In: "Physics, Chemistry and Application of Nanostructures". World Scientific: Singapore, 2001, P.184-189.
80. Лифшиц В.Г., Азатьян С.Г., Гаврилюк Ю.Л., Луняков Ю.В., Саранин А.А., Зотов А.В., Цуканов Д.А. Двумерные структуры на поверхности кремния. Известия АН, сер.физ., 2001, Т.65, № 2, С.176-179.
81. Kubo O., Kobayashi T., Yamaoka N., Saranin A.A., Zotov A.V., Ohnishi H., Katayama M., Oura K. Formation of a Si(100)c(8x2) surface phase using H-induces self-organization and H extraction. Phys.Rev.B, 2001, V.64, N15, P.1534061-4.
82. Saranin A.A., Zotov A.V., Kotlyar V.G., Lifshits V.G., Kubo O., Harada T., Kobayashi T., Yamaoka N., Katayama M., Oura K. Scanning tunneling microscopy study of the c(4x4) structure formation in the sub-monolayer Sb/Si(100) system. Japan J.Appl.Phys., 2001, V.40, N10, P.6069-6072.
83. Ryjkov S.V., Nagao T., Lifshits V.G., Hasegawa S. Phase transformation and stability of Si(111)8x"2"-In surface phase at low temperature. Surf.Sci., 2001, V.488, N1-2, P.15-22.
84. Ryjkov S.V., Nagao T., Lifshits V.G., Hasegawa S. Surface roughness and electrical resistance on Si(100)2x3-Na surface. Surf.Sci., 2001, V.493, N1-3, P.619-625.
85. Dabrowski J., Zavodinsky V., Fleszar A. Pseudopotential study of PrO2 and HfO2 in fluorite phase. Microelectronics Reliability, 2001, V.41, N7, P.1093-1096.
86. Galkin N.G., Maslov A.M., Kosikov S.I., Talanov A.O., Galkin K.N. Morphology and Optical Properties of Si(111)/CrSi2/Si and Si(111)/Mg2Si/Si Systems with Self-organized Quantum Dots. In: "Physics, Chemistry and Application of Nanostructures". World Scientific: Singapore, 2001, P.190-193.
87. Galkin N.G., Goroshko D.L., Krivoshchapov S.Ts. Conductivity of Two-Dimensional Chromium and Iron Ordered Surface Phases on Si(111). In: "Physics, Chemistry and Application of Nanostructures". World Scientific: Singapore, 2001, P.243-246.
88. Galkin N.G., Maslov A.M. Optical functions and their empirical modeling for ?-FeSi2 thin epitaxial films on Si(111). Phys.Low-Dim.Struct., 2001, V.7-8, P.67-76.
89. Dotsenko S.A., Galkin N.G., Lifshits V.G. Optical and electrical properties of In surface phases on Si(111). Phys.Low-Dim.Struct., 2001, V.5-6, P.139-150.
90. Galkin N.G., Goroshko D.L., Ivanov V.A., Kosikov S.I. In situ Hall measurements of Si(111)/Cr, Si(111)/Fe and Si(111)/Mg disordered systems at submonolayer coverages. Appl.Surf.Sci., 2001, V.175-176, N3, P.223-229.
91. Galkin N.G., Goroshko D.L., Krivoshchapov S.Ts., Zakharova E.S. Conductivity mechanisms in the ordered surface phases and two-dimenional monosilisides of Cr and Fe on Si(111). Appl.Surf.Sci., 2001, V.175-176, N3, P.230-236.
92. Galkin N.G., Konchenko A.V., Vavanova S.V., Maslov A.M., Talanov A.O. Transport, optical and thermoelectrical properties of Cr and Fe disilicides and their alloys on Si(111). Appl.Surf.Sci., 2001, V.175-176, N3, P.299-305.
93. Галкин Н.Г., Конченко А.В., Полярный В.О. Фотоэлектрические свойства гетероструктур Si(111)/?-FeSi2 в области энергий 0.65-3.1 эВ. Известия вузов. Электроника, 2001, № 4, С.70-76.
94. Nazarov V.U., Nishigaki S. Inelastic low energy electron diffraction at metal surfaces. Surf.Sci., 2001, V.482-485, P.640-647.
95. Nazarov V.U., Nishigaki S. Inelastic electron scattering at metal surfaces: the role of elastic scattering. Vacuum, 2001, V.63, P.151-155.
96. Белоус И.А., Утас О.А., Цуканов Д.А., Лифшиц В.Г. Измерение электрической проводимости поверхностных фаз на кремнии четырехзондовым методом in situ. ПТЭ, 2001, № 5, С.134-136.
97. Zavodinski V.G., Visikovski A.V., Kuyanov I.A. Energetics of NP and NB complexes in silicon. Computat.Mater.Sci., 2001, V.21, N4, P.505-
98. Ryjkov S.V., Saranin A.A., Zotov A.V., Tsukanov D.A., Utas O.A., Belous I.A., Katayama M., Hasegawa S., Oura K., Lifshits V.G. Si(100)2?3-Na surface phase formation and surface conductivity, Phys.Low-Dim.Struct., 2001, V.11, P.131-142.
99. Belous I.A., Utas O.V., Tsukanov D.A., Lifshits V.G. In situ conductance measurement of surface phases on silicon by the four-probe method. Instruments and Experimental Techniques, 2001, V.44, No.5, P.698-699.
59. Saranin A.A., Lifshits V.G., Ignatovich K.V., Bethge H., Kayser R., Goldbach H., Klust A., Wollschlager J., Henzler M. Restructuring process of the Si(111) surface upon Ca deposition. Surf.Sci., 2000, V.448, P.87-92.
60. Лифшиц В.Г., Гаврилюк Ю.Л.,Саранин А.А., Зотов А.В., Цуканов Д.А. Поверхностные фазы на кремнии. УФН, 2000, V.170, N5, P.569-571.
61. Saranin A.A., Lifshits V.G., Katayama M., Oura K. Composition and surface structure of quantum chains on a In/Si(111) surface. Japan J.Appl.Phys., 2000, V.39, N4A, P.L306-L308.
62. Zotov A.V., Saranin A.A., Kubo O., Harada T., Katayama M., Oura K. Quantitative STM investigation of the phase formation in submonolayer In/Si(111) system. Appl.Surf.Sci., 2000, V.159-160, N1-4, P.237-242.
63. Плюснин Н.И., Галкин Н.Г., Лифшиц В.Г., Миленин А.П. Эпитаксиально-стабилизированные двумерные фазы и гетероэпитаксия Si на CrSi2(001)/Si(111). Поверхность, 2000, N6, P.22-29.
64. Галкин Н.Г., Горошко Д.Л., Конченко А.В., Захарова Е.С., Кривощапов С.Ц. Эффект Холла в субмонослойных системах: Fe на Si(111) n- и p-типа проводимости. Физика и техника полупр., 2000, Т.34, №7, С.827-830.
65. Коробцов В.В., Шапоренко А.П., Лифшиц В.Г., Балашев В.В. Исследование методом дифракции быстрых электронов температурной зависимости адсорбции бора при осаждении B2O3 на Si(111). Поверхность, 2000, N8, P.45-48.
66. Saranin A.A., Zotov A.V., Lifshits V.G., Kubo O., Harada T., Katayama M., Oura K. Si(111)5?3x5?3-Sb: a surface phase with a variable composition. Surf.Sci., 2000, V.447, P.15-24.
67. Ryu J.T., Kubo O., Fijino T., Fuse T., Harada T., Kawamoto K., Katayama M., Saranin A.A., Zotov A.V., Oura K. Atomic-hydrogen-induced self-organization of Si(111) ?3x?3-In surface phase studied by CAICISS and STM. Surf.Sci., 2000, V.447, P.117-125.
68. Заводинский В.Г. Компьютерное изучение механизмов сегрегации фосфора на границе SiO2/Si(100). Физика и техника полупр., 2000, V.34, N3, P.302-305.
69. Tsoukanov D.A., Ryzhkov S.V., Gruznev D.V., Lifshits V.G. The role of the surface phases in surface conductivity. Appl.Surf.Sci., 2000, V.162-163, P.168-171.
70. Zavodinsky V.G., Visikovski A.V., Kuyanov I.A., Dabrowski J. Nitrogen trapping of boron and phosphorus in silicon. Phys.Low-Dim.Struct., 2000, V.3-4, P.13-18.
71. Kubo O., Saranin A.A., Zotov A.V., Harada T., Kobayashi T., Yamaoka N., Ryu J.-T., Katayama M., Oura K. Mg/Si(100) reconstructions studied by scanning tunneling microscopy. Japan J.Appl.Phys., 2000, V.39, N6B, P.3740-3743.
72. Saranin A.A., Zotov A.V., Tovpik A.N., Cherevik M.A., Chukurov E.N., Lifshits V.G., Katayama M., Oura K. Composition and atomic structure of the Si(111) ?31x?31-In surface. Surf.Sci., 2000, V.450, P.34-43.
73. Зотов А.В., Коробцов В.В., Лифшиц В.Г. Формирование микроструктур с "захороненными" поверхностными фазами на кремнии. Микросистемная техника, 2000, N3, P.5-7.
74. Plusnin N.I., Milenin A.P., Prihod'ko D.P. Formation of the Co/Si(111)7x7 interface: AES- and EELS-study. Appl.Surf.Sci., 2000, V.166, P.125-129.
75. Плюснин Н.И., Миленин А.П., Солдатов В.Ю. Эффекты дифракции и обратного рассеяния в зависимостях СХПЭЭ Si(111) и поверхностных фаз хрома от энергии первичных электронов. Поверхность, 2000, N6, P.30-37.
76. Luniakov Yu.V., Azatyan S.G., Lifshits V.G. EELS spectra of In/Si(111) surface phases. Phys.Low-Dim.Struct., 2000, V.9-10, P.75-98.
77. Galkin N.G., Konchenko A.V., Goroshko D.L., Maslov A.M., Vavanova S.V., Kosikov S.I. Electronic structure, conductivity and carrier mobility in very thin epitaxial CrSi(111) layers with Si(111)- ?3x?3-30? LEED pattern. Appl.Surf.Sci., 2000, V.166, N1-4, P.113-118.
78. Galkin N.G., Goroshko D.L., Konchenko A.V., Ivanov V.A., Zakharova E.S., Krivoschapov S.Ts. In situ Hall measurements of Fe and Cr monolayers on Si(111) of n- and p-type of conductivity. Surf.Rev.Lett., 2000, V.7, N3, P.257-265.